【課題】ウェーハテスト後のウェーハ状態において所望の回路を印刷処理により容易に形成することが可能な半導体製造方法および半導体装置を提供することを課題する。
【解決手段】本発明に係る半導体製造方法は、ウェーハの被描画パターン形成領域に所定の深さを有する溝部を形成する工程、ウェーハに対してトリミング要否の検査を行う工程、前記ウェーハにおけるトリミング必要なウェーハの前記溝部に導電性溶剤を射出し描画パターンを描画する工程、描画パターンを描画した後、脱気および低温アニールする工程、脱気および低温アニールした成膜後、当該成膜表面を平坦化する工程、および平坦化した後、高温アニールする工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数のトランジスタを均一に動作させ、低消費電力及び良好な歪特性を実現する。
【解決手段】高周波信号を増幅する電力増幅器１００であって、上部電極１２０ａ及び下部電極１２０ｂを有し、高周波信号が入力される整合容量１２０と、整合容量１２０の下部電極１２０ｂから出力される高周波信号を増幅する複数のトランジスタ１１０が所定の方向に並んで配置されているトランジスタ列とを備え、トランジスタ列に隣り合う領域において、トランジスタ列の両端から略等しい距離には、接地されたビアホール１７０が形成され、下部電極１２０ｂは、ビアホール１７０を挟んで高周波信号が均等に分配されるように配置されたマイクロストリップ線路であり、複数のトランジスタ１１０のベース端子に接続される。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤのループインダクタンスを低減した半導体パッケージを提供する。
【解決手段】所定の方向に交互に配置された信号用パッドおよび補助パッドのそれぞれが複数設けられた半導体装置と、信号用ボンドフィンガー、電源電圧用ボンドフィンガーおよび接地電位用ボンドフィンガーのそれぞれが複数設けられたパッケージ基板と、を有する。複数の信号用パッドのそれぞれが複数の信号用ボンドフィンガーのそれぞれと第１のワイヤを介して接続され、複数の電源電圧用ボンドフィンガーおよび複数の接地電位用ボンドフィンガーのそれぞれが複数の補助パッドのそれぞれと第２のワイヤを介して接続されている。第１のワイヤが、電源電圧用ボンドフィンガーに接続された第２のワイヤと接地電位用ボンドフィンガーに接続された第２のワイヤとの間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ボンド・ワイヤの寄生インダクタンスを小さくし、高周波特性を良好とすることができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】高周波信号が入力される入力整合回路を有しダイボンド領域に配された半導体集積回路チップと、前記ダイボンド領域の周辺に配されたリード端子と、を備え、前記半導体集積回路チップが有する各端子と前記各リード端子とがボンド・ワイヤにより接続された半導体パッケージにおいて、前記ダイボンド領域の中央部より前記入力整合回路に高周波信号を入力させるための前記リード端子である高周波入力端子側および／または前記入力整合回路のグランド接続用の前記リード端子であるグランド端子側にシフトした位置に前記半導体集積回路チップは配される構成とする。 （もっと読む）

【課題】内部電圧生成回路を活性化させる際又は非活性化させる際における内部電圧の急激な変動を防止する。
【解決手段】外部電圧ＶＤＤから生成した内部電圧ＶＰＰを内部電源配線１１０ａに供給する内部電圧生成回路１１０と、内部電圧生成回路１１０の動作を制御する制御回路３００と、前記第１の電圧のレベルを検出する電圧検出回路３３０とを備える。例えば、制御回路３００は、内部電圧生成回路１１０を活性化させる場合、内部電圧ＶＰＰの供給能力を第１の速度で段階的に上昇させ、内部電圧生成回路１１０を非活性化させる場合、内部電圧ＶＰＰの供給能力を第１との速度と異なる第２の速度で段階的に下降させる。これにより、内部電圧生成回路１１０を活性化／非活性化させる際の内部電圧ＶＰＰの大幅な変動をそれぞれ最適に防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 カップリングノイズを低減すること。
【解決手段】 半導体装置は、第１の回路と、第２の回路と、第１の配線と、一対のシールド線とを含む。第１の回路は、所定電圧を発生する電圧発生回路を含み、所定電圧を出力端に出力する。第１の配線は、第１の回路の出力端を第２の回路の入力端に結線する。一対のシールド線は、第１の配線を挟むように配置され、一方には電圧発生回路および第２の回路の少なくとも一方を駆動する電源電位が供給され、他方には電圧発生回路および第２の回路の少なくとも一方を駆動する接地電位が供給される。 （もっと読む）

