【課題】サイリスタを確実にオフ状態に維持できるのに十分な電位を印加することができ、かつ、そのような電位の印加が長時間続かないようにすることで、サイリスタの劣化を防ぐ。
【解決手段】複数のゲート駆動部（４０１、４０２）の各々は、対応する組に属する複数のサイリスタのゲートを駆動する期間（Ｓ１Ｎ＝Ｌｏｗ）には第１の電位（２Ｖ）を出力し、対応する組に属する複数のサイリスタのゲートを駆動しない期間（Ｓ１Ｎ＝Ｈｉｇｈ）のうち、アノード駆動の立ち上がり部分には、第１の電位よりも高い第２の電位（５Ｖ）を出力し、対応する組に属する複数のサイリスタのゲートを駆動しない期間（Ｓ１Ｎ＝Ｈｉｇｈ）のうち、アノード駆動の立ち上がり部分以外の期間には、第２の電位よりも低い第３の電位（３Ｖ）を出力する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性の悪化を経ずに、反射率に優れる発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に基板と、上記基板の上に第１屈折率を有する第１誘電体層と、上記第１誘電体層の上に上記第１屈折率と異なる第２屈折率を有する第２誘電体層を含んで形成された複数の誘電体層を含む第１反射層と、上記第１反射層の上に上記第１反射層を構成する複数の誘電体層の各屈折率より屈折率の小さい第２反射層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光サイリスタを駆動するための駆動回路の発振を防止する。
【解決手段】オン／オフ指令信号ＤＲＶＯＮ−ＰがＨレベルの場合、ＰＭＯＳ４３及びＮＭＯＳ４４からなるＣＭＯＳインバータ４２の出力側のデータ端子ＤＡがＬレベルとなる。この結果、プリントヘッド１３側の共通端子ＩＮも０Ｖとなり、各発光サイリスタ２１０のアノード・カソード間に電源電圧ＶＤＤが印加される。この際、発光サイリスタ２１０−１〜２１０−ｎの内、発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを、シフトレジスタ１１０によって選択的にＨレベルとすることで、発光指令されているサイリスタ２１０がターンオンする。ＮＭＯＳ４４のチャネル形成予定領域に、サブストレート領域と同極性の不純物が注入されているので、ＮＭＯＳ４４の閾値電圧が増加し、駆動回路４１の発振を防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。
【解決手段】複数の半導体薄膜（２０）が基板（１１）上にあるときに、複数の半導体薄膜（２０）を互いに連結して支持するための、感光性のシート状部分（１０１）を有する連結支持体（１００）を設ける。連結支持体（１００）のシート状部分（１０１）を半導体薄膜（２０）の上に設けた後、シート状部分（１０１）に貫通孔（１０３）を形成する。貫通孔（１０３）が、エッチング液を少なくとも基板（１１）の面に垂直な方向に通過させる。これにより、複数の半導体薄膜（２０）を基板（１１）から剥離する。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率であって耐湿性に優れる６６０〜７２０ｎｍ帯発光に適した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０．２０≦Ｘ１≦０．３６）からなる井戸層と、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０＜Ｘ２≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第１のクラッド層と第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板とを備え、前記第１及び第２のクラッド層を組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるものとし、前記井戸層の厚さを３〜３０ｎｍとし、発光波長を６６０〜７２０ｎｍに設定されてなることを特徴とする発光ダイオードことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）Ａｓ（０≦Ｘ３≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して前記活性層を挟む第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第１及び第２のクラッド層が組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効果的な演色指数を得ることができる発光素子パッケージ及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子パッケージは、サブマウントと、上記サブマウントの上の発光素子チップと、上記発光素子チップとの間に空間を含むようにして上記サブマウントの上に形成された波長フィルタと、上記波長フィルタの上の蛍光体層と、を含み、上記空間は、空気（air）、アルゴンガス（Ar gas）、窒素ガス（N₂ gas）、真空のうち、少なくとも１つによって満たされる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めると共に薄型化が容易な発光素子および量産性が改善可能なその製造方法、並びに発光装置を提供する。
【解決手段】発光層を有する半導体積層体と、上面側に前記半導体積層体が設けられ、側面に平均高さおよび平均ピッチが均一に分布した凹凸を有する透光性基板と、を備えたことを特徴とする発光素子およびその製造方法、並びに発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】高輝度発光ダイオードの製造工程で実施される熱処理による輝度特性の低下を抑制可能な発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光層１０を含むｐｎ接合構造の発光部７を有する化合物半導体層２と、基板３とが接合され、化合物半導体層２の光取り出し面２ａ側に設けられた第１の電極４と、光取り出し面２ａと反対側の面に設けられた透明導電膜からなる第２の電極５とを備え、化合物半導体層２と透明導電膜との間に半導体コンタクト層６が設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を選択する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ２０ｂは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）１０と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２１とを備え、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高く、かつ裏面１１ｂ側から主表面１１ａ側に向けてキャリア濃度が変化している。 （もっと読む）

【課題】出力を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ２０ｂは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）１０と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２１と、エピタキシャル層２１上に形成された透明導電膜２６とを備え、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高い。 （もっと読む）

