【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】支持基板７０と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０、前記第１発光構造物の下の第１反射電極１７、前記第１反射電極のまわりに配置された第１金属層１９と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層２１、前記第３半導体層の下の第２活性層２２、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層２３を有する第２発光構造物２０、前記第２発光構造物の下の第２反射電極２７、前記第２反射電極のまわりに配置された第２金属層２９と、前記第１発光構造物の第１半導体層内部に接触して、前記第２反射電極と電気的に連結する第１コンタクト部４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示する画像の精細度を高めると共に、視域および奥行き再現範囲を拡大できるＩＰ立体ディスプレイを提供する。
【解決手段】インテグラル・フォトグラフィー（ＩＰ）方式により、撮像側にて被写体を光学レンズが並置されたレンズ板を介して撮像した各要素画像から被写体の立体像を再生するＩＰ立体ディスプレイ１は、各要素画像から被写体の立体像を再生するための撮像側に対応した光学レンズを並置したレンズ板を設けることなく、基板２上に要素画像を構成する要素画素５としての光線指向型発光素子１０を設けて、光線指向型発光素子１０から射出する光線の方向を、各要素画像から被写体の立体像を再生するための光学レンズのレンズ中心を通過する光軸によって規定される方向と同様になるように画素毎に設定したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板を薄くしてＬＥＤ装置の薄型化を図ろうとすると両面ＦＰＣにせざるを得なかった。そこで片面ＦＰＣと同等の構造で両面に電極を備えるＬＥＤ装置の回路基板を提供する。
【解決手段】回路基板１２は、貫通孔２６を有するフィルム基材１４と、フィルム基材１４の上面に配置され貫通孔２６を塞ぐ金属パターン２３と、金属パターン２３の上部に形成されたメッキ層２２と、貫通孔２６を埋めるようにして金属パターン２３の下部に形成されたメッキ層２４とを備える。メッキ層２２がＬＥＤ素子２１用の実装電極になり、メッキ層２４が外部回路用の接続電極になる。 （もっと読む）

【課題】素子搭載基板からのケース及び封止部材の剥離発生を抑制することができる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１は、光取出側に開口するケース２０、及びケース２０内に充填された封止部材２１を有する樹脂パッケージ２と、樹脂パッケージ２の封止部材２１によって封止された発光素子４と、発光素子４を搭載するとともに、樹脂パッケージ２を素子搭載面３ａ側に形成する素子搭載基板３とを備え、素子搭載基板３は、ケース２０及び封止部材２１との間に互いに密着する凹凸部Ａ〜Ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 第１の方向に長い基板上に複数の半導体発光素子が前記第１の方向に沿って形成された半導体発光素子アレイは、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有し、平面形状が前記第１の方向に長い長方形の半導体発光層と、前記半導体発光層の片方の長辺に沿って、該長辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層の短辺方向に延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続された第２配線層とを有し、隣接する半導体発光素子においては、前記半導体発光層の異なる長辺に沿って前記第１配線層が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】発光素子は、支持基板と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０と、前記第１発光構造物の下の第１金属層と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層、前記第３半導体層の下の第２活性層、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層を有する第２発光構造物と、前記第２発光構造物の下の第２金属層と、前記第１半導体層の側面に接触して、前記第２金属層と電気的に連結されたコンタクト部とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光装置において、出射光が照射面に照射されたときの色ムラが少なく、光源の直下照度の低下を抑制する。
