【課題】基板貼り替えに伴うクラックの発生を防止できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法では、第１基板３１上に形成された半導体積層体１１上に第１金属層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２金属層１２ｂを形成する。第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを対向させて、第１基板３１と第２基板３２を重ね合わせる。第１基板３１側から第１基板３１を透過し、半導体積層体１１に吸収される第１レーザ３５を照射し、半導体積層体１１を部分的に加熱分解する。第２基板３２側から第２基板３２を透過、または第１基板３１側から半導体積層体１１を透過する第２レーザ３６を照射し、第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを部分的に融着する。第１および第２基板３１、３２を第１および第２金属層１２ａ、１２ｂが融解する温度より低い温度に加熱して、第１基板３１を除去する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体と、第１電極と、第２電極と、反射層と、第１金属ピラーと、第２金属ピラーと、封止部と、を含む半導体発光素子が提供される。積層体は、第１部分及び第２部分を有する第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第２部分と第２半導体層との間に設けられた発光部と、を含む。積層体は、第１半導体層の側の第１主面と、２半導体層の側の第２主面と、を有する。第１、第２電極は、第２主面の側において、第１、第２半導体層のそれぞれの上に設けられる。反射層は、積層体の側面を覆い、絶縁性である。第１、第２金属ピラーは、第１、第２電極とそれぞれ接続され、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に延びる。封止部は、第１金属ピラー及び第２金属ピラーを封止する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の信頼性の向上を図れる窒化物半導体発光素子の製造方法、窒化物半導体発光素子の電気的特性の信頼性の向上を図れるウェハ、電気的特性の信頼性の向上を図れる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板１と、ＡｌＮ層２と、第１導電形の第１窒化物半導体層３と、ＡｌＧａＮ系材料からなる発光層４と、第２導電形の第２窒化物半導体層６とを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法において、ＡｌＮ層２を形成するにあたっては、Ａｌの原料ガスとＮの原料ガスとを供給することによって単結晶基板１の上記一表面上にＡｌＮ層２の一部となるＡｌ極性のＡｌＮ結晶核２ａの群を形成する第１工程と、第１工程の後でＡｌの原料ガスとＮの原料ガスとを供給することによってＡｌＮ層２を形成する第２工程とを備え、第１工程では、基板温度を、Ｎ極性のＡｌＮ結晶２ｂの成長を抑制可能な第１所定温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターン加工の制御性、再現性を向上させること。
【解決手段】サファイア基板１０表面に周期０．１〜１μｍのドット状の凹凸パターンを形成する。次に、サファイア基板１０上にＡｌＮからなるバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上にｎ型層１２、発光層１３、ｐ型層１４を積層する。次に、ｐ型層１４上にｐ電極１５を形成し、低融点金属層１６を介してｐ電極１５と支持基板１７とを接合する。次に、レーザーリフトオフによりサファイア基板１０とバッファ層１１を除去する。ｎ型層１２のサファイア基板１０除去側には、サファイア基板１０に設けられた凹凸パターン２０が転写され、凹凸パターン１９が形成される。ここで、バッファ層１１としてＡｌＮを用いているため、再現性、制御性よく微細な凹凸パターン１９を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明は、ｐ型窒化物半導体層とｎ型窒化物半導体層及びその間に形成された活性層を有する発光構造物と、上記ｐ型窒化物半導体層及び上記ｎ型窒化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたｐ側及びｎ側電極と、上記ｐ型窒化物半導体層と上記ｐ側電極との間に位置し、上記ｐ型電極とオミックコンタクトされるように第１不純物濃度を有する第１ｐ型窒化物膜と、上記第１不純物濃度より低い第２不純物濃度を有する第２ｐ型窒化物膜を有するコンタクト層とを含む窒化物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】光を外部に取り出す効率を向上させ、薄型化することができる照明装置を提供する。
【解決手段】青色発光素子が凸型の表面形状の透明樹脂で包含された発光構造体１１と、発光構造体１１が二次元配置された基板１２と、青色発光素子の青色光を拡散する拡散板１３と、基板１２と離間して配置され、青色発光素子の青色光から白色光を得る粉末状の蛍光体を含有する蛍光体シート１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】低転位であり、クラック発生を抑制できるIII族窒化物半導体層を有する窒化物
半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にＡｌを含むIII族窒化物半導体のバッファ層を介して成長した、Ｃ
面を表面とするIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体エピタキシャル基板であって
、前記バッファ層が、その表面にインバージョンドメインを有する。 （もっと読む）