【課題】出力バッファのスイッチングに伴う電源ノイズがストローブ出力バッファに伝搬することを防止する。
【解決手段】データ信号ＤＱ０を出力するデータ出力バッファＯＢ０と、データ出力バッファＯＢ０に電源電位ＶＤＤＱを供給する電源パッド１１０ｖ１と、電源パッド１１０ｖ１に接続される電源配線１２０ｖ１と、ストローブ信号ＤＱＳを出力するストローブ出力バッファＯＢｄｑｓと、ストローブ出力バッファＯＢｄｑｓに電源電位ＶＤＤＱを供給する電源パッド１１０ｖ２とを有し、電源配線１２０ｖ１と電源パッド１１０ｖ２は、互いに電気的に独立している。これにより、データ出力バッファＯＢ０のスイッチングに伴う電源ノイズがストローブ出力バッファＯＢｄｑｓに伝搬しないことから、ストローブ信号ＤＱＳの信号品質を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】異なるクロックドメインに属する回路間でデータの授受がある回路において、半導体集積回路のスキャンパスを用いてクロストークの影響を考慮した遅延試験を行うことができる。
【解決手段】第１回路群は、第１のクロックドメインに属する複数のスキャンフリップフロップ（Ｆ１２、Ｆ１４）を備え、信号の伝達遅延を測定する第１データパス（１０２）を含む。第２回路群は、第２のクロックドメインに属する複数のスキャンフリップフロップ（Ｆ１１、Ｆ１３、Ｆ１５）を備え、第１データパス（１０２）に対してクロストークにより影響を与える第２データパス（１０１）を含む。第３データパスは、第１回路群・第２回路群間でデータを授受する。クロック切り換え回路（Ｍ１０）は、制御信号に応答して、第２回路群に供給される第２クロック信号（ＣＫ２）を、第１回路群に供給される第１クロック信号（ＣＫ１）に替えて第２回路群に供給する。 （もっと読む）

【課題】信号配線リソースを確保しながら、チップ中心部のＩＲドロップを少なくすることのできる半導体集積回路および電源配線方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体集積回路は、チップ内に等間隔で配線される下層電源配線１と直交する方向に所定の間隔で配線される上層電源配線が、下層電源配線との接続用のビア３が配線中央部にのみ配置された上層電源配線２Ａと、配線中央部を除く領域に上層電源配線２Ａへの配置個数よりも多数のビア３が配置された上層電源配線２Ｂとの対により構成され、上層電源配線２Ａの上層電源配線２Ｂに対する配線幅の比が、配線中央部を除く領域では、上層電源配線２Ａの上層電源配線２Ｂに対する供給電流比の逆数であり、配線中央部では、供給電流比の逆数よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】内部回路の動作時における電源ノイズの影響を抑え、少ピン化および小面積化を実現する半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１の内部回路１０２に対する電源線ＰＬ１と第２の内部回路１０４に対する電源線ＰＬ２とは共通のピン端子３０ａに接続され、第１の内部回路１０２に対する接地線ＳＬ１と第２の内部回路１０４に対する接地線ＳＬ２とは共通のピン端子３０ｂに接続される。第１の内部回路１０２の動作時に電源線ＰＬ１上に発生した電源ノイズは、電源線ＰＬ１に介挿され、ゲートが接地線ＳＬ１に接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ１および電源線ＰＬ１および接地線ＳＬ１の間に設けられたキャパシタＣ１により吸収される。接地線ＳＬ１上に発生した電源ノイズは、接地線ＳＬ１に介挿され、ゲートが電源線ＰＬ１に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１およびキャパシタＣ１により吸収される。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＣＭＯＳ回路やＳＣＣＭＯＳ回路等のパワーゲーティングされた回路におけるモード移行時のパワー消費の低減や、ウェークアップ時間や、パワーゲーティング構成により生じるノイズを低減する。
【解決手段】第１の回路ブロックと第１のスリープトランジスタとの間の第１の仮想グラウンドノードと、第２の回路ブロックと第２のスリープトランジスタとの間の第２の仮想グラウンドノードと、第１の仮想グラウンドノードを第２の仮想グラウンドノードに接続し、第１の回路ブロックによるアクティブモードからスリープモードへの移行、及び第２の回路ブロックによるスリープモードからアクティブモードへの移行、またはその逆の間に第１の回路ブロックと第２の回路ブロックとの間のチャージリサイクリングを可能とするトランスミッションゲート（ＴＧ）またはパストランジスタとを有する回路である。 （もっと読む）

【課題】外部電源電圧を降圧するレギュレータを内蔵することによるチップ面積の増大を抑え且つ降圧電圧の安定化を実現できる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】外部電源電圧（Ｖｅｘｔ）よりも低い内部電源電圧（Ｖｉｎｔ）で動作する内部回路を持つ半導体集積回路において、内部電源電圧を生成するレギュレータ（１５０〜１５７）を、バッファ及び保護素子を配置するための第２の領域（２）に配置することにより、降圧電源回路のオンチップ化による面積オーバヘッドを低減する。降圧電圧を伝達するループ状の電源幹線（Ｌ２０）を用い、電源幹線に外付け安定化容量を接続するための電極パッドを設ける等により、低消費電力を更に促進する。 （もっと読む）

