【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子（窒化物半導体素子）１は、主面１０ａを有する基板１０と、ｎ型層２０ａ、ｎ型コンタクト層２０ｂおよびｐ型層２０ｄを含む半導体層２０と、を備える。主面１０ａはｍ面に対してａ軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層２０は、傾斜領域２１と非傾斜領域２２とを含む。傾斜領域２１において、ｎ型層２０ａおよびｎ型コンタクト層２０ｂの所定領域上にｎ電極４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶基板１０と、サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａに第１素子機能部２２を備え、他方主面１０Ｂに第２素子機能部３２を備え、第１素子機能部２２が光を発光し、第２素子機能部３２がサファイア単結晶基板１０を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板を電流経路として有効利用した発光ダイオード素子を用いて、高信頼性化および発光効率の向上を図った発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置は、下記（Ａ）の発光ダイオード素子と、該発光ダイオード素子に印加される電流が最大電流Ｉ_ｍａｘを超えないように制御する制御回路と、を備え、（ａ）Ｉ_ｍａｘ／Ａ_Ａ≧２２０〔Ａ／ｃｍ^２〕；かつ（ｂ）下記（Ａ）の発光ダイオード素子のＩ−Ｖ曲線が、２０（ｍＡ）〜Ｉ_ｍａｘ（ｍＡ）の範囲内に、該曲線の傾きの変化率が減少から増加に転じる点を有さない、ことを特徴とする。（Ａ）活性層を含む複数のＧａＮ系半導体層を有する積層構造がＧａＮ系半導体基板の主面上に設けられ、ｎ側電極が該ＧａＮ系半導体基板の表面または該ＧａＮ系半導体基板上に積層されたコンタクト層の表面の一部に形成され、該ｎ側電極の面積Ａ_Ｅが該活性層の面積Ａ_Ａの２０％以下である、発光ダイオード素子。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光利用効率を高め、蛍光体板により波長変換を行ってもイエローリングのない安定した白色光や、赤色、緑色の色むらのない安定した色の光を発光する安価な発光装置を提供するものである。
【解決手段】発光素子と、発光素子が発光する光を波長変換する蛍光体板を備える発光装置において、発光素子を形成する半導体層の表面に、発光素子が発光する光の半波長以下のピッチを有する凹部を形成して、矩形周期構造体を構成し、蛍光体板は、矩形周期構造体の上方に配置している。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤユニットの組立を、より簡便にすることが可能なＬＥＤユニットを提供する。
【解決手段】複数個のＬＥＤ１ａを一表面２ａａ側に実装する実装基板２と、実装基板２の一表面２ａａと対向する底部３ｃ１から実装基板２側に延出する側壁部３ｃ２を備え断面がＣ字状の長尺な透光性のカバー部３とを有するＬＥＤユニット１０である。実装基板２は、放熱部材５に他表面２ｂａ側が保持されており、放熱部材５は、カバー部３に収容され実装基板２と当接する主片５ａと、一対の側片５ｂ，５ｂとを備え、一対の側片５ｂの各々には、側片５ｂの外方へ突出する突起部５ｂａを備え、カバー部３は、側壁部３ｃ２において、突起部５ｂａと嵌合してカバー部３と放熱部材５とを結合させる嵌合凹部３ｃａと、放熱部材５に対して、カバー部３の位置を決め且つ、突起部５ｂａを嵌合凹部３ｃａへ誘う誘導部３ｃｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に設けられ発光に必要なバイアス電圧の上昇が抑制された窒化物半導体発光素子と、この窒化物半導体発光素子の作製方法とを提供すること。
【解決手段】半極性面の主面１３ａを有する六方晶系窒化物半導体からなる支持基体上に設けられた発光層１７の多重量子井戸構造は、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃとバリア層１７ｂとからなり、バリア層１７ｂは、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃの間に設けられ、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃは、ＩｎＧａＮからなり、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃは、０．１５以上０．５０以下の範囲にあるインジウム組成を有し、六方晶系窒化物半導体のｃ面に対する主面１３ａの傾斜角αは、５０度以上８０度以下の範囲、及び、１３０度以上１７０度以下の範囲、の何れかの範囲にあり、バリア層１７ｂの膜厚の値Ｌは、１．０ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】生産効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板として３０ｐｐｍ以上の不純物を含有する単結晶基板を用意し、この単結晶基板の主面の上に接して、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる中間層をスパッタリング法により積層させ、次いで前記中間層を覆うように積層半導体層を形成する素子形成工程と、単結晶基板を複数のチップに分割するための切断予定ラインに沿って、単結晶基板の不純物準位に対して光励起を起こさせる波長を有するレーザを前記単結晶基板の内部に集光することにより、単結晶基板の内部に加工痕を設けるレーザ加工工程と、加工痕及び前記切断予定ラインに沿って単結晶基板を分割することにより、複数のチップとする分割工程と、を具備してなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】マザー基板に直接的にＬＥＤダイを実装しようとするときに絶縁膜のピンホールが課題となる。そこでこのピンホールに係わる不具合が発生しにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】このＬＥＤ装置１０はフリップチップ実装用のＬＥＤダイ２０を蛍光体キャップ１１で被覆したものである。ＬＥＤダイ２０は、マザー基板４３に直接的にフリップチップ実装するため、絶縁膜１４上に大きなサイズの突起電極１２，１３を備えている。蛍光体キャップ１１は、透光性の樹脂等に蛍光体を混練したものであり、ＬＥＤダイ２０の上面及び底面、並びに底部に形成した折り返し部でＬＥＤダイ２０のｐ型及びｎ型半導体層１７，１６の角部を覆い、ピンホールが発生しやすい部位を保護する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップの温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数のＬＥＤチップを直列接続して用いるＬＥＤユニットの低コスト化を図れるリードフレーム、配線板、ＬＥＤユニットを提供する。
【解決手段】リードフレーム３０は、１ピッチの外枠部３１の内側に支持片３２を介して支持されたパターン３３が、ＬＥＤチップを搭載するダイパッド３４と、ダイパッド３４からダイパッド３４を取り囲むように延設されたヒートシンク３５と、一方の電極１１がヒートシンク３５に電気的に接続されるＬＥＤチップの他方の電極と電気的に接続されるリード３６とを具備する単位ユニット３３ａを複数備え、互いに隣り合う単位ユニット３３ａの一方の単位ユニット３３ａのリード３６と他方の単位ユニット３３ａのヒートシンク３５とが連結され電気的に直列接続され、支持片３２の切断部３２ｂを、ダイパッド３４の裏面を含む仮想平面ＶＰから浮かせてある。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤチップおよび電源部からの放熱を促進することが可能なＬＥＤ電球を提供すること。
【解決手段】 ＬＥＤ電球１０１は、ＬＥＤチップ２２０を有する発光部２００と、グローブ５１０と、電源部収容空間３２０を有する放熱部材３００と、電源部収容空間３２０に収容されており、発光部２００に電力を供給する電源部５３０と、口金５２０と、を備えており、放熱部材３００は、主面３１１に発光部２００が配置され、電源部収容空間３２０の底面を形成する裏面３１２を有する支持板部３１０、および裏面３１２から開口３３０に向かう方向に延びる内側面３２１を有しており、電源部収容空間３２０内において電源部５３０を収容し、裏面３１２および内側面３２１の少なくとも一部ずつの間に隙間をおいて配置された電源部カバー４００を備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子の基板側から放出される光を効率良く外部に取り出す構造を備える発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、所定の波長の光を放出する発光層が、前記所定の波長の光を透過する基板上に配置された発光素子と、前記所定の波長の光を透過する接着剤と、前記所定の波長の光を透過する光透過性部材と、前記所定の波長の光を反射する反射面を有し、前記反射面と前記光透過性部材の前記所定の光が入射する入射面とのなす角が鋭角である反射部材と、を備え、前記発光素子が前記光透過性部材上に前記接着剤を介して接着され、前記光透過性部材の屈折率が前記接着剤の屈折率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 半導体層と電極層との間に設けられた下地層および下地層と半導体層の界面の腐食の発生を防止した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子において、ｎ伝導型の半導体からなる半導体層（２）と、該半導体層（２）に設けられＮｉ、Ａｌから選ばれる金属を含む下地層（４）と、該下地層（４）の上面および側面を覆うように設けられＡｕからなる電極層（５）と、を備え、腐食を受け易いＮｉやＡｌ等の金属から構成される下地層（４）を腐食を受け難いＡｕ等から構成される電極層（５）により覆い、下地層（４）がむき出しにならないようにして腐食の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体発光層１５は第１導電型の第１半導体層１２と第２導電型の第２半導体層１４の間に設けられている。網目状の第１電極１６は、半導体発光層１５と反対側の第１半導体層１２上に設けられている。ドット状の第２電極１８ａは、半導体発光層１５と反対側の第２半導体層１４上に、第２半導体層１４の表面に対して平行な平面視で第１電極１６の網目の中心と重なるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】電流拡がり及び発光効率が極大化された発光素子を提供すること。
