【課題】フレキシビリティが高く構造が簡単でコスト低減が可能な光反射用溝付きの発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子と配線基板とを備え、前記配線基板は、有機材料からなる絶縁体に有機材料からなる接着剤で導体又は高熱伝導体を貼り合わせてなるフレキシブルな条材と、前記絶縁体の前記導体又は高熱伝導体の貼合わせ面と反対面に直接形成された光反射用の溝と、前記溝の少なくとも側面を直接覆う光反射膜と、を有し、前記光反射膜で覆われた前記溝の底面に前記発光素子が搭載されてなる。 （もっと読む）

【課題】点灯信号配線等の配線の数を抑制できる発光チップ等を提供する。
【解決手段】発光チップＣａ１（Ｃ）は、基板８０上に列状に配列された発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…、ダイオードスイッチＤｓ１、Ｄｓ２、Ｄｓ３、…を備えている。なお、ダイオードスイッチＤｓ１、Ｄｓ２、Ｄｓ３、…は、それぞれが書込ダイオードＤｗ１、Ｄｗ２、Ｄｗ３、…と、書込抵抗Ｒｗ１、Ｒｗ２、Ｒｗ３、…の同じ番号のペアで構成されている。ダイオードスイッチＤｓは、端子Ｏが「Ｈ」（０Ｖ）である場合において、φＷ（Ｐ）が「Ｌｓ」（−２Ｖ）であると、書込ダイオードＤｗが順バイアスになって、書込抵抗Ｒｗの抵抗値が低い状態になり、φＷ（Ｐ）が「Ｈ」（０Ｖ）であると、書込ダイオードＤｗは順バイアスにならす、書込抵抗Ｒｗは抵抗値が高い状態になる。 （もっと読む）

【課題】低コストで大量生産が可能であり、半導体発光素子と同程度に小型化することも可能な光半導体装置を提供する。
【解決手段】基板の上にエピタキシャル成長された後に前記基板から分離された半導体積層体を含む発光層２と、前記発光層の第２主面上に形成された第１及び第２電極７と、第１主面上に設けられた透光層５と、前記透光層の上に設けられた蛍光層４と、前記第１及び第２電極上に設けられた第１及び第２金属ポスト８と、前記第２主面上に設けられ、前記発光層から放出される光に対して遮光性の材料により形成され、前記第１及び第２金属ポストを封止するとともに、前記発光層の側面を覆う封止層１０と、を備え、前記透光層の側面は、前記蛍光層及び前記封止層に覆われていない部分を有し、前記発光層から放出された光の一部は前記蛍光層において波長変換され外部に放出可能とされ、他の一部は前記透光層の前記側面から外部に放出可能とされる。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の凹部の径、深さが均一であり、凹部が均一に分散した発光素子を簡便に製造することができる発光素子の製造方法、及びこの凹凸構造が光取り出し部に有することにより、光取り出し効率を維持しつつ、均一に発光する発光素子の提供。
【解決手段】発光素子の光取り出し部となる表面上に、有機溶媒に疎水性ポリマーを溶解したポリマー溶液を塗布しポリマー溶液塗布膜を形成するポリマー溶液塗布膜形成工程と、前記発光素子を相対湿度が５０％〜９９％の水滴形成雰囲気中に置き、ポリマー溶液塗布膜の表面に水滴を形成させる水滴形成工程と、前記有機溶媒及び前記水滴を蒸発させ、前記ポリマー溶液塗布膜に複数の凹部を形成し凹部形成膜を形成させる凹部形成工程と、前記凹部形成膜をマスクとして前記光取り出し部のエッチングを行うエッチング工程と、を含む発光素子の製造方法及びこれによって複数の凹部が形成された発光素子である。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第１のクラッド層と第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板とを備え、前記第１及び第２のクラッド層を組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い特性を維持するとともに、コストを低減できるＡｌＧａＡｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する
【解決手段】本発明のＡｌＧａＡｓ基板１０は、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）と、裏面１１ｂに形成されたＧａＡｓ基板１３とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。ＧａＡｓ基板１３は、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上２×１０¹⁸ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０¹⁸ｃｍ^-3以上３×１０¹⁹ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模を削減する。
【解決手段】クロック駆動回路７０内のオープンドレーン形インバータ８０とスリーステート形出力バッファ９０とにより、走査回路部１００を駆動するための２相の第１及び第２クロックを生成している。発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。一方、抵抗１３０を介して供給される第２クロックによりシフト動作を開始する走査回路部１００における各走査サイリスタ１１０のゲートと、発光サイリスタ２１０の各ゲートとがそれぞれ接続されているため、走査サイリスタ１１０のゲート・カソード間にも電圧が印加される。この時、走査回路部１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。 （もっと読む）

【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｃは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２０とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａの不純物濃度は、裏面１１ｂの不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】耐熱性が改善され、高出力化が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】第１のリードと、一方の端部が前記第１のリードの一方の端部と対向した第２のリードと、発光素子と、透明樹脂からなる成型体と、を備えた発光装置が提供される。前記第１のリードは、主面および前記主面に設けられた凹部を有するダイパッド部と、前記主面の上方に折り曲げられた屈曲部と、を有する。前記発光素子は、前記凹部の底面に接着される。前記成型体は、前記発光素子と、前記屈曲部と、前記ダイパッド部と、前記第２のリードの前記一方の端部と、を覆い、前記第１のリードの他方の端部および前記第２のリードの他方の端部をそれぞれ突出させる。前記成型体の重心の位置は、前記凹部の前記底面とは反対側となる前記ダイパッド部の下面と前記屈曲部の上端を含む面との間、かつ上方からみて前記発光素子の領域内とされる。 （もっと読む）

