【課題】演色性の高い発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール１０は、紫外線又は短波長可視光を発する半導体発光素子１８と、紫外線又は短波長可視光により励起され可視光を発光する第１の蛍光体と、紫外線又は短波長可視光により励起され、第１の蛍光体が発光する可視光と補色の関係にある可視光を発光する第２の蛍光体と、紫外線又は短波長可視光により励起され、第１の蛍光体が発光する可視光のピーク波長と第２の蛍光体が発光する可視光のピーク波長との間にピーク波長を有する、可視光を発光する第３の蛍光体と、を備える。第３の蛍光体は、発光素子の発光スペクトルのピーク波長における励起スペクトルの強度をＩａ、第１の蛍光体または第２の蛍光体の発光スペクトルのピーク波長における励起スペクトルの強度をＩｂとすると、Ｉｂ＜Ｉａ×０．１５を満たす。 （もっと読む）

【課題】 高輝度化を図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】 光源としてのＬＥＤチップ２００を備えたＬＥＤモジュール１０１であって、ＬＥＤチップ２００は、Ｓｉからなるサブマウント基板２１０、およびサブマウント基板２１０上に積層された半導体層２２０を有しており、サブマウント基板２１０のうち半導体層２２０が積層された面につながる側面２１０の少なくとも一部を覆い、半導体層２２０からの光を透過しない白色樹脂７００を備え、白色樹脂７００に覆われた側面２１１は、半導体層２２０の積層方向である第１方向において半導体層２２０寄りに位置し、第１方向視において半導体層２２０から遠ざかる方向に突出する突出部２１１ａを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体及びその製造方法、並びにその結晶積層構造体を含む低電圧駆動の半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含み、Ｇａ_２Ｏ_３基板２の表面の窒化物半導体層４の直下の領域をバッファ層３が被覆する割合が１０％以上、１００％未満であり、窒化物半導体層４の一部がＧａ_２Ｏ_３基板２の表面に接触する、結晶積層構造体１を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ、第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ、第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で電極面の周辺部から漏れ出す光を減少させたフリップチップ実装用の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１７の周囲に存在し、ＬＥＤ素子１０をウェハー３１から切り出す際の切りしろとなったストリートライン２３の上に、遮光部材として金属膜１１，１２を配置した。金属膜１１，１２はスリット１８で４分割している。また金属膜１１，１２は、ｐ側及びｎ側の突起電極１３，１４のアンダーバンプメタル層である金属膜２２と等しい材料からなっている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、III族元素を含む障壁層と、前記ｎ形半導体層から前記ｐ形半導体層に向けた方向に前記障壁層と積層されIII族元素を含む井戸層と、を有する。前記障壁層を、前記ｎ形半導体層側の第１部分と、前記ｐ形半導体層側の第２部分と、に分けた場合、前記第２部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比は、前記第１部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも低い。前記井戸層を、前記ｎ形半導体層側の第３部分と、前記ｐ形半導体層側の第４部分と、に分けた場合、前記第４部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比は、前記第３部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも高い。 （もっと読む）

【課題】フリップチップタイプの発光素子の発光効率を向上させながら、発光素子パッケージに実装したときの安定性及び信頼性が確保される発光素子を提供すること。
【解決手段】支持部材と、支持部材上に配置された第１の半導体層、第２の半導体層、及び第１の半導体層と第２の半導体層との間に介在する活性層を有する発光構造物と、第１の半導体層の第１の領域が露出し、第１の領域の第１の半導体層上に配置された第１の電極と、第２の半導体層上に配置された第２の電極と、少なくとも第１の電極と発光構造物との間に配置された絶縁層とを備え、第１の半導体層と第２の半導体層は互いに異なる導電性半導体層であって、活性層は、少なくとも一対の井戸層及び障壁層を有し、井戸層は障壁層より小さいバンドギャップを有し、第１の電極は、上面の面積が第２の半導体層の面積に対比して４０％〜９９％の面積を有する発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップを封止する封止層の膜強度を高めて、ＬＥＤ装置の耐久性を向上させることを目的とする。
【解決手段】特定波長の光を出射するＬＥＤ発光素子と、前記ＬＥＤ発光素子からの特定波長の光を、他の特定波長の光に変換する波長変換部位とを有するＬＥＤ装置であって、前記波長変換部位は、蛍光体と、アルミニウムケイ酸塩と、バインダとを含む層である、ＬＥＤ装置を提供する。前記アルミニウムケイ酸塩は、好ましくはイモゴライトである。 （もっと読む）

