【課題】信頼性を低下することなく高集積化が可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、コンタクト層４０及びＡｌ層の真上にＡｌ層を積層したＡｌスタック構造をなすものであり、コンタクト層４０の真上に１ｓｔＡｌ層１０が積層され、１ｓｔＡｌ層１０の真上に２ｎｄＡｌ層２０が積層され、２ｎｄＡｌ層２０の真上に３ｒｄＡｌ層３０が積層されてなるものである。 （もっと読む）

【課題】導電体内の欠陥の発生を抑制し、導電体が連続的に形成される三次元構造体の製造方法および三次元構造体を提供する。
【解決手段】第１の導電体上に、絶縁体と、この絶縁体内に、第１の導電体と異なる第２の導電体で構成される縦構造体と横構造体が組み合わされた三次元の擬似導電体構造とを形成する工程と、擬似導電体構造を溶解除去して三次元の空洞を形成し、第１の導電体を露出させる工程と、第１の導電体をシード層として、電解めっき法により第３の導電体を空洞に充填し、三次元の導電体構造を形成する工程を有することを特徴とする三次元構造体の製造方法およびこれによる三次元構造体。 （もっと読む）

【課題】ＷＰＰ技術における再配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】再配線が半導体基板１Ｓの面内において互いに電気的に分離された本体パターン２およびダミーパターン３を有している。多層配線と電気的に接続された本体パターン２と、フローティングされたダミーパターン３とが、半導体基板１Ｓの面内で混在して設けられている。半導体基板１Ｓの面内における本体パターン２およびダミーパターン３を合わせた占有率、すなわち再配線の占有率が３５％以上６０％以下である。 （もっと読む）

【課題】配線間の容量を増大させることなく、配線の信頼性をさらに向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された層間絶縁膜１内上部に配線溝２を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後に、配線溝２内及び層間絶縁膜１上にバリアメタル膜３を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、配線溝２内に銅５を埋め込み、配線を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、Ｓｉ及びＮを層間絶縁膜１及び配線に注入する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、層間絶縁膜１上のバリアメタル膜３を除去する工程（ｅ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】十分なＥＭ耐性および配線間ＴＤＤＢ寿命を確保しつつ、層間絶縁膜の低誘電率化を行っても絶縁膜ライナー膜厚を薄くすることができ、配線間の実効比誘電率Ｋｅｆｆを低減した高速で高信頼性な配線を得ることができる。
【解決手段】第１の絶縁膜１には配線溝Ｍ１が形成されており、配線溝Ｍ１内にはＣｕ膜２ｂが設けられている。Ｃｕ膜２ｂの上にはＳｉＣＮ膜３ａ、ＳｉＣＯ膜３ｂおよびＳｉＯＣ膜４ａが順に設けられており、ＳｉＯＣ膜４ａはＳｉＣＮ膜３ａおよびＳｉＣＯ膜３ｂよりも低誘電率な絶縁膜である。ＳｉＣＯ膜３ｂの上面には、高密度化処理が施されて高密度膜３ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーションの制約を受け難く、配線抵抗が小さくトランジスタの電力損失が少ない、パッド配置の制約の少ないパワーＭＯＳトランジスタを提供する。
【解決手段】 半導体基板１に形成されたソース領域２およびドレイン領域３が格子状に形成されたゲート４を挟んで互いに隣接するＭＯＳトランジスタにおいて、半導体基板１上に順次形成された３層のメタル配線５、６、７とを有する。メタル配線は、ソース領域及びドレイン領域に電気的に接続され、ドレイン領域を第３層メタル配線７に接続する場合、ソース領域を第２層メタル配線６及び第１層メタル配線５に接続する。第３層メタル配線７のドレイン配線は、半導体基板１の全領域を覆うように配置され、第１層及び第２層メタル配線５、６のソース配線は第１層及び第２層メタル配線の全領域を覆うように配置される。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が約３．０以下の誘電材料（５２）を含む相互接続構造を提供する。
【解決手段】 この低ｋ誘電材料は、上面が埋め込まれた少なくとも１つの導電材料（６０）を有する。また、誘電材料は、貴金属キャップ（６２）の形成前に疎水性とされた表面層（５２Ｂ）を有する。貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料の上面上に直接に配置されている。誘電材料上に疎水性表面層が存在するために、貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料に隣接した誘電材料の疎水性表面層上に実質的に延出せず、この疎水性の誘電表面上に貴金属キャップ堆積からの貴金属残留物は存在しない。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造に選択的低温Ru堆積を統合することで、バルクCu金属中でのエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法。当該方法は、誘電体層(304)中に凹部を有するパターニング基板を供する工程であって、前記凹部は平坦化されたバルクCu金属(322)によって少なくとも実質的に充填されている工程、H₂、N₂、若しくはNH₃、又はこれらの混合気体が存在する中で前記バルクCu金属及び前記誘電体膜を熱処理する工程、並びに、前記の熱処理されたバルクCu金属上にRu金属膜を選択的に堆積する工程、を有する。
（もっと読む）

