【課題】 集積度を維持しつつ、エレクトロマイグレーション耐性およびストレスマイグレーション耐性が優れ、高信頼性を有する金属薄膜および多層配線の形成方法ならびにそのような金属薄膜および多層配線を備えた薄膜基板を提供する。
【解決手段】 基板１上に金属薄膜３および熱エネルギーを吸収する熱吸収層４を形成し、熱吸収層４に対して第１のパルスレーザビームＥ１を照射することにより金属薄膜３に対して第１の加熱処理を施して再結晶化し、熱吸収層４を所定の形状にパターニングして基板全面に対してさらに第２のパルスレーザビームＥ２を照射することにより、金属薄膜３に対して高温領域および低温領域を有する選択的な温度分布で第２の加熱処理を施し、低温領域を核として、金属薄膜３を面内において熱吸収層４の形状に基づいた態様で再結晶化するようにしたので、粒界３重点が存在しにくい金属配線を形成することができる。 （もっと読む）

例示的な一実施形態に従って、導体におけるジュール加熱とこの導体における電流密度間の関係を確立するための方法がウェーハレベル測定（５００）を実行することによって実装される。この実施形態に従って、導体（１１８，）における抵抗の温度係数を得るためにウェーハレベル測定が実行される（ステップ５０２）。本方法は、又、導体の熱抵抗を判断することを含む（ステップ５１０）。この熱抵抗は、その後導体におけるジュール加熱と導体における電流密度間の関係を確立するために利用される（ステップ５１２）。そのようにして得られた関係は、その後、信頼性のある半導体デバイス設計において補助するために設計ルール、平均故障時間、及び他の情報を判断するために利用される（ステップ５１４）。もう１つの実施形態に従って、ウェーハレベル測定システム（１００）が導体におけるジュール加熱と導体における電流密度間の関係を確立するために利用される。
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【課題】 例えば配線等の下地金属の内部にボイドを発生させることなく、下地金属の露出表面に無電解めっきによって金属膜を確実に形成でき、しかも、スループットを向上させることができるようにする。
【解決手段】 下地金属を形成した基板の表面に無電解めっきにより金属膜を形成するに際し、基板の表面を、カルボキシル基を有する有機酸またはその塩の水溶液に界面活性剤を添加した洗浄液で洗浄し、洗浄後の基板の表面を、金属触媒イオンを含む溶液に前記洗浄液を混合した処理液に接触させて基板の表面に触媒を付与する。 （もっと読む）

【課題】 ボンディングパッドの下面にも電子部品を配置することができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 外部接続端子を構成するボンディングパッド２４と、ボンディングパッド２４の下面に、少なくとも二層の銅膜４４，１６と、前記隣接する銅膜４４，１６同士を接続するように設けられる接続ビア１８から形成されるボンディングパッド下部領域４８と、ボンディングパッド下部領域４８を取り囲むように銅膜および隣接する銅膜同士を接続する環状導体より構成されるシールリング４２と、シールリング４２の外側においてボンディングパッド２４に接続される配線２６と、を含む。 （もっと読む）

多層集積回路機器へ誘電体層における金属充填配線上の多層金属キャップ（１８、２０）および該キャップを形成する方法。 （もっと読む）

本発明は、感光性材料の層が直接にパターン化される方法を提供する。その後、感光性材料は、少なくとも部分的に分解され、層内にボイドまたは空隙を残し、低減された抵抗キャパシタンス遅延特性を有する低誘電率の層を提供する。
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【課題】 カーボンナノチューブを用いて集積回路の導電性パスを形成することによって、好結果のデバイスを設計する。
【解決手段】 集積回路の導電体パスが、銅であることが好ましい導電性金属に埋設された複数の画一的なカーボンナノチューブを用いて形成される。導電体パスは、導電体層の間に延びるビアを含むことが好ましい。複合材ビアは、導電体上のビアが作られる位置に金属触媒パッドを形成するステップと、誘電体層を堆積しエッチングして空洞部を形成するステップと、空洞部内の触媒の上に実質的に平行なカーボンナノチューブを成長させるステップと、残された空洞部内の空隙を銅で埋めるステップによって形成されることが好ましい。次に、ビア・ホールの上に導電体層が形成される。 （もっと読む）

本発明は、多機能誘電体層を基板上、特に基板上に露出している金属配線系上に形成する方法に関する。本発明の目的は、銅による配線を形成するための多機能パッシベーション層を容易に形成する方法を提供するとともに、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション、および接着性を向上させる方法を提供することにある。本発明によれば、更なる金属層（５）を、露出した金属配線（３）の表面上に堆積することによって、本発明の目的は達せられる。この金属層は少なくともその一部が非導電性の金属酸化物に変換され、誘電体層となっている。
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【課題】 基板内に導電性構造体を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 表面上に多段階層構造体を形成する方法が記載される。この方法は、表面上に硬化可能な液体層を堆積させるステップと、内部に多層パターンを有するスタンプを液体層に圧入し、該パターンによって定められる多段階層構造体を該液体層内に生成するステップと、液体層を硬化させ、内部に多段階層構造体を有する固体層を生成するステップとを含む。機械的位置合わせを用いて、構造体を形成することになる基板上に離間配置された複数の突出部及びスタンプのパターン内の相補的陥凹部を介して、基板に対するスタンプの光学的位置合わせを強化することができる。 （もっと読む）

