【課題】電圧を印加することにより均一に電流を流すことができ、均一で大きな発光出力を得ることができる発光素子を提供することができるエピタキシャル基板を提供する。また、当該エピタキシャル基板を用いた発光素子、発光素子を備える発光装置、および上記エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子２００は、透明支持基板１と、透明支持基板１の一方の主表面上に配置された接着層２と、接着層２の、透明支持基板１と対向する主表面と反対側の主表面上に配置された透明導電層３と、透明導電層３の、接着層２と対向する主表面と反対側の主表面上に配置されたエピタキシャル層４とを備える。透明導電層３の、接着層２と対向する第１の主表面と反対側の第２の主表面の一部が露出されている。発光素子２００は、露出された第２の主表面上および、エピタキシャル層４の透明導電層３と対向する主表面と反対側の主表面上に形成された電極９、１０をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ショートする可能性を低減させ、かつ、大型化を回避することができる半導体複合装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置１Ａは、基板１０上に、第１端子、第２端子、その第１端子と第２端子との間の通電を制御する第３端子を各々有する３端子発光素子２２を、略直線状に複数配列してなる３端子発光素子アレイ２０と、３端子発光素子２２に接続する引出し配線部５０と、を備えてなり、３端子発光素子アレイ２０は、隣り合って配置される少なくとも２つ以上の３端子発光素子２２の間に配置されて、当該３端子発光素子２２の第２端子同士、または、第３端子同士の何れか一方を共通に接続する共通層２３を有し、引出し配線部５０は、３端子発光素子２２または共通層２３から、３端子発光素子２２の配列方向に対して略直交方向に延伸するように引き出されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面層に位置するｐクラッド層がマスクパターンに準じてウェットエッチングされることで、良好なボンディング性を確保しつつ、光取り出し効率を低下させることを防止することができる発光装置の製造方法および発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、基板２上に、ｎクラッド層３、活性層４、第１ｐクラッド層５を積層し、第１ｐクラッド層５より酸化性が低く、かつ導電性が低い第２ｐクラッド層６を積層する。次に、第２ｐクラッド層６の表面に粗面Ｒを形成する。第２ｐクラッド層６の中央部を、ｐ電極８の輪郭に合わせたマスクパターンによるウェットエッチングで除去して、第１ｐクラッド層５を露出させる。最後に、第１ｐクラッド層５の露出した部分に、ｐ電極８を形成する。粗面Ｒが第２ｐクラッド層６の表面に形成されているので、エッチングの際の進行度合いをほぼ同じとすることができ、マスクパターンに忠実なエッチングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増加させずに製造できる高出力の発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１は、半導体基板１０と、第１クラッド層２２０と、第２クラッド層２２４とに挟まれる活性層２２２を有する発光部２０と、半導体基板１０と発光部２０との間に設けられ、活性層２２２が発する光を反射する反射部２１０と、表面に凹凸部２５０を有する電流分散層２４０とを備え、反射部２１０は、第１の半導体層と第２の半導体層とからなるペア層を複数有して形成される。 （もっと読む）

【課題】量子ドットから構成される所望とする状態の人工分子が形成できるようにする。
【解決手段】第１半導体からなる各々離間して配置された複数の量子ドット１０１と、これら量子ドット１０１の間に配置された第２半導体からなる半導体層１０２とを少なくとも備える。また、第１半導体と第２半導体とはエネルギーギャップ（バンドギャップエネルギー）が異なり、各々の量子ドット１０１の間隔Ｌｂは、第１半導体中の励起子のボーア半径の０．５倍〜５倍の範囲とされている。また、よりよくは、この間隔が、第１半導体中の励起子のボーア半径の１倍〜５倍の範囲とされている。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス間の使用時における発光光量のばらつきを低減して、発光デバイス自体の歩留まり、品質を向上させる共に、発光デバイスを用いた各製品の歩留まり、品質を向上させる。
【解決手段】発光デバイス１０は、ＧａＡｓ基板１２上に、反射層１４が積層され、該反射層１４上に発光層１６が積層され、該発光層１６上に表面層１８が積層されて構成されている。表面層１８は、低屈折率膜１８ａと、該低屈折率膜１８ａよりも高い屈折率を有する膜（高屈折率膜１８ｂ）とが交互に積層されて構成されている。この場合、低屈折率膜１８ａと、高屈折率膜１８ｂとが１層ずつ交互に積層されて構成されていてもよい。表面層１８の最上層の膜が低屈折率膜１８ａであってもよい。発光層１６に隣接する膜が、高屈折率膜１８ｂであってもよい。 （もっと読む）