【課題】微細パターンのＣｕの埋め込みが良好であり、Ｃｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体装置では、下層配線１０２が半導体基板上の絶縁膜１０１内に形成され、上層配線１１２が絶縁膜１０１の上の層間絶縁膜１０４内に形成され、下層配線１０２と上層配線１１２とは層間絶縁膜１０４内に形成されたビアプラグ１１１を介して接続されている。ビアプラグ１１１および上層配線１１２では、それぞれ、第１および第２のバリアメタル膜１０７，１０８とＣｕ膜１１０とが順に積層されており、第１のバリアメタル膜１０７は窒素を含有し、第２のバリアメタル膜１０８は白金族元素を含有している。 （もっと読む）

【課題】銅配線を用いる半導体装置において、銅配線の酸化を防ぐと共に、配線間誘電率を低下させる。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板上に形成された第１の層間絶縁膜１１と、第１の層間絶縁膜１１上に埋め込まれて形成され、銅を含む導電膜１２ｂを有する配線１２と、配線１２上を含む第１の層間絶縁膜１１上に形成された絶縁性バリア膜１５と、絶縁性バリア膜１５上に形成され、低誘電率膜からなる第２の層間絶縁膜１６と、導電膜１２ｂと絶縁性バリア膜１５との間に導電膜１２上を覆うように形成され、銅よりも酸化還元電位の大きい元素を含む合金層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線層の信頼性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜３に形成した配線溝４内に、バリアメタル膜５を介して、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を有する配線部１を形成した後、ＳｉＨ₄とＮＨ₃のガスに曝し、その配線部１の表面にＯを含有しないＳｉＮの保護層８を形成する。この上にキャップ膜９を形成する。キャップ膜９の形成時には、配線部１のバリアメタル膜５との界面領域にはＭｎＯ層１０が形成される一方、配線部１の上面には保護層８があることでＭｎの析出が抑制される。配線部１のＭｎ含有量を高めても、配線部１とキャップ膜９との間にＭｎを含有するバリア性の低い層が形成されることがなく、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体に、銅線の核形成、成長及び接着を促進する窒化コバルトの層が組み込まれる。銅の拡散バリヤーとして機能し、かつ窒化コバルトと下地の絶縁体の間の接着性も増加させる、窒化タングステン又は窒化タンタルなどの耐熱性の金属窒化物又は金属炭化物層上に窒化コバルトを堆積してよい。窒化コバルトは、新規なコバルトアミジナート前駆体からの化学気相成長により形成され得る。窒化コバルト上に堆積された銅層は、高い電気伝導度を示し、マイクロエレクトロニクスにおける銅伝導体の電気化学的な堆積のための種層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる少なくとも１種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部がＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、インゴットまたは焼結体にＣを第１の元素量に対して20原子ppm〜37.8原子％の範囲で含有させ、得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】微細化によっても配線間ショートによる不良の発生を確実になくしつつ、ＥＭ耐性をより向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の第一の層間絶縁膜２に配線溝を形成し、その配線溝に第一のＣｕ膜４を堆積して第一のＣｕ配線５を形成し、その第一のＣｕ配線５上および第一の層間絶縁膜２上に第一のライナー膜６を形成し、その第一のライナー膜６に第一のＣｕ配線５の表面が露出するように第一のＣｕ配線５上に開口部１３を部分的に形成し、その開口部１３内に露出した第一のＣｕ配線５の表面にキャップメタル膜７を形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜上に析出しためっき成分を選択的に除去して、埋め込み配線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にトレンチを形成する工程と、層間絶縁膜の表面およびトレンチの内部を覆うように、バリアメタル層を形成する工程と、バリアメタル層