【解決手段】第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層、及び前記第１及び第２の半導体層間に介在する第１の活性層を有する第１の領域と、前記第１の領域上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第３の半導体層、前記露出領域を除いた前記第３の半導体層上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層及び前記第３及び第４の半導体層間に介在する第２の活性層を有する第２の領域とを備え、前記第４の半導体層から前記第１の半導体層まで互いに離隔した第１及び第２のトレンチが形成された発光構造物と、所定の位置に配置された第１から第３の電極とを含んで発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）等の発光素子から出射された光を波長変換して外部に取り出す発光装置に関して、波長変換層の温度上昇を抑制し、発光効率を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板に配置された凹部と、凹部内に配置された反射層と、反射層上に形成された波長変換層と、凹部内でかつ波長変換層よりも上方に配置された発光素子とを備えた発光装置において、波長変換層と発光素子とは直接接しないようにすることにより、発光素子から波長変換層への熱伝導を低減する。 （もっと読む）

【課題】外部から接続用の電極に応力がかかっても、半導体層を被覆する絶縁膜の開口部において剥離が起きにくい半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１３及びｎ型半導体層１２とｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８はそれぞれ中間配線１９，１５で接続している。さらに絶縁層１４のｐ側及びｎ側の開口部１９ａ，１５ａとｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８とは平面的に重ならない。この結果、開口部１９ａ，１５ａには応力が集中しなくなり、開口部１９ａ，１５ａにおける剥離が起きにくくなる。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、酸素を不純物として含むＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含む結晶積層構造体１を提供する。窒化物半導体層４のＧａ_２Ｏ_３基板２側の２００ｎｍ以上の厚さの領域４ａの酸素濃度は、１．０×１０^１８／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】演色性の高い発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール１０は、紫外線又は短波長可視光を発する半導体発光素子１８と、紫外線又は短波長可視光により励起され可視光を発光する第１の蛍光体と、紫外線又は短波長可視光により励起され、第１の蛍光体が発光する可視光と補色の関係にある可視光を発光する第２の蛍光体と、紫外線又は短波長可視光により励起され、第１の蛍光体が発光する可視光のピーク波長と第２の蛍光体が発光する可視光のピーク波長との間にピーク波長を有する、可視光を発光する第３の蛍光体と、を備える。第３の蛍光体は、発光素子の発光スペクトルのピーク波長における励起スペクトルの強度をＩａ、第１の蛍光体または第２の蛍光体の発光スペクトルのピーク波長における励起スペクトルの強度をＩｂとすると、Ｉｂ＜Ｉａ×０．１５を満たす。 （もっと読む）

【課題】 高輝度化を図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】 光源としてのＬＥＤチップ２００を備えたＬＥＤモジュール１０１であって、ＬＥＤチップ２００は、Ｓｉからなるサブマウント基板２１０、およびサブマウント基板２１０上に積層された半導体層２２０を有しており、サブマウント基板２１０のうち半導体層２２０が積層された面につながる側面２１０の少なくとも一部を覆い、半導体層２２０からの光を透過しない白色樹脂７００を備え、白色樹脂７００に覆われた側面２１１は、半導体層２２０の積層方向である第１方向において半導体層２２０寄りに位置し、第１方向視において半導体層２２０から遠ざかる方向に突出する突出部２１１ａを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体及びその製造方法、並びにその結晶積層構造体を含む低電圧駆動の半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含み、Ｇａ_２Ｏ_３基板２の表面の窒化物半導体層４の直下の領域をバッファ層３が被覆する割合が１０％以上、１００％未満であり、窒化物半導体層４の一部がＧａ_２Ｏ_３基板２の表面に接触する、結晶積層構造体１を提供する。 （もっと読む）