【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、下地層と、第１積層中間層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記下地層は、基板の上に形成されたＡｌＮバッファ層を含む。前記第１積層中間層は、前記下地層の上に設けられた第１ＡｌＮ中間層と、前記第１ＡｌＮ中間層の上に設けられた第１ＡｌＧａＮ中間層と、前記第１ＡｌＧａＮ中間層の上に設けられた第１ＧａＮ中間層と、を含む。前記機能層は、前記第１積層中間層の上に設けられている。前記第１ＡｌＧａＮ中間層は、前記第１ＡｌＮ中間層に接する第１ステップ層を含む。前記第１ステップ層におけるＡｌ組成比は、前記第１ＡｌＮ中間層から前記第１ステップ層に向かう積層方向において、ステップ状に減少している。 （もっと読む）

【課題】透明保護膜の膜厚に左右されずに発光層からの光の、透明保護膜の膜厚による減衰を抑制または防止して、電極やパッドといった光を遮蔽させるパターンの影響をも最小化することができて、光出力の向上とより均一な面発光を実現する。
【解決手段】両電極間に所定電圧を印加して積層間にある活性層４である発光層で発光する発光素子としてのＧａＮ系ＬＥＤ１において、両電極および両電極が設けられた積層表面を絶縁保護する透明保護膜９が設けられ、この透明保護膜９には透明な光散乱材９ａが混合されている。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、発光効率などの光電変換効率に優れたｐｎ接合素子を提供すること。
【解決手段】ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの他方の無機成分が、柱状、ジャイロイド状および層状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造体と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、を備えており、
前記ナノヘテロ構造体中の前記ｐ型半導体材料と前記ｎ型半導体材料とによって形成されているｐｎ接合面の端部が前記ｐ型半導体層および前記ｎ型半導体層のうちの少なくとも一方の半導体層の表面と接触するように、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とが前記ナノヘテロ構造体を挟持していることを特徴とするナノヘテロ構造ｐｎ接合素子。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形の第１層と、ｐ形の第２層と、第１層と第２層との間に設けられた発光部と、第１層と発光部との間に設けられた第１積層構造体と、第１層と第１積層構造体との間に設けられた第２積層構造体と、を含む半導体発光素子が提供される。発光部は、複数の障壁層と、複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。第１積層構造体は、窒化物半導体を含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層され井戸層の厚さよりも薄いＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。第２積層構造体は、第３層の組成とは異なる組成を有する窒化物半導体を含む複数の第５層と、複数の第５層と交互に積層され井戸層の厚さよりも薄いＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】色度ばらつきを低減した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第１の面とその反対側に形成された第２の面と発光層とを含む半導体層と、第２の面における発光層を有する領域に設けられたｐ側電極と、第２の面における発光層を含まない領域に設けられたｎ側電極とをそれぞれが含む３つ以上のチップと、第１の面上に設けられた同種類の蛍光体層とを備えている。チップは、平面視で中央に位置する中央チップと、中央チップを挟んで対称配置された少なくとも２つの周辺チップとを有する。周辺チップ間で第１の面上の蛍光体層の厚さは同じであり、中央チップの第１の面上の蛍光体層と、周辺チップの第１の面上の蛍光体層とは、厚さが異なる。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含むｎ形の第１層と、窒化物半導体を含むｐ形の第２層と、発光部と、第１積層体と、を含む半導体素子が提供される。発光部は。第１層と第２層との間に設けられる。発光部は、複数の障壁層と、複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。第１積層体は、第１層と発光部との間に設けられる。第１積層体は、ＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。第１積層体は、第１積層体の発光部側の面に設けられた凹部を有する。凹部の少なくとも一部に発光部の一部及び第２層の一部が埋め込まれている。第２層の一部は、埋め込まれた発光部の一部の上にある。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、積層体と、第１電極と、第２電極と、反射層と、を含む半導体発光素子が提供される。前記基板は、主面を有する。前記積層体は、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を含む。前記第１半導体層は、前記主面上に設けられ、第１部分と、前記第１部分と並置された第２部分と、を有し、第１導電形である。前記発光部は、前記第２部分上に設けられる。前記第２半導体層は、前記発光部上に設けられ第２導電形である。前記第１電極は、前記第１半導体層の前記第１部分上に設けられる。前記第２電極は、前記第２半導体層上に設けられる。前記反射層は、前記基板の側面と前記積層体の側面とを覆い、前記発光部から放出される発光光に対して反射性である。 （もっと読む）