本発明は、電気的に導電性ではない絶縁層（３４，３６）における切り欠き部（３７）に、少なくとも部分的または全体的に配置された外部導電構造部（４４）を有する接続部に関する。切り欠き部（３７）の底部には、導電性の内部導電構造部（２２）が、絶縁層（３４，３６）の一方側に配置され、コンタクト領域において外部導電構造部と境界を形成している。コンタクト面は、切り欠き部（３７）の他方側において、外部導電構造部（４４）に配置されている。コンタクト領域とコンタクト面とは、互いに重ならないか、部分的にのみ重なっている。切り欠き部（３７）の底部は、法線方向から見ると、コンタクト面の少なくとも半分または全面に重なるように配置されている。その結果、絶縁層（３４、３６）の段状部分は、コンタクト面と内部導電構造部（２２）との間に延びる主要電流路の外側において、切り欠き部（３７）の端部に位置する。
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【課題】 凹部への埋め込み性が良好で、長期に亘り安定した良好な電気的特性を得ることができ、さらに作製工程を可及的に低減し得る配線構造を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ板と基板３との温度及び温度差を所定通りに制御しつつ、原料ガスであるＣｌ₂ ガスのプラズマによりＣｕ板をエッチングすることによりＣｕ成分とＣｌ₂ ガスとの前駆体であるＣｕＣｌを形成し、この前駆体が基板３に吸着され、その後Ｃｕ成分を析出させることによりＣｕの薄膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成されたＣｕ膜をＣｌ₂ ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、前記成膜反応の速度が前記エッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより前記凹部３ａにその底部から順にＣｕ膜を積層してこの凹部３ａにＣｕを埋め込んだ。 （もっと読む）

【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ１６とバリアメタル１２、あるいはＣｕ１６とキャップ層１９との界面近傍に、不純物１５を固溶させる、不純物１５を析出させる、非晶質Ｃｕ１４を存在させるまたはＣｕとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Ｃｕのエレクトロマイグレーション（ＥＭ）に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＡｌＣｕ膜１０３Ｃと、厚みが０〜１５ｎｍのＴｉ膜との反応によりＡｌ₃ Ｔｉ層１０３ＤをＡｌＣｕ膜とＴｉＮ膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつＡｌ₃ Ｔｉ層形成時に発生する引張り応力を低減し、ＥＭ耐性を向上させる。その後のＦＳＧ膜１０４ＡをＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を４５０℃以下にすることにより、ＦＳＧとＡｌＣｕの熱膨張率差に起因するＡｌＣｕ膜の残留引張り応力の発生を低減し、ＳＭ耐性及びＥＭ耐性を向上させる。さらに、ＦＳＧ膜の上にＳｉＯＮ膜を設けることにより、ＦＳＧ膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層１１，１３に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層１２に電気的に導通するように絶縁層１３と下層の導体層１２とを覆って形成された金属薄膜１４上に形成された配線層１７の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層１８で覆うように構成する。この被覆層１８を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム、又はニッケル／パラジウム／金が用いられる。 （もっと読む）

【課題】 多層配線構造において、エレクトロマイグレーション耐性の向上及びより一層の微細化を図る。
【解決手段】 下層配線Ａは、第１のチタニウム膜１０２、第１の窒化チタン膜１０３、第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４、第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６からなる。ヴィアコンタクトＢは、第１の密着層１０９（チタニウム膜）、第２の密着層１１０（窒化チタン膜）及びタングステンプラグ１１１（タングステン膜）からなる。第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６には、ヴィアコンタクトＢの平面形状よりも小さい開口部が形成され、ヴィアコンタクトＢは開口部において第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４と接続している。第１及び第２の密着層１０９、１１０は、側壁部の下端から内側に張り出す張り出し部において、第２の窒化チタン膜１０６における開口部の周辺領域と接続している。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の微細化とエレクトロマイグレーションの抑制との両立を図ることができる多層配線構造を工程数の増加を招くことなく実現する。
【解決手段】 第１の金属配線１３の一端部１３ａと第２の金属配線１５の一端部１５ａとは第１のプラグ１６を介して接続されており、第１の金属配線１３の他端部１３ｂと第３の金属配線１７の一端部１７ａとは第２のプラグ１８を介して接続されている。第１、第２及び第３の金属配線１３、１５、１７の配線幅は、互いに等しいと共に第１及び第２のプラグ１６、１８の径ともほぼ等しい。第１の金属配線１３の他端部１３ｂの配線幅は、第１の金属配線１３の一端部１３ａ及び第３の金属配線１７の一端部１７ａの配線幅よりも大きい。第２の金属配線１５の一端部１５ａの配線幅は第１の金属配線１３の一端部１３ａの配線幅よりも大きい。 （もっと読む）