【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】紫外線又は短波長可視光で励起され発光する蛍光体を用いた発光モジュールにおいて、光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】紫外線又は短波長可視光を発する発光素子14を封止するモールド部材30を、紫外線又は短波長可視光によって励起されて種々色の可視光をそれぞれ発光する蛍光体25a等を混入した高拡散層30と、該高拡散層30よりも光の拡散程度が低い低拡散層40に分離して、発光モジュール10を形成した。
係る発光モジュール10では、モールド部材30内に分散した一部の蛍光体25a等が光拡散粒子として振舞って、蛍光体光が蛍光体25aで反射されてモールド部材内で散乱することや、モールド部材30と大気50との屈折率の差が大きいために境界で全反射が生じることが原因で、モールド部材30の外へ出射されることなく損失光となっていた光を、モールド部材の外へ効率良く取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】発光強度の温度安定性が高い青色発光蛍光体を蛍光体を提供する。
【解決手段】Ｅｕで付活された（Ｓｒ，Ｃａ）₃ＭｇＳｉ₂Ｏ₈の基本組成式を有し、メルウィナイト結晶構造を持つ青色発光蛍光体であって、ＳｒとＣａのモル比が、１：０．１０〜１：０．３０の範囲にあることを特徴とする青色発光蛍光体。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第１の電極片と、第１の電極片に電気的に接続された第２の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第３の電極片と、第３の電極片に電気的に接続され且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含む。第１の電極片と第３の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第２の電極片と第４の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の向上を図りつつ、製造安定性が確保できる発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層が半導体層として積層された光透過性のＧａＮによるによる単結晶基板を分割して個片化したものである。この発光素子１０の単結晶基板を分割した個片基板である光透過性基板１１は、天面がｍ面（１−１００）面であれば、一方の側面Ｓ１とこの一方の側面Ｓ１と反対側の側面Ｓ２とがｍ面（１−１００）面であり、一方の側面Ｓ１と隣接する他方の側面Ｓ３とこの他方の側面Ｓ４と反対側の側面とが半極性面（１−１０１）面である。また、天面がｃ面（０００１）面であれば、一方の側面Ｓ１とこの一方の側面Ｓ１と反対側の側面Ｓ２とが半極性面（１−１０１）面であり、一方の側面Ｓ１と隣接する他方の側面Ｓ３とこの他方の側面Ｓ３と反対側の側面Ｓ４とが半極性面（１１−２１）面である。 （もっと読む）

【課題】発光モジュールの個数の低減を図れ、且つ、低コスト化が可能な照明器具を提供する。
【解決手段】器具本体１０１と、器具本体１０１に保持された光源１０２とを備えている。光源１０２は、複数個の発光装置３０が配列された長尺状の発光モジュール１を、光源１０２の所望の形状に合わせて変形させることにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】透明材料に蛍光体を封止した光波長変換部材による光の取り出し効率を高める。
【解決手段】光波長変換部材１６において、透光部材３０は、黄色蛍光体３２および青色蛍光体３４を内包する。黄色蛍光体３２は、３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長の近紫外線・短波長可視光により励起され黄色光を発する。青色蛍光体３４は、３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長の近紫外線・短波長可視光により励起され青色光を発する。黄色蛍光体３２および青色蛍光体３４の各々と透光部材３０との屈折率差は、０．２以下である。 （もっと読む）

【課題】 輝度向上を図ることが可能である液晶表示装置バックライト用ＬＥＤ光源装置およびこれを用いた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 複数のＬＥＤチップ２を備える液晶表示装置バックライト用のＬＥＤ光源装置Ａ１であって、基板１と、１基板の主面１１を覆う金属膜３と、を備えており、複数のＬＥＤチップ２は、金属膜３に実装されている。 （もっと読む）

【課題】新しい構造を有する発光素子パッケージ及びこれを利用したライトユニットを提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子パッケージは、キャビティを有する胴体と、該胴体に配置された第１リード電極及び第２リード電極と、前記キャビティ内に配置されて、前記第１リード電極及び第２リード電極のうちの少なくとも１つと電気的に連結されて、４１０-４６０nm範囲の第１ピーク波長を発光する発光素子と、前記発光素子上に第１蛍光体を有する第１樹脂層を含んで、前記第１樹脂層の第１蛍光体は前記第１ピーク波長の一部光を励起させて４６１-４８０nm範囲の第２主ピーク波長の光を発光して、前記第１主ピーク波長と前記第２ピーク波長は等しいカラーの光を含む。 （もっと読む）