【課題】 発光強度の高い赤色発光のフッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ４価Ｍｎで付活された、Ｋ_ｘＮａ_ｙ［Ｍ_１−ａＭｎ^４＋_ａＦ_６］［ＢＦ_４］_ｂ（ただし、Ｋはカリウム、Ｎａはナトリウム、Ｂはホウ素、Ｆはフッ素であり、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆの第４族元素及びＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎの第１４族元素から選ばれる少なくとも１種以上である。ｘ、ｙ、ａ、ｂは、０．６≦ｘ≦１．５、０．９≦ｙ≦１．６、０＜ａ≦０．２、０．２≦ｂ≦１．０である。）で表されるフッ化物蛍光体である。フッ化物蛍光体は、ＣｕのＫα線を用いた粉末Ｘ線回折測定（ＸＲＤ）において、２１．６°〜２２．１°、２７．７°〜２８．２°、２９．３°〜２９．８°、３９．０〜３９．５°のいずれかに最大ピークを示し、かつ、それぞれの強度が最大ピークの１／３以上の強度を有する。 （もっと読む）

【課題】発光スペクトルの幅が広く、発光効率の高いIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０を有し、サファイア基板１０上にｎコンタクト層１１、ホールブロック層１２、発光層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が順に積層されている。ホールブロック層１２は、厚さ１００Åのｎ−ＡｌＧａＮからなる。発光層１３は、ＩｎＧａＮからなる井戸層１３０と、ＧａＮからなる障壁層１３１とを１ペアとして、４ペア繰り返し積層したＭＱＷ構造である。井戸層１３０は、ｎコンタクト層１１に近い側から順に井戸層１３０−１、１３０−２、１３０−３、１３０−４として、井戸層１３０−ｉ（１≦ｉ≦４）のＩｎ組成比をｘｉ（単位は％、以下も同様）とすれば、ｘ１＞ｘ２＞ｘ３＞ｘ４となるよう井戸層１３０−１〜１３０−４は構成されている。 （もっと読む）

【課題】発光特性のばらつきを抑制することができ、且つ、光の取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の一方の主面の側に設けられた第１の電極と、前記第１の電極の上に設けられた第２の電極と、前記第２の電極の上に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２の半導体層と、を備えている。
そして、前記第２の電極は、前記第１の半導体層が設けられる側の面に複数の第１の凹部を有している。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 第１の方向に長い基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイは、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層と、前記半導体発光層の上方に形成される蛍光体層とを有し、前記半導体発光層の平面形状が、前記第１の方向に平行な底辺と、該底辺に垂直な線に対して傾斜する部分を含む少なくとも１つの辺を有し、前記半導体発光層の前記第１の方向の幅が前記底辺から離れるに従い減少する形状である。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に窒化物半導体層を形成するに際し、基板に被着した堆積物の除去が容易な窒化物半導体積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層構造体の製造方法では、第１および第２の面１１ａ、１１ｂと第１熱膨張係数α１を有する基板１１の第２の面１１ｂに、第1保護膜３１を形成する。第１保護膜３１が形成された基板１１の第１の面１１ａに、第１熱膨張係数α１と異なる第２熱膨張係数α２を有する第１窒化物半導体層１２を形成する。第１窒化物半導体層１２に、第２保護膜３４を形成する。第１保護膜３１を除去し、基板１１の第２の面１１ｂを露出させる。露出した基板１１の第２の面１１ｂに、第２熱膨張係数α２に略等しい第３熱膨張係数α３を有する第２窒化物半導体層１３を形成する。第２保護膜３４を除去し、第１窒化物半導体層１２を露出させる。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、リードフレームと封止樹脂と間の剥離を抑制し、信頼性を向上させた発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る発光装置は、第１のリードと、発光素子と、第２のリードと、成型体と、を備える。前記第１のリードには、前記発光素子が固着される。前記第２のリードは、前記第１のリードから離間して設けられ、前記発光素子の電極に金属ワイヤを介して電気的に接続される。そして、前記成型体は、前記発光素子と、前記第１のリードの前記発光素子が固着された端部と、前記第２のリードの前記金属ワイヤがボンディングされた端部と、を覆う封止樹脂からなる。さらに、前記第２のリードの表面において、前記成型体の外縁に接する第１の部分と、前記金属ワイヤがボンディングされた第２の部分と、の間に、前記第１の部分から前記第２の部分に向かう方向に交差し、前記封止樹脂が充填された第１の溝が設けられる。 （もっと読む）