【課題】 発光素子が実装されている基板上の複雑な三次元形状に対応したガラス封止部を、周辺の部材へ与えるダメージが少ない状態で、簡易に量産性良く形成する。
【解決手段】一対の電極を有する発光素子１２と、発光素子が搭載される基板１１と、基板に設けられ、発光素子の電極に電気的に接続される基板電極と、発光素子を封止したガラス封止部１６ａと、を有する発光装置３０であって、ガラス封止部は、基板上で発光素子の周辺部に供給された粉体ガラスあるいはそれと他の材料との混合物からなる封止材料が融着されてなる。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内においてＬＥＤチップからの発光のロスを低減すると共に、パッケージからの光取り出し効率を向上することが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】化合物半導体層２と透明基板４とが、接続層３を介して接合されており、化合物半導体層２の底面と接続層３の上面との間には、第１の反射面３ａが設けられ、接続層３の底面と透明基板４の上面との間には、第２の反射面３ｂが設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

発光ダイオードは、第１および第２の対向する面を有し、ｎ型層、ｐ型層、およびｐ−ｎ接合部を含むダイオード領域と、ｐ型層にオーム接触して、カソード層がｎ型層にオーム接触して第１面上に延在するアノード接触と、ｎ型層にオーム接触して第１面上に延在するカソード接触とを含む。アノード接触および／またはカソード接触はさらに、第１面から生じる実質的に全ての光を第１面に向けて反射するよう構成された反射構造を第１面上に含む。関連する製造方法も記載されている。 （もっと読む）

【課題】活性層における光吸収を低減しつつ、光取り出し効率を改善可能な発光素子を提供する。
【解決手段】井戸層及び障壁層を有する多重量子井戸を含み、非発光領域と前記非発光領域の周囲に形成される発光領域とを有する活性層と、前記活性層の第１の主面の上に設けられた第１のクラッド層と、前記第１の主面に対して垂直な方向からみて中心が前記非発光領域の中心近傍となるように、前記第１のクラッド層の上に設けられたパッド電極と、前記第１の主面とは反対側の前記活性層の第２の主面の下に設けられた第２のクラッド層と、を備え、前記非発光領域における前記井戸層のバンドギャップは、前記発光領域における前記井戸層のバンドギャップよりも広く、かつ前記第１のクラッド層のバンドギャップよりも狭いことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

ある半導体基板上で成長したＩＩ−ＶＩ半導体素子の異常動作を認め、その異常動作は、インジウム原子が、成長中に、基板からＩＩ−ＶＩ層に移動した結果である可能性が高いと判断した。インジウムは、このようにして、基板上で成長したＩＩ−ＶＩ層、特に、成長基板に近接する層の１つ以上において、意図せぬドーパントとなり得、素子の性能に悪影響を及ぼし得る。良好な素子性能を維持するように、成長層において、短距離内で移動するインジウムを空乏させるか、又はインジウムが基板の外に移動することを実質的に防ぐか、又はそうでなければ、機能的ＩＩ−ＶＩ層を移動するインジウムから実質的に分離するために有効である、多様な半導体構造及び技術について説明する。
（もっと読む）