【課題】光損失を低減することができ、光取出効率を高めることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、回路パターン２０，２１を素子搭載面２ａに有する素子搭載基板２と、素子搭載基板２の素子搭載側に搭載され、かつ回路パターン２０，２１に接続されたＬＥＤ素子３と、ＬＥＤ素子３を封止して素子搭載面２ａに接合された封止部材４と、封止部材４内で素子搭載基板２の素子搭載側を覆うコーティング層５とを備え、コーティング層５は、その屈折率が封止部材４の屈折率よりも低い屈折率に設定されている。 （もっと読む）

【課題】高温ＮＨ₃雰囲気下においても耐久性が高い透明かつ導電性の中間膜を有し、半導体デバイスの製造に好適に用いられる複合基板およびその製造方法、ならびにかかる複合基板を用いた半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板１は、多結晶ＩＩＩ族窒化物支持基板１０と、多結晶ＩＩＩ族窒化物支持基板１０上に配置された中間ＧａＮ系膜３０と、中間ＧａＮ系膜３０上に配置された単結晶ＧａＮ系層２１と、を含む。本半導体デバイス２は、複合基板１と、複合基板１の単結晶ＧａＮ系層２１上に配置された少なくとも１層のＧａＮ系半導体層４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】蛍光体含有樹脂をコンプレッション成形する場合において、樹脂材料内部における蛍光体粒子の密度分布の偏りを解消することにより、製品間における発光色のばらつきや発光面内における発光色のむら（色温度差）を防止することができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の素子搭載面に複数の発光素子２０を搭載する。基板上における複数の発光素子の配列に対応して配列された複数のキャビティを基準面に有する金型に蛍光体粒子を含む蛍光体含有樹脂３０を供給する。発光素子の各々がキャビティの各々に収容され且つ素子搭載面と基準面とが蛍光体含有樹脂を間に挟んで密着するように金型を基板に押し付けて蛍光体含有樹脂を圧縮成形する。基板は、素子搭載面上であって蛍光体含有樹脂の供給領域に対応する領域の外側に複数の発光素子の配列方向に沿って伸長する突起部１２を有する。 （もっと読む）

【課題】胴体の互いに異なる領域の配置されたキャビティの底にフリップボンディングされて配置された発光素子を含む発光素子パッケージ及びこれを具備した照明システムを提供すること。
【解決手段】
一実施例による発光素子パッケージは、胴体と、胴体の第１領域の第１キャビティと、胴体の第２領域の第２キャビティと、第１キャビティに互いに離隔された第１及び第２リードフレームと、第２キャビティに互いに離隔された第２及び第３リードフレームと、第１キャビティ内で第１及び第２リードフレーム上に配置された第１発光素子と、第２キャビティ内で第２及び第３リードフレーム上に配置された第２発光素子と、第１キャビティ及び第２キャビティに配置されたモールディング部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装に適した互いに段差の無い第１の接続電極および第２の接続電極を備えた光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、第１の導電型の半導体からなる第１の半導体層１２と、第２の導電型の半導体からなり、第１の半導体層の上面の一部に形成された第２の半導体層１３と、第１の半導体層１２の上面における他の一部に形成された第１の電極１４ａと、第２の半導体層１３の上面に形成され、第１の電極の上面よりも高い位置にある上面を有する第２の電極１４ｂと、第１の電極の上面に形成された第１の接続電極５２と、第２の電極の上面に形成された第２の接続電極５１と、第１の半導体層１２の表面と第２の半導体層１３の表面とを覆う絶縁性の保護膜１５であって、第１の半導体層１２の表面の一部を露出させる開口部２１を有する保護膜１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】メタル電極に設けられた延伸部の表面を覆う絶縁膜の剥離が抑制された半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体からなる活性層に積層されたｎ型またはｐ型の半導体層と、該半導体層の上に配置され接続部および延伸部を有するメタル電極と、該メタル電極の該延伸部の上面および側面を少なくとも覆う絶縁膜と、を備え、該延伸部はメタル多層膜で形成され、該メタル多層膜は少なくとも２層の第１メタル層と、該第１メタル層と交互に積層された第２メタル層とを含み、かつ、その最上層は該第２メタル層のひとつであり、該メタル多層膜に含まれる該最上層の第２メタル層以外の第２メタル層の各々の端面が該延伸部の側面に露出して該絶縁膜と接しており、該第２メタル層を構成する第２メタル材料は該第１メタル層を構成する第１メタル材料よりも導電率は低いが該第１メタル材料よりも該絶縁膜との密着強度に優れている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させることが可能な実装基板および発光モジュールを提供する。
【解決手段】実装基板２は、金属板により形成され電子部品を一面側に搭載可能な伝熱板２１と、電子部品を電気的に接続可能な配線パターン２２ｂが有機系絶縁基板２２ａの片面に設けられ伝熱板２１の他面側に配置された配線基板２２と、伝熱板２１と配線基板２２との間に介在する絶縁層２３とを備えている。伝熱板２１は、配線パターン２２ｂにおける、電子部品の接続用部位を露出させる貫通孔２１ｂが形成されている。実装基板２は、配線基板２２の平面サイズが伝熱板２１の平面サイズよりも大きく、配線基板２２の配線パターン２２ｂが、伝熱板２１に重ならない領域まで広がっている。発光モジュールは、実装基板２に電子部品として固体発光素子を実装して構成する。 （もっと読む）

