【課題】転位密度の低減を図ることができる半導体発光素子、及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の第１の主面の側に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２の半導体層と、を備えている。そして、前記基板の第１の主面には、頂部に凹部を有する突起部が複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】凸パターンを覆うｎ型窒化物半導体層を良好に形成できながら、外部量子効率を向上させることができる発光素子およびこれを含む発光素子ユニットを提供すること
【解決手段】基板２の表面３に互いに第１ピッチｐ_１を空けて離散して配置された複数の凸部１９の集合体からなる凸パターン２０において、凸部１９は、互いに第１ピッチｐ_１よりも小さい第２ピッチｐ_２を空けて当該凸部１９の頂部に離散して形成された複数の微細凸部３５の集合体からなる微細凸パターン３６と、当該微細凸パターン３６を支持するベース部３７とを含む。 （もっと読む）

【課題】波長変換構造及びその製造方法並びに該波長変換構造を含む発光装置を提供する。
【解決手段】波長変換構造は、第一領域と第二領域とを含む蛍光粉層であって、前記第二領域は前記第一領域の上に位置し、且つ前記第一領域及び前記第二領域は隙間をそれぞれ有する蛍光粉層と、前記蛍光粉層の前記第一領域の隙間に形成される第一材料層と、前記蛍光粉層の前記第二領域の隙間に形成される第二材料層とを含む。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 第１の方向に長い基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記半導体発光層の平面形状が、前記第１の方向に平行な上辺及び下辺と、該上辺及び下辺に垂直な線に対して傾斜する部分を含む２つの短辺を有する形状であり、前記斜辺の頂点から垂直に引いた直線が隣接する半導体発光素子の下辺と交差する形状である半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップを覆う透光性樹脂層を簡単な工程で形成することができ、しかも、ＬＥＤチップからの光の取り出し効率が高いＬＥＤ光源装置を提供する。
【解決手段】基板と、この基板上に実装されたＬＥＤチップと、前記基板の表面に形成された、前記ＬＥＤチップを包囲する枠状金属膜と、この枠状金属膜によって包囲される領域内において前記ＬＥＤチップを覆うよう形成された、略半球状の透光性樹脂層とを有してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安全性及び信頼性を高めた発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、基板１００と、基板のＲ面上に配置され、岩塩構造（Ｒｏｃｋ Ｓａｌｔ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する窒化物を含むバッファー層２１０と、バッファー層上に配置され、ａ面に成長した発光構造物１２０とを備える。バッファー層２１０は、ＬａＮ、ＴｈＮ、ＰｒＮ、ＮｄＮまたはＳｍＮの少なくとも一つを含んで形成され、基板１００と発光構造物１２０との格子不整合及び熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が生じていない部分にダメージを与えることなく、半導体素子の欠陥を修復する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子１０の修復方法においては、検出した欠陥部２５上に形成されたレジスト膜１８を除去するようにレジスト膜１８をパターニングし、当該レジスト膜１８をマスクにして半導体層をエッチングすることによって、欠陥部２５を取り除く。 （もっと読む）

【課題】ｐクラッド層の特性悪化を防止すること。
【解決手段】発光層１４上に、８００〜９５０℃でＭｇドープＡｌＧａＩｎＮからなるｐクラッド層１５を形成した（図２（ｂ））。次に、ｐクラッド層１５上に、ｐクラッド層１５形成時と同じ温度でノンドープＧａＮからなる厚さ５〜１００Åのキャップ層１６を形成した（図２（ｃ））。キャップ層１６にはＭｇ濃度５×１０¹⁹／ｃｍ³ 以下の範囲でＭｇをドープしてもよい。次に、温度を次工程のｐコンタクト層１７の成長温度まで昇温した。この昇温時において、キャップ層１６が形成されているため、ｐクラッド層１５表面が露出しておらず、Ｍｇの過剰ドープや不純物の混入が抑制される。そのため、ｐクラッド層１５の特性悪化が防止される。次に、キャップ層１６上に９５０〜１１００℃でｐコンタクト層１７を形成した（図２（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面側に備える反射メタルにより高い反射率で光を反射させて光取り出し効率を向上させることができ、しかもその反射メタルと基板との密着性に優れる、フェイスアップタイプの発光素子およびこれを含む発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】フェイスアップ姿勢で用いられる発光素子１であって、基板２と、基板２の表面３に順に積層されたｎ型ＧａＮ層６、発光層７およびｐ型ＧａＮ層８を有する窒化物半導体積層構造部９と、基板２の裏面４に形成された透明接着層１０と、ＡｇとＰｔ族金属とＣｕとを含む合金からなり、透明接着層１０に接触した状態で透明接着層１０の裏面に形成された反射メタル１１と、反射メタル１１の裏面に形成された接合メタル１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの割断による発光素子への悪影響を低減する発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃ面を主面とするサファイア基板上に窒化物半導体を積層して複数個の矩形状の発光素子部２を縦横方向に整列配置し、横分割領域５の幅が縦分割領域４の幅よりも狭く、発光素子部２のｎ側電極２１が縦分割領域４側の少なくとも一方側に配置された半導体ウエハ１００を、割断起点４２をサファイア基板の裏面側に設け、分割して発光素子とする発光素子の製造方法であって、半導体ウエハ１００を準備するウエハ準備工程と半導体ウエハ１００を分割するウエハ分割工程とを含み、ウエハ分割工程において、縦分割領域４では、縦分割領域４の幅方向の中央線４１から幅方向の一方側に所定の距離をシフトした線位置を割断起点４２とし、サファイア基板１の内部に、主面に垂直で割断起点４２に沿って延伸する帯状の内部割断溝を形成して分割する。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶を基板とする半導体発光チップの半導体発光素子に生じ得る欠けを抑制する。
【解決手段】表面がサファイア単結晶のＣ面で構成されたサファイア基板の表面に、表面およびサファイア単結晶のＭ面に沿った第１方向に向かう第１溝部と、表面に沿うとともに第１方向と交差する第２方向に向かい且つ第１溝部の幅よりも幅が狭い第２溝部とを備える半導体層を形成し、半導体層が形成されたサファイア基板に対し、サファイア基板の裏面側からレーザ光を照射することで、サファイア基板の内部に、第１方向に向かうとともに第１溝部と重なる第１改質領域と、第２方向に向かうとともに第２溝部と重なる第２改質領域とを形成し、第１改質領域および第２改質領域が形成されたサファイア基板を、第１改質領域および第２改質領域を用いて分割し、半導体発光チップを得る。 （もっと読む）

