【課題】上層の配線と下層の配線とを接続するプラグに流れる電流を効率的に分散させ、エレクトロマイグレーション耐性に優れた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１の配線３１と、第１の配線３１とは異なる配線層に形成され、第１の配線３１よりも線幅が太い第２の配線３２と、第１の配線３１と第２の配線３２とが互いに重なりあって同一方向に延びる領域に形成され、第１の配線３１と第２の配線３２とを電気的に接続する第１のプラグ５１及び第２のプラグ５２とを備えている。第１のプラグ５１は、第２のプラグ５２よりも底面積が大きく且つ第２のプラグ５２よりも第１の配線３１の末端側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 集積回路（ＩＣ）デバイスのための相互接続構造を提供する。
【解決手段】 集積回路（ＩＣ）デバイスのための相互接続構造は、第１の幅ｗ_１で形成された１つ以上のセグメント及び１つ以上の追加の幅Ｗ_２・・・ｗ_Ｎで形成された１つ以上のセグメントを有する細長い導電性ラインを備え、第１の幅は前記１つ以上の追加の幅のそれぞれよりも狭く、１つ以上の追加の幅で形成された１つ以上の導電性セグメントの全長Ｌ_２・・・Ｌ_Ｎに対する第１の幅で形成された１つ以上の導電性セグメントの全長Ｌ_１の関係は、導電性ラインの全長Ｌ＝Ｌ_１＋Ｌ_２＋・・・Ｌ_Ｎが臨界長さに関係なく最小の所望の設計長さを満足するように、導電性ラインに流れる電流の所定の大きさに対して、エレクトロマイグレーション・ショート・レングス効果の利点が維持されるように選択される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを含む配線について、配線抵抗を低く維持しつつ、しかも、ストレスマイグレーション耐性の劣化を伴うことなく、エレクトロマイグレーション耐性を向上し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】実用上十分な動作速度およびエレクトロマイグレーション耐性を有する半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体基板の上面に層間絶縁膜１０１が形成されており、層間絶縁膜１０１内に下層配線１０５が形成されている。層間絶縁膜１０１の上面および下層配線１０５の上面にはライナー絶縁膜１０６が形成されており、ライナー絶縁膜１０６の上面には層間絶縁膜１０８が形成されている。層間絶縁膜１０８内に上層配線１１３が形成されており、下層配線１０５と上層配線１１３とはビア１０９を介して接続されている。そして、ビア周辺領域１４０に形成されたライナー絶縁膜１０６の膜厚は、ビア周辺領域１４０の外側に形成されたライナー絶縁膜１０６の膜厚よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】装置の高いスループットを維持しつつ、バリアメタルの酸化工程の追加や異なる種類のシード層の積層、バリア層の積層等を行い配線の信頼性を向上させる。
【解決手段】薄膜の合金シード層を成長させるチャンバー、または、薄膜のバリアメタルを成長させるチャンバーのうち、最も短いタクト時間のチャンバー数を最も少なくして、あるいは、統一して１台の装置で専用に用い、タクト時間の長い工程のチャンバーを２または、３チャンバー以上にすることにより、薄膜工程のチャンバー間バラツキを無くして、装置のスループットを向上させる。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション対応の高性能ＦＥＴレイアウトを提供する。
【解決手段】 電気コンタクト構造体が、その長さに沿って電流を分配する。電気コンタクト構造体は、ｎ個の金属レベル上の複数のｎ個の金属矩形部を含む。１つの金属レベル上の矩形部の幅は、真下の金属レベル上の矩形部の幅と少なくとも同じ広さであり、かつ、これを垂直方向に覆う。１つの金属レベル上の矩形部の長さは、真下の金属レベル上の矩形部より短く、かつ、これと第１の端部において実質的に位置合わせされる。矩形部の第１の端部は実質的に位置合わせされる。本発明の例示的なＦＥＴトランジスタの構造部は、ソース及びドレイン端子、電気コンタクト構造体、両端部でゲート矩形部を接続するマルチレベルの金属リング、及び最小のものより広いゲート間間隔である。本発明は、例えば、エレクトロマイグレーション対応の高性能トランジスタに有用である。 （もっと読む）

【課題】水分の吸着等が確実に抑制される半導体装置の製造方法を適用する。
【解決手段】半導体基板の主表面上にＬｏｗ−ｋ膜が形成される。Ｌｏｗ−ｋ膜中に銅の配線が形成される。配線を覆うようにＬｏｗ−ｋ膜上に、ＳｉＣＮ膜が形成される。次に、その状態で、半導体基板にアニールが施される。ＳｉＣＮ膜を覆うように、ＳｉＣＯ膜が形成される。ＳｉＣＮ膜を形成する工程、アニールを施す工程およびＳｉＣＯ膜を形成する工程は連続して行なわれる。 （もっと読む）