【課題】
紫外線発光素子の搭載密度を比較的高くしたとしても、紫外線発光素子自身の発する熱の影響を受けがたく、比較的高い紫外線照射エネルギーを実現する光照射デバイスを提供する。
【解決手段】
複数の第１発光素子と、一方主面に前記複数の第１発光素子の少なくとも１つがそれぞれ配置された複数の開口部を有する第１基板と、複数の第２発光素子と、一方主面に前記複数の第２発光素子が配置された第２基板とを有している。そして、第２基板は、前記第１発光素子が発する光を透過させる材料からなるとともに、前記複数の開口部の少なくとも１つを他方主面で覆うように配置され、前記複数の第２発光素子は、前記開口部に対応する領域以外の領域に配置される。また、前記第１基板と前記第２基板との間または前記第２基板に放熱部を有している。 （もっと読む）

【課題】成長用基板上に形成された複数の半導体発光素子を分割して発光チップを製造する場合に、発光チップの生産性を向上させる。
【解決手段】成長用基板および複数の半導体発光素子を有する素子群形成基板と基部とを接合部で接合する接合工程（Ｓ１３）と、これらの積層体から成長用基板を分離する成長用基板分離工程（Ｓ１４）と、複数の半導体発光素子、接合部および基部の接合体と基材とをワックス層で接着する支持用基板接着工程（Ｓ１５）と、これらの接着体に対し基部および接合部を貫通する外部電極を形成する外部電極形成工程（Ｓ１７〜Ｓ２２）と、外部電極が形成された接着体からワックス層および基材を分離する支持用基板分離工程と、外部電極が形成され且つ基材が分離された接合体に対し基部および接合部を分割する分割工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層と、通電により発光波長λの光を出射する発光層と、ｐ型半導体層１６０と、発光層から出射される光に対する透過性および導電性を備えるとともに第１屈折率ｎ１を有する透明導電層１７０と、発光層から出射される光に対する透過性および絶縁性を備えるとともに第１屈折率ｎ１よりも低い第２屈折率ｎ２を有する透明絶縁層１８０と、発光層から出射される光に対する反射性を備えるｐ金属反射層２０２とが積層された半導体発光素子１において、透明導電層１７０の第１膜厚ｔ１は、（λ／４ｎ１）×（Ａ−０．５）≦ｔ１≦（λ／４ｎ１）×（Ａ＋０．５）の関係を有し、透明絶縁層１８０の第２膜厚ｔ２は、（λ／４ｎ２）×（Ｂ−０．５）≦ｔ２≦（λ／４ｎ２）×（Ｂ＋０．５）の関係を有する。ただし、Ａは正の偶数、Ｂは正の奇数である。 （もっと読む）