【課題】光の取り出し効率が改善され、かつ薄型パッケージ化の容易な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置されたエピタキシャル成長層８と、エピタキシャル成長層８上に配置された表面電極層２０と、基板１０の裏面に配置された裏面電極層２２と、基板１０の側面４２ａに沿って形成され、基板１０、エピタキシャル成長層８からなる第１側壁面および表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第１絶縁層２４ａと、第１絶縁層２４ａ上および表面電極層２０上の一部に配置された第１電極層２６ａとを備える半導体発光素子１およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】不要な波長の光の放射を抑制できる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、活性層２２０が上方に設けられた半導体基板１０と、半導体基板１０と活性層２２０との間に設けられ、活性層２２０が発する光を反射する第１反射層２６０と、半導体基板１０と第１反射層２６０との間に設けられ、第１反射層２６０が反射する光とは異なる波長の光を反射する第２反射層２６２とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板から平坦な剥離面を備えた高品質の回路・素子形成領域を得るための半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、半導体複合装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１０１の表面に、回路・素子形成領域１０２ａを含む分離島１１０を形成する第１の工程と、回路・素子形成領域の表面と分離島の側面の少なくとも一部とを被覆する被覆層２１０を形成する第２の工程とをさらに備え、被覆層が形成されたＳｉ（１１１）基板を（１１１）面に沿ってエッチングして、分離島の全部又は一部を剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い透過特性を維持し、かつデバイスを作製したときに高い特性を有するデバイスとなる、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ（０≦ｘ≦１）基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａは、主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１を備えたＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａであって、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高いことを特徴としている。またＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａは、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の裏面１１ｂに接するＧａＡｓ基板１３をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の放熱性及び加工性に優れるとともに、製造工程において半導体層にクラック等の損傷が生じるのを防止でき、高電流の印加が可能で高い発光効率を有し、歩留まりに優れる発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】ヒートシンク基板（基板）１上に少なくとも発光層７を含む化合物半導体層１１が積層され、該化合物半導体層１１の上面側が発光面とされたチップ構造を有する発光ダイオードＡであり、ヒートシンク基板１は、基材部２と、該基材部２に囲まれた埋設部３とからなり、基材部２が、埋設部３よりも熱膨張係数が小さな材料からなる。 （もっと読む）

【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１０００は、第１領域１００ａと、第２領域１００ｂと、に区画された基板１００と、第１領域１００ａの基板１００の上方に設けられた第１クラッド層１０４と、第１クラッド層１０４の上方に設けられ、少なくとも１つの側面に出射面を有する活性層１０６と、活性層１０６の上方に設けられた第２クラッド層１０８と、第２領域１００ｂの基板１００の上方であって、出射面から出射される光の光路上に配置された光分離部１３０と、を含み、出射面から出射される光１０は、光分離部１３０によって、光分離部１３０で反射される反射光１２と、光分離部１３０を透過する透過光１４とに分離される。 （もっと読む）

【課題】高い透過特性を維持し、かつデバイスを作製したときに高い特性を有するデバイスとなる、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ（０≦ｘ≦１）基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａは、主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１を備えたＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａであって、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高いことを特徴としている。またＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａは、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の裏面１１ｂに接するＧａＡｓ基板１３をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】 交流駆動型発光装置を提供する。
【解決手段】 交流駆動型発光装置において、リードフレームと、少なくとも一つの主要な発光ダイオードチップと、少なくとも一つの補償回路とを含む。該主要な発光ダイオードチップは少なくとも両組の発光グループを有し、交流電源の正負波により駆動される時、順次に発光される。該補償回路は、もう一組のブリッジ接続手段の発光ダイオードチップから構成されるものであり、該発光装置の主要な発光ダイオードチップの稼働電圧と演色性に基づいて、分離式配置を採用することにより、電圧補償と演色効果の高めることを達成し、発光効率を向上する効果も達成できる。 （もっと読む）