【課題】 高周波信号の伝達も含めた配線抵抗を低減することができると共に、良好な遮蔽導体として機能する配線構造及びその配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 複数の配線層にそれぞれ設けられた配線１，３が互いに重複し、互いに電気的に複数層に亘り並列接続された配線構造であって、複数の配線層の少なくとも下層の一つの配線層が、少なくとも２本以上の並列配線に分離されて延伸しているスリット配線部を有し、上層の配線３からスリット配線部の並列配線の間隙に浸入して両側の並列配線と接続しているスリット接続部２ａを有する配線構造とする。 （もっと読む）

【課題】 優れたコンタクト特性及び優れた素子特性を持った薄膜半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて不純物を含むソース領域ドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続する、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔内にそれぞれ埋め込まれた不純物を含む多結晶半導体層、及び前記多結晶半導体層に接続する高融点金属層を含む配線層を具備し、前記多結晶半導体層と配線層の高融点金属層との間には、高融点金属と半導体との化合物からなる薄層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】
半導体デバイスの高性能な金属化システムにおいてビア開口をパターニングする間、開口（２２１Ａ）が導電性キャップ層（２１３）を通って延び、適切なイオン衝撃が確立されて下層の金属領域（２１２）の材質が導電性キャップ層（２１３）の露出した側壁部分へ再分配され、それにより保護材質（２１２Ｐ）が確立される。その結果、後続のウエット化学的エッチング処理（２１５）において、導電性キャップ層（２１３）の過度な材質除去の可能性を大幅に低減することができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、露出誘電表面を覆う銅表面上にコバルト層を選択的に形成するプロセスを提供する。一実施形態では、前処理プロセスの間に金属銅表面を形成している間は処理チャンバー内の基板の汚染された銅表面を還元剤にさらすステップと、気相堆積プロセスの間に基板上の誘電表面を露出したままにしながら金属銅表面を覆ってまたは上にコバルトキャッピング層を選択的に形成するために基板をコバルト前駆体ガスにさらすステップと、コバルトキャッピング層および誘電表面を覆ってまたは上に誘電障壁層を堆積させるステップとを包含する、基板上の銅表面をキャッピングするための方法が、提供される。別の実施形態では、堆積−処理サイクルは、気相堆積プロセスを実行した後に後処理プロセスを実行するステップを包含し、その堆積−処理サイクルは、複数のコバルトキャッピング層を形成するために繰り返されてもよい。
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基板を加工処理するための方法および装置を提供する。基板を加工処理するための方法は、導電性材料を備えた基板を準備することと、導電性材料上に前処理プロセスを実行することと、シリサイド層を形成するために導電性材料上にシリコン系化合物を流すことと、シリサイド層上に後処理プロセスを実行することと、基板上にバリア誘電体層を堆積することとを含む。
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【課題】局所的に発生する不良を容易に検出すること。
【解決手段】バッファ回路３１ａの寿命を予測するためのモニタ回路３８ａは、駆動電圧ＶＣａを供給する配線Ｌ２１と、低電圧ＶＳＳを供給する配線Ｌ２４と、バッファ部Ｂ２と、電源配線Ｌ２１とバッファ部Ｂ２とを接続する配線Ｌ２２と、電源配線Ｌ２４とバッファ部Ｂ１とを接続する配線Ｌ２３とを有している。配線Ｌ２２は、バッファ回路３１ａの配線Ｌ１２と同じ幅に形成され、配線Ｌ２３は、バッファ回路３１ａの配線Ｌ１３と比べて、実質的な幅が狭く形成されている。これにより、モニタ回路３８ａの配線Ｌ２３は、バッファ回路３１ａの配線Ｌ１３と比べて電流密度に対する許容値が小さい。 （もっと読む）