【課題】発光素子のダイ（Ｄｉｅ）とワイヤーボンディング工程などを容易にすること。
【解決手段】本発明は、第１支持部材と、前記第１支持部材上に複数個の接合層と、前記それぞれの接合層上に第２支持部材と、前記第２支持部材上に、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上の第１電極と、を含む発光素子アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧の増大を抑制しつつ、チップ表面からの光出力を高めることが容易な発光素子を提供する。
【解決手段】発光層と、前記発光層の上に設けられた第１導電型層と、前記第１導電型層の上に設けられた第１電極と、前記発光層の下に設けられ、厚さt１（μｍ）を有する第２導電型層と、前記発光層とは反対の側の前記第２導電型層の面の一部の領域に接触して設けられ、外縁が前記第１電極の外縁から長さｘ１（μｍ）だけはみ出した電流ブロック層と、前記第２導電型層とは反対の側の前記電流ブロック層の面と、前記第２導電型層の前記面の前記電流ブロック層とは接触していない領域に接触し、前記発光層からの放出光を反射可能な第２電極と、を備え、前記第１導電型層、前記発光層、及び前記第２導電型層、の厚さの和をt２（μｍ）とした時、下記式


を満たすことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、三次元ナノ構造体アレイ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の三次元ナノ構造体アレイは、基板及び複数のナノ構造体を含む。前記ナノ構造体は、前記基板の少なくとも一つの表面に形成された梯形三次元ナノ構造体である。 （もっと読む）

【課題】金合金電極と層間絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】化合物半導体素子は、ゲート半導体層１０と、カソード半導体層１２と、カソード半導体層１２上に形成されたＡｕ合金カソード電極１４と、ゲート半導体層１０上に形成されたＡｕ合金ゲート電極１６と、層間絶縁膜１８と、カソード電極１４及びゲート電極１６上のＡｌ配線２０と、保護膜２２を備える。カソード電極１４及びゲート電極１６と層間絶縁膜１８との界面に、酸化アニール処理により形成され、下地層の構成元素を主成分とする酸化膜１５，１７を備える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧として一般的な例えば３．３Ｖの駆動用のＣＭＯＳバッファで動作可能とし、更に、クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模を削減する。
【解決手段】前段の４端子走査サイリスタ１１０（例えば、１１０−１）における第２ゲートＧＰ２は、抵抗１２０を介して後段の４端子走査サイリスタ１１０（例えば、１１０−２）における第１ゲートＧＰ１にそれぞれ接続されているので、クロック駆動回路７０から供給される２相の第１及び第２クロックの基でも、走査回路部１００の走査方向を定めることができる。データ駆動回路６０により、３端子発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。走査回路部１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。 （もっと読む）

【課題】破壊耐性が高く、波長スペクトルの形状を制御することができ、高出力を得ることが可能となるスーパールミネッセントダイオードを提供する。
【解決手段】光導波路を構成する活性層を備え、該光導波路を伝播しながら増幅された自然放出光を、該光導波路の出射側より出力するスーパールミネッセントダイオードであって、
前記光導波路に外部からレーザ光を照射し、前記活性層を励起状態にするためのレーザ光照射手段と、
前記光導波路を伝播する自然放出光の形状を変化させるために構成された、それぞれが異なる波長の光を発光する複数のＬＥＤと、
前記光導波路の出射端面と反対方向の光導波路の端部側の領域に形成された戻り光を減衰するための光吸収領域と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 複数色を適切に混色させて出射可能であり、かつ小型化を図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】 ＬＥＤチップ２１，２２，２３と、ＬＥＤチップ２１，２２，２３が搭載されるボンディング部３１ａ，３２ａ，３３ａ、および面実装するための実装端子面３１ｄ，３２ｄ，３３ｄを有するリード３１，３２，３３と、リード３１，３２，３３の一部ずつを覆うケース１０と、を備えており、ＬＥＤチップ２１，２２，２３から発せられた光が、実装端子面３１ｄ，３２ｄ，３３ｄが広がる方向に沿って出射されるＬＥＤモジュールＡであって、互いに離間配置されたＬＥＤチップ２１，２２と、ＬＥＤチップ２１，２２が離間する方向において、ＬＥＤチップ２１，２２の間に位置しており、かつ、ＬＥＤチップ２１，２２を結ぶ直線から離間した位置にあるＬＥＤチップ２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチ機能を含む発光素子及び発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】発光素子１００は、第１電極１６０と、該第１電極上に発光構造物１４５と、該発光構造物上に第２電極１７０と、及び発光構造物を制御するために発光構造物上に制御スイッチ１２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率であって耐湿性に優れた発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層とバリア層との積層構造を有する活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_ＹＩｎ_１−ＹＰ；０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上できるとともに、赤色発光ＬＥＤ素子の温度特性に着目し、この赤色発光ＬＥＤ素子の温度による発光色の変化の影響を軽減することができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、照明装置に取り付けられ、放射される光の相関色温度が２４００Ｋ〜３６００Ｋの発光装置１であって、基板２、この基板２に実装された青色発光ＬＥＤ素子３及び赤色発光ＬＥＤ素子４、波長変換手段６を備える。赤色発光ＬＥＤ素子４は、照明装置への取付状態での通常使用温度において、青色発光ＬＥＤ素子３の光度に対し、０．２倍以上２．５倍以下の光度を有する。波長変換手段６は、青色発光ＬＥＤ素子３から出射される光に励起されて、その光を５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長にピークを有する光に変換する。 （もっと読む）