【課題】 光デバイスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と、前記基板の一部を露出する、少なくとも１のアスペクト比をそれぞれ有する２つ以上の開口を含む誘電材料と、前記基板と格子不整合の化合物半導体材料を含み、前記化合物半導体材料が２つ以上の開口を占有し、前記２つ以上の開口の上に接合され、下ダイオード領域を形成する下ダイオード材料と、上ダイオード材料と、前記上及び下ダイオード材料の間に設けられた活性ダイオード領域を有する光デバイス。 （もっと読む）

【課題】 光閉じ込め係数を大きくして効率的にモード利得を増大させる。
【解決手段】 光共振器３の厚さ方向の両端側には下部反射層４および上部反射層５をそれぞれ設けると共に、光共振器３の厚さ方向の中央部には主活性層６を設ける。また、光共振器３には、下部反射層４の近傍に第１の副活性層７を設けると共に、上部反射層５の近傍に第２の副活性層８を設ける。これにより、下部反射層４と上部反射層５との間の光学長Ｌoを延長することなく、第１の副活性層７および第２の副活性層８を光の振幅が大きい定在波の腹の位置に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】 光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、大電流印加時の発光効率を維持させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および上側電極部を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間電極部を互いの中間電極部間の間隔が５０μｍ以上１００μｍ以下の均等に分散した島状または等間隔の縞状、格子状かつ上面から見た中間電極部の第２導電型半導体層に対する面積率が３〜９％となるように配置することにより、大電流での使用時でも発光効率の高い半導体発光素子を提供することができる。
（もっと読む）

【課題】発光素子から発生した光が外部に出射されながら損失されることを最小化できる発光装置及びその製造方法、そして照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明に従う発光装置は、胴体と、上記胴体の上に発光素子と、上記胴体の上に上記発光素子と電気的に連結される導電部材と、上記発光素子を囲む樹脂物と、上記樹脂物の上に上記樹脂物より小さな屈折率を有する無機酸化物層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を小さくし、他画素への光漏れを防止し、更に、ＬＥＤで発光した光の取り出し効率を向上する。
【解決手段】発光素子アレイは、複数のアノード配線３５と、複数のカソード配線３７と、薄膜半導体からなる複数のＬＥＤ３１とを有している。複数のＬＥＤ３１は、アノード配線３５とカソード配線３７とによりそれぞれ囲まれて複数配置された素子搭載領域３２ａ内にそれぞれ配置されている。アノード配線３５には、アノード側傾斜面３５ｓが形成されている。このアノード側傾斜面３５ｓは、ＬＥＤ３１の近傍から遠ざかる方向へ立ち上がり、ＬＥＤ３１から放射された光をＬＥＤ３１の上面方向へ反射する。更に、カソード配線３７には、カソード側傾斜面３７ｓが形成されている。このカソード側傾斜面３７ｓは、ＬＥＤ３１の近傍から遠ざかる方向へ立ち上がり、ＬＥＤ３１から放射された光をＬＥＤ３１の上面方向へ反射する。 （もっと読む）

【課題】剥離面がナノオーダーの平坦性を持つ化合物半導体エピタキシャルフィルムを得る条件を備えた半導体ウェハ及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１００は、半導体基板（例えば、ＧａＡｓ基板１０１及びバッファ層１０２）と、この上に形成された剥離層１０３と、この上に形成された化合物半導体エピタキシャル層１０４とを有し、剥離層１０３の厚さを２０ｎｍ以上２００ｎｍ未満にしたものである。また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、化合物半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、化合物半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた化合物半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体結晶内部からの光取り出し効率を向上させることにより、光出力を高めた半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光層２と、Ｇａ_{（１−ｘ）}Ａｌ_ｘＡｓ層（０≦ｘ＜０．８）を含み発光層から放出された光を外部に取り出す表面層８と、を有する半導体積層体を、０℃未満の液温に保持した硝酸水溶液に浸漬して表面層の表面を粗面化することを特徴とする半導体発光装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳトランジスタの搭載を不要とし、光プリントヘッドの小型化、低コスト化を図る発光素子アレイ、駆動装置、画像形成装置を提供する。
【解決手段】本発明の光プリントヘッドは、第１端子と、第２端子と、前記第１端子と前記第２端子との間の導通を制御するための制御端子とを各々有し、前記第１端子と前記第２端子との間に電流が流れることにより発光する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の各々に対応して設けられ、前記発光素子の前記第１端子と前記第２端子との間に電流を流すことにより発光させる駆動回路と、前記複数の発光素子の各々に対応して設けられ、前記発光素子の前記制御端子と一端が接続され、双方向に電圧降下を発生させる双方向電圧降下発生回路と、複数の前記双方向電圧降下発生回路の他端を共通に接続する共通母線と、前記共通母線に対して、前記発光素子の制御端子に与える制御信号を出力するバッファ回路とを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】光利用効率の高い、高光出力の面型発光素子を提供する。
【解決手段】面型発光素子は、半導体基板１０上に設けられた、半導体基板１０の面と交差する方向に光が放出される発光部１１と、半導体基板１０の面と対向する出射面側に設けられた、外部に光を出射するための開口部１３ａを備える遮蔽部１３と、発光部１１と遮蔽部１３の間に設けられた、入射した光が蓄積される光蓄積層１２と、を有する。光蓄積層１２は、凹部または凸部が発光部１０から放出された光の進行方向と交差する方向に周期的に設けられた周期構造を備え、該周期構造の表面の少なくとも一部の領域に、光子を捕獲する微小凹凸が形成されている。 （もっと読む）