【課題】 低コストを実現して、低インピーダンスに変化する電圧を安定化することができ、さらに低い電圧に対しても保護機能が働く静電気放電保護デバイスを提供する。
【解決手段】 静電気放電により発生した電荷を逃がすための静電気放電保護デバイス１に、それぞれギャップ２を介して設けられそのギャップ２により絶縁された一対の電極３，４と、少なくとも一方の電極３のギャップ２側の表面から突出するカーボンナノチューブ８とを設けるようにした。これにより、スパークギャップの電界放出素子として、カーボンナノチューブ８を用いることによって、低コストを実現して、低インピーダンスに変化する電圧を安定化することができ、さらに低い電圧に対しても保護機能が働く静電気放電保護デバイス１を提供することができる。 （もっと読む）

ＥＳＤ事象の間、ソース・ポンプまたはバルク・ポンプを使用してバルクおよび／またはソースの電位レベルを高くし、それにより回路をＥＳＤ事象から保護する方法および装置である。この装置は、ＥＳＤ事象に応答して、トランジスタの２つの端子と端子の間に形成される電圧を第２の端子の電位レベルを調整することによって制限する保護回路を備えている。

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サイリスタストラクチャ（ＳＣＲ）を備えている保護回路を含んでおり並びに保護回路のドライブ制御のための制御回路（ＴＣ；Ｃ１，Ｒ１，Ｉ１ないしＩ３）を含んでおり、これらは両方とも保護すべきエレメント（ＰＶ，ＬＶ）と基準電位（ＶＢ）との間に介挿されており、制御回路（ＴＣ；Ｃ１，Ｒ１，Ｉ１ないしＩ３）は複数の制御信号を生成し、該制御信号がそれぞれサイリスタストラクチャのアクティブエレメント（Ｔ１，Ｔ２）をドライブ制御するという、集積半導体回路を保護するための回路装置並びに方法が提案される。これにより、保護回路の所期のトリガが規定のスイッチングしきい値および短い導通切り換え時間において実現される。更に制御回路の活性化の持続時間を決定するための形態が提案される。
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集積回路チップは、順に、基板材料から成る基板層、絶縁体から成る絶縁層、第１の導電体から成る第１導電層、誘電体からなる誘電層及び第２の導電体から成る第２導電層を有し、集積回路チップが少なくとも１つの集積回路及び少なくとも１つの集積静電放電保護デバイスを有し、静電放電保護デバイスが間隔を設けられた一対の中心電極及び周辺電極を有し、中心電極が第１導電層によって形成され、周辺電極が第２導電層によって形成され、電極対がステロイド・スパークギャップ空洞によって分離されており、ステロイド・スパークギャップ空洞の環状部が集積回路チップの絶縁層によって形成されたベース層、周辺電極によって形成された側壁、集積回路チップの誘電層によって形成されたカバー層、及び中心電極によって形成され絶縁層に接触するコンタクトパッドを有する環状部の中心部を有し、静電放電保護デバイスがまた、静電放電から保護されるべき入力回路パスに中心電極を電気接続する手段、及び回路グラウンド又は回路電源の何れかへの接続を有する静電放電パスに前記周辺電極を電気接続する手段を有する。本発明はまた上記集積回路チップの製造方法に関する。
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半導体装置（１）は、集積回路（３，４）が形成された半導体基板（２）と、集積回路（３，４）と外部の接地電極とを電気的に接続する第１の接地端子（７）及び第２の接地端子（８）と、第１の接地端子（７）と第２の接地端子（８）とを電気的に接続する静電破壊保護素子（５）とを備える。第１の接地端子（７）は、半導体基板（２）に電気的に接続され、第２の接地端子（８）は、半導体基板（２）に電気的に接続されない。 （もっと読む）

【課題】ディジタル回路とアナログ回路を同一半導体チップ上に集積する半導体集積回路において短期間に安価で、かつ確実にＥＳＤ耐性を向上する。
【解決手段】本発明の半導体集積回路装置は、ディジタル回路（１０１０）とアナログ回路（１０５０）とを同一半導体チップ内に集積する半導体集積回路（１０００）において、ディジタル回路（１０１０）に接続され静電破壊を保護する静電破壊保護回路（１０２２ａ、１０２２ｂ）と、アナログ回路（１０５０）に接続され静電破壊を保護する静電破壊保護回路（１０６２ａ、１０６２ｂ）とを備える。そして、静電破壊保護回路（１０２２ａ、１０２２ｂ）に接続されるグラウンド電源（１０３５）が供給される配線と、静電破壊保護回路（１０６２ａ、１０６２ｂ）に接続されるグラウンド電源（１０３７５）が供給される配線とは、半導体集積回路（１０００）の外部で接続されている。 （もっと読む）