の上に、トレンチを埋め込むように銅からなる金属層を形成する工程と、層間絶縁膜上の金属層とバリアメタル層とを、ＣＭＰ法を用いて除去し、バリアメタル層と金属層をトレンチ内に残す工程と、金属層の上にキャップメタル層を形成する工程と、熱処理によりキャップメタル層の材料を金属層内に拡散させ、キャップメタル層の下部にキャップ拡散層を形成する工程と、ＣＭＰ法を用いてキャップメタル層を除去し、キャップ拡散層で被覆された金属層をトレンチ内に残して配線層とする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線幅の小さい配線層では配線間容量を低減し、同時に配線幅が広い配線層では、層間膜剥離を防止し、組み立て歩留まりの向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】デュアルダマシン構造を有する多層配線を有する半導体装置である。半導体基板上に形成された第１の配線層部１５１と、第１の配線層部の上に形成された第２の配線層部１５３と、を具備する。第１の配線層部１５１において、最小配線幅を有する配線のアスペクト比Ｌと、ビアのアスペクト比Ｖは、Ｌ≧Ｖなる関係を有し、かつ第２の配線層部１５３において、最小配線幅を有する配線のアスペクト比Ｌと、ビアのアスペクト比Ｖは、Ｌ＜Ｖなる関係を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線を有する半導体装置とその製造方法において、配線間リーク及びショートを抑制し且つＥＭ耐性を向上する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１００上に形成されたトレンチ１０２を有する絶縁膜１０１上及びトレンチ１０２内を覆うように、バリアメタル膜１０３を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後に、トレンチ１０２を埋め込むようにＣｕ膜１０４を形成する工程（ｂ）と、トレンチ１０２からはみ出た部分のＣｕ膜１０４を除去して配線１０５を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、絶縁膜１０１上のバリアメタル膜１０３を除去する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、配線１０５上を覆うキャップメタル膜１０７を形成する工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、絶縁膜１０１上に残存するメタル成分１０８を除去する工程（ｆ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨（ＣＭＰ）に代わる新たな銅層エッチング方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤、例えばアセトニトリルを１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上とを含むエッチング処理液は、特に銅を溶解する効果があるため、かかる水溶液を強制攪拌させながら銅層表面に接触させることにより余分な銅層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】極めて微細な孔又は溝内に銅を埋め込むことができる、新たな銅配線の製造方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤を１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上と、銅成分とを含む電解液を強制攪拌しながら、被めっき体における配線接続孔又は配線溝内に銅を電気めっきする工程を備えた銅配線の製造方法によれば、攪拌の程度を調整することにより、微細孔への銅の埋め込み率を調整することができ、微細孔への銅の埋め込み率をより一層高めることができる。 （もっと読む）

【課題】配線層のバリア膜の酸化を防ぎ、配線からのＣｕの漏れを防止する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態の半導体装置は、半導体基板（１）と、前記半導体基板上に形成されたＣｕを有する第１の絶縁膜（３）と、前記第１の絶縁膜に形成された溝に設けられた配線（５）と、前記配線と前記第１の絶縁膜との間に形成されたバリア膜（４）と、前記配線の上面に形成されるとともに、前記バリア膜の側部と前記第１の絶縁膜との間の中空部（３２１）に前記配線の厚さ未満の深さまで形成された第２の絶縁膜（６）と、を具備する。 （もっと読む）