【課題】白色ＬＥＤ用の励起光源に適したＧａＮ系発光ダイオード素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオード素子は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板と、該ｍ面ＧａＮ基板のおもて面上にＧａＮ系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が２０ｍＡのときの順方向電圧が４．０Ｖ以下である。 （もっと読む）

【課題】種々の構成材料からなる半導体発光デバイス用パッケージに対する密着性、ガスバリア性、耐熱性、耐光性、成膜性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離、着色を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、必要に応じて蛍光体を保持することのできる新規な熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を硬化させた半導体デバイス用部材、およびこれらを用いた半導体発光デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）平均組成式が下記一般式（１）：
（Ｒ^１Ｒ^２ＳｉＯ_２／２）_ａ（Ｒ^３ＳｉＯ_３／２）_ｂ（ＳｉＯ_４／２）_ｃ（Ｏ_１／２Ｒ^４）_ｄ・・・（１）
で表され、エポキシ当量が２５０〜７００ｇ／当量であるポリシロキサン、（Ｂ）硬化剤および（Ｃ）硬化触媒を含む熱硬化性樹脂組成物であって、
該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物について、動的粘弾性測定によって得られる損失正接（Ｔａｎδ）におけるピーク温度（Ｋ）に対するピーク半値幅（Ｋ）の比が０．１８以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物、該樹脂組成物を硬化させた硬化物よりなる半導体デバイス用部材、該半導体デバイス用部材を備えてなる半導体発光デバイス。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に形成された第１透明導電層１５ａと、第１透明導電層１５ａ上に部分的に形成された金属反射層２ａと、金属反射層２ａ上を覆うように形成された第２透明導電層１５ｂと、金属反射層２ａと平面視で重なる位置の第２透明導電層１５ｂ上に形成された正極１７とを備え、第１透明導電層１５ａおよび第２透明導電層１５ｂが、Ｉｎ_２Ｏ_３を８０質量％以上含む半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】
従来に比較して順方向電圧を低くできる窒化物半導体素子を提供する。
【課題手段】ＳｉがドープされたＧａＮからなるｎ側コンタクト層を含むｎ側窒化物半導体層と活性層とｐ側窒化物半導体層とを備え、ｎ側窒化物半導体層にｎ側コンタクト層よりＳｉ不純物濃度の高いＡｌｘＧａ１−ｘＮ（１＞ｘ＞０）層を有する。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記複数の第２配線層のうち、前記半導体発光層の他の前記半導体発光素子間との端部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量が、前記半導体発光層の中心部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量よりも高い半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】発光部が発光した光のうちのより多くの光を、基板の法線方向に放射させることができる自発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】複数の柱状の発光部１０４を基板１０１上に互いに間隔をおいた状態で配置する。各発光部１０４が、第１導電型の半導体１０７と、第２導電型の半導体１０８とを有するようにする。発光部１０４の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率体１０６を、各発光部１０４の側壁に接触するように配置する。 （もっと読む）

【課題】欠陥修復後に新たな短絡が発生するのを防止し得る半導体素子の修復方法を提供する。
【解決手段】欠陥を検出する欠陥検出工程と、欠陥の上面に位置する透明導電膜８、ｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５、活性化層４及びびｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層３を上側から除去加工する除去加工工程とを含む。除去加工工程においては、透明導電膜８の残渣Ｒの垂下長さＬがｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５と活性化層４との合計膜厚Ｈよりも短くなるように透明導電膜８が除去加工される。 （もっと読む）