【課題】相関色温度が１６００Ｋ以上であって２４００Ｋ未満であり、Ｒａが高い光を発する半導体発光装置および当該半導体発光装置を備えた半導体発光システムを提供する。
【解決手段】半導体発光装置１は、半導体発光素子としてのＬＥＤチップ１０と、ＬＥＤチップ１０を励起源として発光する蛍光体２０とを備え、相関色温度が１６００Ｋ以上であって２４００Ｋ未満である光を発する。蛍光体２０は、少なくとも緑色蛍光体および赤色蛍光体を含む。当該半導体発光装置１から発せられた光のスペクトルにおいて、ＬＥＤチップ１０によって発せられた光のピーク強度の値が、蛍光体２０が発した光の最大ピーク強度の６０％未満の値になるようにする。 （もっと読む）

【課題】光取出効率を高めることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、素子搭載基板２０と、素子搭載基板２０に搭載されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１を封止する封止部材２２と、ＬＥＤ素子２１から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体層２３とを有する発光部２を備え、発光部２は、蛍光体層２３が封止部材２２の外部であって、ＬＥＤ素子２１の発光面に対向する面内に外部領域側の蛍光体層２３０として配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板１を提供する工程と、前記成長基板１に複数の溝１ａを形成する工程と、前記成長基板１に半導体素子層２を形成する工程と、前記成長基板１から前記半導体素子層２を分離するように、前記成長基板１及び前記半導体素子層２の温度を変更する工程と、を備えている。成長基板と窒化物半導体基板との間の接触面積を減らし、ウェハ接合工程においての加熱による温度変化工程では、成長基板と窒化物半導体基板とは異なる膨張係数を有しているので、応力が集中して、成長基板と窒化物半導体基板を互いに剥離する。 （もっと読む）

【課題】スプレー噴射時には、蛍光体含有液を安定してスプレーノズル１２に供給し、スプレー非噴射時には、不純物を混入させることなく蛍光体含有液を移動させ、これによって、蛍光体含有液が塗布される発光素子の部分的な点欠陥を低減する。
【解決手段】蛍光体塗布装置１０は、蛍光体含有液の移動を調節する移動調節部１８を有している。移動調節部１８は、スプレーノズル１２によるスプレー噴射時には、圧力タンク１５の内部に空気を供給することによって、圧力タンク１５から蛍光体含有液を押し出してスプレーノズル１２に供給する一方、スプレー非噴射時には、上記空気の供給によって圧力タンク１５から蛍光体含有液を押し出し、スプレーノズル１２を介して貯蔵タンク１４に移動させる。 （もっと読む）