【課題】多層配線間の接続抵抗を低く保ちＥＭに対する高い耐性を持ちつつ配線部から外部への配線材の拡散を抑制する。
【解決手段】基板上に絶縁体膜が設けられ該絶縁体膜に第１の孔が設けられ該第１の孔に配線材であるＣｕが充填された半導体装置に対して、Ｃｕを除く絶縁体膜上面にＣｕの拡散を防止する第１のバリア膜を形成する工程と、Ｃｕ及び該第１のバリア膜上に第２のバリア膜、層間絶縁膜をこの順に形成する工程と、第２のバリア膜を残して層間絶縁膜にＣｕへ接続するための第２の孔を形成する工程と、基板の表面全体にＣｕの拡散を防止するための第３のバリア膜を形成する工程と、第２の孔の側面以外の第３のバリア膜を除去する工程と、第２の孔の底面に存在する第２のバリア膜を除去してＣｕを露出させる工程と、第２の孔に配線材であるＣｕを充填して第１の孔に充填されたＣｕと接続する工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン形成された導電性金属層、およびパターン形成された障壁誘電体層との間に改善された接着性を与えるものである。
【解決手段】本発明は、パターン形成された導電性金属層、通常は銅層、およびパターン形成された障壁誘電体層との間の改善された接着に関する。
改善された接着性を有するこの構造は、パターン形成された障壁誘電体層とパターン形成された導電性金属層との間に接着層を含んでいる。この接着層は、銅のバルク電気抵抗率を増加することなしに、金属層と障壁層との間の接着力を、向上させる。改善された接着性を有する構造を作る方法は、パターン形成された導電性金属層を有機金属前駆体に熱的に暴露させ、少なくとも、パターン形成された導電性金属層の表面上に、接着層を堆積させる工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 微細化、集積度向上に影響を与えない方法で、クロストークを減少または除去する回路を提供する。
【解決手段】 クロストーク防止回路は、ほぼ平行して形成されている少なくとも２本の信号線、たとえば、マスタスロック用線とスレーブクロック用線ｌ１，ｌ２の間に、これら２本の信号線の少なくとも一方に印加される信号が存在しないとき、たとえば、テスト用信号が印加され、前記２本の信号線に信号が印加されるとき接地状態になる第３の信号線ｌ３を生成する。好ましくは、第３の信号線にドライバ回路を接続し、該ドライバ回路の出力トランジスタのＮチャネルトランジスタとＰチャネルトランジスタの電流駆動能力の比率をほぼ２：１にする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の異なる回路領域にそれぞれの要求特性を満足する配線を形成する。
【解決手段】所定基板上に配線の主要部を構成する第１の金属膜を形成し（ステップＳ１）、その上にエレクトロマイグレーション耐性向上に寄与するＴｉ，Ｚｒ等の不純物元素を含む第２の金属膜を形成する（ステップＳ２）。次いで、不純物元素を添加すべき配線の形成領域にある第２の金属膜は残し、不純物元素の添加が不要な配線の形成領域にある第２の金属膜を部分的に除去する（ステップＳ３）。その後、熱処理により、残る第２の金属膜の不純物元素を下の第１の金属膜に拡散させる（ステップＳ４）。これにより、不純物元素濃度の異なる第１の金属膜を基板上に形成できる。これを用いて配線を形成することにより、異なる領域にそれぞれに適した配線を形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】銅配線層を電解メッキ法で形成する際に電極となるシード層の溶解に起因する銅メッキ層の欠陥の発生を抑制する電解メッキ液及び該メッキ液を用いた電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】電解メッキ液として、極性溶媒と、前記極性溶媒中に溶解した硫酸銅を含み、さらに添加剤として、硫黄化合物よりなるアクセラレータと、前記アクセラレータよりも小さい分子量を有する還元剤とを添加した電解メッキ液を使う。 （もっと読む）

【課題】 小型であるとともに、配線の信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０は、半導体基板１２と電極パッド２０ｂを備えている。その電極パッド２０ｂは、その半導体基板１２の表面に形成されている。その半導体基板１２の表面に臨む領域に複数個の半導体素子領域３０、５０が形成されている。その半導体基板１２の表面において隣接する半導体素子領域３０、５０を分離している範囲にトレンチ１００が形成されている。そのトレンチ１００の壁面が絶縁膜１０２で被覆されている。壁面が絶縁膜１０２で被覆されているトレンチ１００の内部に導体１０４が充填されている。前記複数個の半導体素子領域３０、５０のうちの少なくとも１つが、前記導体１０４を介して前記電極パッド２０ｂに接続されている。 （もっと読む）

集積回路中の銅線を完全に取り囲んでいるケイ酸マンガン層及び窒化ケイ素マンガン層を組み込んだ集積回路用の配線構造、及びその製造方法を提供する。ケイ酸マンガンは、銅が配線から拡散しないためのバリアを形成し、それにより、絶縁体が磁気尚早に損しないよう保護し、トランジスタが銅により劣化しないように保護する。また、ケイ酸マンガン及び窒化ケイ素マンガンは、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、これゆえに製造及び使用の間のデバイスの機械的な完全性が保持される。また、銅−ケイ酸マンガン界面及び窒化ケイ素マンガン界面における強い接着は、デバイスの使用の間の銅のエレクトロマイグレーションによる損傷から保護する。また、マンガン含有シースは、銅がその周囲の酸素又は水により腐食しないよう保護する。 （もっと読む）