【解決手段】発光装置１は、光源２と、出射光を配光制御する光学レンズ３とを備える。光学レンズ３は、光源２からの出射光を集光する第１のレンズ４と、集光された光を平行光とする第２のレンズ５とを備える。第１のレンズ４は、入射面４１から入射した光を集光面４３に集光する断面形状が放物線形状の第１の反射面４２を有する。第２のレンズ５は、集光面４３との連接面５１から入射した光を反射して平行光として出射面へ反射する断面形状が放物線形状の第２の反射面５２を有する。この構成によれば、第１の反射面４２が集光面４３に光を集光させて混光することで出射光の色ムラを少なくし、集光面４３を擬似光源として、集光面４３からの光を第２の反射面５２で平行光とすることで光源２の直下照度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】発熱デバイス１は、板状をなすベース基板２と、ベース基板２の一方の面側に配置され、通電により発熱する第１の発熱体４ａと、ベース基板２の一方の面側に第１の発熱体４ａに対し離間して配置され、通電により発熱する第２の発熱体４ｂと、少なくとも第１の発熱体４ａと第２の発熱体４ｂとの間をつなぐように設けられ、第１の発熱体４ａと第２の発熱体４ｂとからそれぞれ発生する熱を放熱する、主として樹脂材料で構成された放熱体５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高温下でも高い発光効率を得ることができる蛍光体を提供することである。
【解決手段】実施形態の蛍光体は、Ｅｕで付活されたＳｒ₃Ｓｉ₁₃Ａｌ₃Ｏ₂Ｎ₂₁属結晶を含む粒子を含有し、波長２５０〜５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０〜５８０ｎｍの間に発光ピークを有する発光を示す。前記粒子は、前記粉体は表面から５ｎｍまでの外側領域における前記結晶中の酸素濃度の平均値（Ｏ_outer）と、表面から５ｎｍより深い内側領域における前記結晶中の酸素濃度の平均値（Ｏ_inner）との比（Ｏ_outer／Ｏ_inner）が１．０〜３．８であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成を有し、紫外光が発光されている状態であるか否かの確認を容易にかつ確実に行うことができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】紫外又は深紫外領域の紫外光を発光する半導体発光素子１と、上部に紫外光が通過する貫通孔６３を有し、半導体発光素子１を囲むキャップ部６と、貫通孔６３を気密に塞ぐように配置され、紫外光が透過する透光性カバー７と、キャップ部６の内部に配置され、紫外光によって励起され可視光を発光する紫外光励起蛍光体８とを備えた半導体発光装置Ａ。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増加を縮小可能な、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】誘電体マスク３５ａを用いて犠牲膜３３から金属膜３１を介して窒化物半導体領域３９までのエッチングを行って、リフトオフ層３３ａ、電極３１ａ及びエッチングされた窒化物半導体領域４１を形成すると共に、窒化物半導体領域３９の半極性主面３９ａをエッチングして半導体リッジ４１ａを形成する。このエッチング中に、リッジ部４１ａの形成のためにエッチングされるIII族窒化物半導体表面の面方位に依存して、エッチングされた表面４１ｂにはピラー状の微小突起４３が形成される。半極性面では、微小突起の生成がｃ面に比べて生成されやすい。エッチングにおける基板温度が摂氏６０度以上摂氏２００度以下の範囲にあるとき、微小突起の面密度の増大を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置、例えば高出力の端面出射型スーパールミネッセントダイオードを効率良く得られるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、基板１０１と、基板１０１の上に形成され、光ガイド層１２０を含む複数の半導体層からなる積層構造体とを備えている。積層構造体は、上部に選択的に形成されたストライプ状の光導波路１１３と、積層構造体の端面からなる光出射端面１１５とを有している。光ガイド層１２０における積層面と光出射端面１１５とがなす角度θは、θ≠９０°である。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置において発生した熱の放熱性能の向上に関する技術を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体発光素子及び蛍光体を備える半導体発光装置と、回路基板とを含む発光モジュールにおいて、回路基板には少なくとも、供給される駆動電流の経路が異なる複数の半導体発光素子を有する半導体発光装置が搭載されるか、若しくは半導体発光素子に供給する駆動電流の経路が異なる複数の半導体発光装置が搭載される。回路基板は、熱伝導材料を用いて形成された基材部と、半導体発光素子の駆動電流を半導体発光装置に供給する電力供給導体層と、を備える。