【課題】入力回路ブロックの入力配線と出力回路ブロックの出力配線を短くする。
【解決手段】半導体集積回路装置３０において、入力回路ブロック３２用の外部接続用電極Ｐ２及びＰ３は、入力回路ブロック３２と出力回路ブロック３３との間に複数配置されており、出力回路ブロック３３用の外部接続用電極Ｐ１及びＰ４は、出力回路ブロック３３とリード電極３４及び３５との間に複数配置されており、金属細線Ｗｂ１及びＷｂ２を介して外部接続用電極Ｐ１及びＰ２に接続されるリード電極３４と、金属細線Ｗｂ３及びＷｂ４を介して外部接続用電極Ｐ３及びＰ４に接続されるリード電極３５は、いずれも、入力回路ブロック３２、外部接続用電極Ｐ２及びＰ３、出力回路ブロック３３、外部接続用電極Ｐ１及びＰ４、リード電極３４及び３５の順に配置された方向と平行する方向に複数配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に設けられた貫通穴に、絶縁体を介して２つの導電体を充填してなるキャパシタ構造体を有する電子装置において、２つの導電体間の容量を大きくするのに適した構成を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の表裏両主面１１、１２間を貫通する貫通穴３０には、当該穴の内面側から第１の導電体４０、絶縁体５０、第２の導電体６０が順次充填されてキャパシタ構造体２０が形成されており、キャパシタ構造体２０は、貫通穴３０の内部から半導体基板１０の両主面１１、１２まで連続して形成され、キャパシタ構造体２０の静電容量は、キャパシタ構造体２０のうち貫通穴３０に位置する部位の容量と両主面１１、１２に位置する部位の容量との合計とされている。 （もっと読む）

【課題】実際に稼動している半導体集積回路装置の実動作に影響を与える要因を解析し、更にその要因を低減することが可能な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】測定対象である半導体集積回路１３１と、この半導体集積回路のジッタ又はノイズジッタ、ノイズ等の実動作に影響を与える物理量を測定する測定回路（半導体集積回路装置）１３０とを同一チップ上に構成する。測定回路の測定結果を解析し、測定対象の半導体集積回路を調整する回路にフィードバックさせる。 （もっと読む）

【課題】無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、装置を大型化することなく、アンテナの感度を向上させ、チップをノイズから保護することを課題とする。
【解決手段】コイル状のアンテナと当該コイル状のアンテナに電気的に接続された半導体集積回路とを有する。コイル状のアンテナと重なるように半導体集積回路を配置する。このように、半導体装置内のコイル状のアンテナと半導体集積回路の配置を工夫することで、装置を大型化することなく、アンテナの感度を向上させて、半導体集積回路が動作するために十分な電力を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】大規模な半導体集積回路であってもノイズ耐性評価が短時間で可能なノイズ耐性評価方法を提供する。
【解決手段】回路ネットリストを作成する第１のステップＳ１１と、能動素子を受動素子回路に置き換えて置換回路ネットリストを作成する第２のステップＳ１２と、トランジスタの制御端子に該当する制御ノードを抽出する第３のステップＳ１３と、ノイズ注入ノードを設定する第４のステップＳ１４と、所定周波数のノイズを設定し、互いに異なる制御ノードとノイズ注入ノード間の経路のインピーダンスを計算する第５のステップＳ１５と、制御ノード、ノイズ注入ノードおよび経路の各組み合わせにおけるインピーダンスのリストを作成する第６のステップＳ１６と、インピーダンスの最小値から半導体集積回路のノイズ耐性を判定する第７のステップＳ１７とを有してなるノイズ耐性評価方法１００とする。 （もっと読む）

【課題】ＲＦチップ本来の回路特性を抽出できるようにする。
【解決手段】半導体試験装置より出力された変調信号を増幅して出力する低雑音増幅器より出力される信号が供給されるとともに、低雑音増幅器により増幅された後に直交復調処理された変調信号を半導体試験装置用基板の伝送路に対して出力する増幅器に入力される信号が供給される試験回路をＲＦチップに備える。試験回路は、半導体試験装置より出力する変調信号の波形データが予め記憶され、低雑音増幅器より出力される信号及び増幅器に入力される信号をスペクトラム解析した解析結果と記憶されている変調信号の波形データとの比較によりＲＦチップにおけるチップ内ノイズ及びＲＦチップ本来の回路特性を抽出する。 （もっと読む）

【課題】交流リークが電圧検出回路に流れるのを防ぐことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、アンテナ回路１０２と、共振周波数調整回路１２６と、電圧検出回路と、第１の容量素子と、を有する。共振周波数調整回路１２６は、一方の端子がアンテナ回路１０２の第１の端子と電気的に接続された第２の容量素子と、第１の端子が第２の容量素子の他方の端子と電気的に接続され、第２の端子がアンテナ回路１０２の第２の端子と電気的に接続され、ゲートが第１の容量素子及び電圧検出回路と電気的に接続されたトランジスタと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 制御端子が浮遊状態になると、予期しないリーク電流などにより電極に電荷が蓄積され、電極の電位が変動し、スイッチが誤動作してしまう可能性がある。
【解決手段】 クーロン力により湾曲させることで第１の信号電極と第２の信号電極とを接触または分離することが可能な架橋部と、前記架橋部を制御するための制御端子とを有するスイッチ素子と、前記制御端子に接続された第１の不揮発性半導体素子と、前記制御端子および前記第１の不揮発性半導体素子に接続された第２の不揮発性半導体素子とを備える。 （もっと読む）