【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、下部発光層と、上部発光層と、ｐ型窒化物半導体層とをこの順に備える。下部発光層は、複数の下部井戸層と、下部井戸層に挟まれ下部井戸層よりバンドギャップの大きい下部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層は、複数の上部井戸層と、上部井戸層に挟まれ上部井戸層よりバンドギャップの大きい上部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層における上部バリア層の厚さは、下部発光層における下部バリア層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】発光面の色むらおよび照度むらの少ない平面発光モジュールを実現する。
【解決手段】反射膜１７が施された基板１２上に複数の発光素子１８が実装される。第１透明樹脂層２４は、発光素子１８を封止するように配置される。第２透明樹脂層２６は、第１透明樹脂層２４との間に空気層２５を挟んで配置される。第１および第２透明樹脂層内には、発光素子１８からの放射光を波長変換する蛍光体が分散配置されており、第２透明樹脂層２６を外部から見たときに擬似白色光が観察されるように、蛍光体が選択される。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブによる不良が無く、所望の形状を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる半導体素子１０は、以下の構成を備えている。基板１００上には、ｎ型の第１半導体層２００、活性層３００、ｐ型の第２半導体層４００が順に設けられている。また、２つの第１端面８４０は、平面視で対向するように劈開により形成されている。また、２つの溝部８２０は、平面視で第１端面８４０と直交する方向に、２つの第１端面８４０まで延在している。さらに、溝部８２０は、底部が少なくとも活性層３００の下面よりも下まで位置している。また、第２端面８６０は、第１端面８４０と直交する方向で、かつ、溝部８２０よりも外側に形成され、レーザによるスクライブによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子を個別的に保護する保護素子を具備した発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】
一実施例による発光素子パッケージは、胴体と、胴体の第１及び第２領域に第１及び第２キャビティをそれぞれ有する第１及び第２リードフレームと、第１リードフレームから胴体の第１側面と第１キャビティの間に配置された第１ボンディング部と、第２リードフレームから胴体の第１側面の反対側第２側面と第２キャビティに配置された第２ボンディング部と、第１及び第２キャビティ内の第１及び第２発光素子と、胴体の第１側面と第１キャビティの間に配置された第３リードフレームと、胴体の第２側面と第２キャビティの間に配置された第４リードフレームと、第３リードフレーム又は第１ボンディングの上の第１保護素子と、第４リードフレーム又は第２ボンディングの上の第２保護素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤを構成するIII−Ｖ族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、更に製造時に使用される酸及びアルカリ溶液に対する耐薬品性に優れた高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用保持基板を提供することである。
【解決手段】 外周部が厚み０．１〜２．０ｍｍのアルミニウムまたはアルミニウム合金で覆われており、両主面に金属含浸セラミックス複合体が露出した基板の両面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金が厚み０．０５〜２μｍ形成され、窒素、アルゴン、水素、ヘリウム又は真空雰囲気中で４６０〜６５０℃で１分間以上加熱処理した後、全面に厚み０．５〜５μｍのＮｉめっき層および厚み０．０５〜２μｍの金めっき層を順次形成されたＬＥＤ発光素子用保持基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】活性領域で生じる熱を素子外部に効率的に逃すうえで好ましい構成を備えた窒化物系ＬＥＤを提供する。
【解決手段】
窒化物系発光ダイオード素子は、ｐ型層と、前記ｐ型層に積層されたｎ型層と、前記ｐ型層と前記ｎ型層とに挟まれた発光層と、を含む窒化物半導体積層体と、前記ｐ型層の表面上に設けられたｐ側電極と、前記ｎ型層に接続されたｎ側電極と、を備える。前記ｐ側電極は、前記ｐ型層との接触面を有するオーミック接触層と、前記ｐ型層とで前記オーミック接触層を挟むように設けられた熱伝導性メタル層とを有しており、前記窒化物半導体積層体の積層方向に直交する平面である素子平面に対する前記熱伝導性メタル層の投影面積が、前記素子平面に対する前記接触面の投影面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層構造体と、透明電極と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子を提供する。積層構造体は、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間の発光部と、を含む。透明電極は、積層構造体のｐ形半導体層の側の第１主面においてｐ形半導体層に接続される。透明電極はｐ側電極の上に設けられる。ｎ側電極は、第１主面においてｎ形半導体層に接続される。透明電極は、おいてｎ側電極とｐ側電極との間に設けられ透明電極を貫通する孔を有する。ｐ側電極からｎ側電極に向かう第２軸に対して垂直な第３軸に沿った孔の幅は、ｎ側電極及びｐ側電極の第３軸に沿った幅よりも大きい。孔のｎ側電極側の端とｎ側電極との間の第２軸に沿った距離は、孔のｐ側電極側の端とｐ側電極との間の第２軸に沿う距離以下である。 （もっと読む）

【課題】寿命及び性能が向上した発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、樹脂基板１０と、樹脂基板１０上に形成された反射層１８と、反射層１８の周囲に形成された保護層４５と、反射層１８上に載置された発光素子１１と、反射層１８、保護層４５及び発光素子１１を覆う、蛍光体及び熱硬化性樹脂を含む封止樹脂層１２を具備する。該発光装置１において、熱硬化性樹脂の酸素透過性は１２００ｃｍ³/(m²・day・atm）以下であり、封止樹脂層１２に被覆された基板１０上の領域の面積に対する反射層１８の面積の割合が、３０％以上７５％以下の範囲である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、発光素子の発する光が波長変換部材の全体に照射することが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置１であって、中央部Ｃが上方に突出した凸部２を有する基板３と、凸部２上に実装された発光素子３と、基板３上に凸部２の周囲を取り囲むように発光素子４の下端よりも低い位置まで設けられた透光性シート５と、基板３の周辺部Ｐに沿って発光素子４を取り囲むように設けられた枠体６と、枠体６内に設けられた、発光素子４の発する光を波長変換する蛍光体７を含有する、透光性シート５の屈折率よりも屈折率が小さい波長変換部材８とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）