電力供給導体層は、熱伝導材料を用いて且つ基材部平面を覆うように面状に形成され、且つ、その平面領域が駆動電流の経路毎に絶縁体によって平面的に区画される。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの熱を効率よく簡単な構造で分散させる発光装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の発光装置は、基板と、基板上に第１の直線上に配置される複数の第１の発光ユニットと、基板上に第１の直線と離間し第１の直線に平行な第２の直線上に配置され、第１の発光ユニットと異なる発光色を有する複数の第２の発光ユニットと、基板上に第１および第２の直線と離間し第１および第２の直線に平行な第３の直線上に配置され、第１および第２の発光ユニットと異なる発光色を有する複数の第３の発光ユニットとを備える。そして、同一の発光色の発光ユニット間の距離が、異なる発光色の発光ユニット間の最小距離よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、Ｖピット発生層と、中間層と、多重量子井戸発光層と、ｐ型窒化物半導体層とがこの順で設けられたものである。多重量子井戸発光層は、バリア層と該バリア層よりもバンドギャップの小さい井戸層とを交互に積層して構成された層である。多重量子井戸発光層には部分的にＶピットが形成されており、Ｖピットの始点の平均的な位置は中間層内に位置する。 （もっと読む）

【課題】ガラスやセラミック等の非単結晶基板上に単結晶エピタキシャル層の成長を可能にする。
【解決手段】結晶成長させようとする単結晶の薄膜と格子整合の取れた下地層を調整する自己組織化方法であって、非単結晶基板上に有機−無機ハイブリッド材料の溶液を塗布するステップと、前記塗布された有機−無機ハイブリッド材料を予め定められた温度及び雰囲気下で処理して、規則的に配列された格子を自発的に生成させるステップと、を行なうものである。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンスを用いることにより、発光素子を容易かつ迅速に識別するための発光素子の検査方法などを提供する。
【解決手段】検査工程は、発光素子１に通電を行わずに、通電により発光する波長（第１波長）より波長が短い光（第２波長の光）を励起光として照射する光照射工程（ステップ２０１）と、第２波長の光の照射により発光素子１が出射する光を検出する検出工程（ステップ２０２）と、発光素子１が出射する第１波長の光の強度に基づき、発光素子１の電流リークの状態を判別する判別工程（ステップ２０３）とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】六角棒状ＧａＮ系半導体結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなり、ｍ面である表面を有する下地結晶１０の前記表面上に、前記下地結晶１０のｃ軸に沿って延びる複数のストライプ２２を含むマスク２０を形成する工程と、前記マスク２２が形成された前記表面の上にＧａＮ系半導体結晶３０をエピタキシャル成長させる工程と、を含む六角棒状ＧａＮ系半導体結晶の製造方法において、ＧａＮ系半導体結晶３０は下地結晶１０の露出面１５から成長し始め、マスク２０と略同じ厚さのＧａＮ系半導体結晶膜４０がまず形成される。更にＧａＮ系半導体結晶３０を成長させ続けると、ＧａＮ系半導体結晶膜４０の上に六角棒状ＧａＮ系半導体結晶３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、信頼性に優れた半導体発光装置及び発光モジュールを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、互いに分離された複数のチップと、ｐ側外部端子と、ｎ側外部端子と、半導体層よりも剛性の低い層とを備えている。チップのそれぞれは、半導体層とｐ側電極とｎ側電極とを含む。ｐ側外部端子は少なくとも１つのチップのｐ側電極と第２の面側で電気的に接続されている。ｎ側外部端子は少なくとも１つのチップのｎ側電極と第２の面側で電気的に接続されている。半導体層よりも剛性の低い層は、ｐ側外部端子とｎ側外部端子との間の中点を通り、かつ、ｐ側外部端子とｎ側外部端子を結ぶ線および発光層に対して垂直な中心線と、半導体層の延長線との交差部に設けられている。中心線上に半導体層は設けられず、複数のチップの間に前記中心線が位置する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子チップを接合するマウント材の劣化を抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光装置は、サファイア基板、活性領域、及び光遮断層が設けられる。活性領域は、サファイア基板上に設けられ、通電されてサファイア基板の厚み方向で発光する発光層を有する。光遮断層は、サファイア基板の裏面に設けられ、発光層で発生された光をサファイア基板の裏面側に透過するのを遮断し、サファイア基板が酸化アルミニウム（Ａｌ_ｘＯ_ｙ）に改質されてなる。 （もっと読む）