【課題】 密着性、硬度、耐熱性・耐光性に優れた硬化性組成物を提供する。
【解決手段】（ａ１）不飽和カルボン酸および不飽和カルボン酸無水物の少なくとも１種、ならびに、（ａ２）オキセタニル基を含む不飽和化合物の少なくとも１種を共重合して得られる共重合体（Ａ）と蛍光体（Ｘ）を含む、硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】薄型の発光装置を実現することができる半導体発光素子及び該半導体発光素子を備える発光装置を提供する。
【解決手段】第１の電極５１は、抵抗層（Ｒ１）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２の電極５２は、抵抗層（Ｒ４）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。また、第１の電極５１は、抵抗層（Ｒ２）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２の電極５２は、抵抗層（Ｒ３）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。 （もっと読む）

【課題】ｎ側メタル電極の延伸部を通してｎ型導電層に流れる電流を増加させたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子は、複数のＧａＮ系半導体層を含む半導体積層体を有し、該複数のＧａＮ系半導体には、上面および底面を有するｐ型導電層と、該ｐ型導電層の底面側に配置された活性層と、該ｐ型導電層とで該活性層を挟むように配置されたｎ型導電層とが含まれる。該ｐ型導電層の上面にはｐ側電極およびｎ側メタル電極が互いに重ならないように設けられ、該ｐ側電極は透光性を有する部分を有し、該ｎ側メタル電極は接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該半導体積層体には該ｐ型導電層の上面に開口しその底部に該ｎ型導電層が露出する穴が設けられ、少なくとも該延伸部の一部が該穴を通して該ｎ型導電層に接することにより該ｎ側メタル電極と該ｎ型導電層とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光装置及び前記半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のボンディング電極５１は、抵抗層（Ｒ１）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２のボンディング電極５２は、抵抗層（Ｒ２）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。また、第１のボンディング電極５１は、抵抗層（Ｒ３）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２のボンディング電極５２は、抵抗層（Ｒ４）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。 （もっと読む）

【課題】ｎ側メタル電極の延伸部を通してｎ型導電層に流れる電流を増加させたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００は、複数のＧａＮ系半導体層を含む半導体積層体１２０を有し、該複数のＧａＮ系半導体には、上面および底面を有するｐ型導電層１２３と、ｐ型導電層１２３の底面側に配置された活性層１２２と、ｐ型導電層１２３とで活性層１２２を挟むように配置されたｎ型導電層１２１とが含まれ、ｐ型導電層１２３の上面にはｐ側電極が設けられ、ｐ型導電層１２３側に一部露出したｎ型導電層１２１の表面にはｎ側電極が設けられる。該ｎ側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該ｎ側電極の該接続部とｎ型導電層１２１との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】グローブの中心付近に発光部を据えつけたときに広い配光特性が得られ、且つ構造が簡単で製造が容易なＬＥＤ装置及びこのＬＥＤ装置を用いたＬＥＤランプを提供する。
【解決手段】柱状の回路基板１３の先端にＬＥＤダイ１２を実装する。ＬＥＤダイ１２から出射する光を遮る部分が少ないため広い配光が得られ、さらに発光部である回路基板１３の先端をグローブ２１の中心付記に配置すれば、広い配光をもったＬＥＤランプ３０が得られる。ＬＥＤ装置１０を構成する主要部品がＬＥＤダイ１２と回路基板１３だけなので構造も簡単である。また回路基板１３の先端が平坦なのでＬＥＤダイ１２に対しワイヤボンディングやフリップチップ実装など良く知られた実装方法が適用できる。 （もっと読む）

【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】支持基板７０と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０、前記第１発光構造物の下の第１反射電極１７、前記第１反射電極のまわりに配置された第１金属層１９と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層２１、前記第３半導体層の下の第２活性層２２、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層２３を有する第２発光構造物２０、前記第２発光構造物の下の第２反射電極２７、前記第２反射電極のまわりに配置された第２金属層２９と、前記第１発光構造物の第１半導体層内部に接触して、前記第２反射電極と電気的に連結する第１コンタクト部４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示する画像の精細度を高めると共に、視域および奥行き再現範囲を拡大できるＩＰ立体ディスプレイを提供する。
【解決手段】インテグラル・フォトグラフィー（ＩＰ）方式により、撮像側にて被写体を光学レンズが並置されたレンズ板を介して撮像した各要素画像から被写体の立体像を再生するＩＰ立体ディスプレイ１は、各要素画像から被写体の立体像を再生するための撮像側に対応した光学レンズを並置したレンズ板を設けることなく、基板２上に要素画像を構成する要素画素５としての光線指向型発光素子１０を設けて、光線指向型発光素子１０から射出する光線の方向を、各要素画像から被写体の立体像を再生するための光学レンズのレンズ中心を通過する光軸によって規定される方向と同様になるように画素毎に設定したことを特徴とする。 （もっと読む）