【課題】平坦な表面を有し、結晶性の高い窒化物半導体下地層を、反りを抑えて、大きな成長速度で成長させることができる窒化物半導体構造の製造方法を提供する。
【解決手段】第３の窒化物半導体下地層を形成する工程において、第３の窒化物半導体下地層の成長時に単位時間当たりに供給されるＶ族原料ガスのモル量と単位時間当たりに供給されるＩＩＩ族原料ガスのモル量との比であるＶ／ＩＩＩ比を７００以下とし、第３の窒化物半導体下地層の成長時の圧力を２６．６ｋＰａ以上とし、第３の窒化物半導体下地層の成長速度を２．５μｍ／時以上とする、窒化物半導体構造の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率を向上させるとともに、容易かつ再現性良く製造可能な半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１は、電力を供給することで発光する発光層１２を有した半導体積層構造１１〜１３と、半導体積層構造１１〜１３の上面に形成されて発光層１２が出射する光に対して透明であり導電性を有する透明電極１４と、透明電極１４の上面に形成されて発光層１２が出射する光に対して透明であり透明電極１４よりも屈折率が高い透明高屈折率膜１５と、を備える。透明高屈折率膜１５は、透明電極１４から離れるに従い連続的または段階的に屈折率が低くなり、かつ、透明電極１４からの距離にかかわらず組成が一様である。 （もっと読む）

【課題】欠陥を抑制した高効率の半導体発光素子及び半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、４４０ナノメートル以上のピーク波長の光を放出する発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層には、引っ張り歪が印加されている。前記第１半導体層における刃状転位密度は、５×１０^９／ｃｍ^２以下である。前記第１半導体層と前記発光層との間の格子不整合率は、０．１１パーセント以下である。 （もっと読む）

【課題】
ｐ側窒化物半導体層における電流拡散性を向上させた窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体素子であって、前記ｐ型窒化物半導体層において、ｐ型コンタクト層と、前記ｐ型コンタクト層と組成の異なるＡｌＮ層とを有し、前記ｐ型コンタクト層と前記ＡｌＮ層とが接していることを特徴とする窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、交互に積層された、複数の障壁層と、複数の井戸層と、を含む。前記複数の障壁層のうちで最も前記ｐ形半導体層に近いｐ側障壁層は、III族元素を含む第１層と、前記第１層と積層されIII族元素を含む第２層であって、前記第２層のIII族元素中におけるＩｎ組成比が、前記第１層のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも高い、第２層と、を含む。前記ｐ側障壁層の平均Ｉｎ組成比は、前記複数の障壁層のうちで最もｎ形半導体層に近いｎ側障壁層の平均Ｉｎ組成比よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることが可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供す
る。
【解決手段】 光を出射する発光部２と、前記発光部２の一方の主面Ｍ１側に設けられ、
蛍光体を含有する波長変換部８と、前記波長変換部８上に設けられている透明樹脂部９と
を備え、透明樹脂部９は、弾性率とショア硬さのうち少なくとも一方の値が波長変換部８
より高いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】安価な基板を用いた簡便な片面配線基板の構造を採りつつ、放熱特性を良好に保つ。
【解決手段】波長が４５０ｎｍの光に対し、少なくとも第１主面１０ａの全反射率が８０％以上であり、５０ｍｍ以下の曲率半径で折り曲げ可能な電気的絶縁基板１０と、電気的絶縁基板１０を貫通するビアホール１３内に充填された金属材からなる金属充填部３０と、電気的絶縁基板１０の第１主面１０ａ側に設けられ、電気的絶縁基板１０と共に一部が電気的絶縁基板１０の第２主面１０ｂ側へと折り曲げられている銅配線パターン２０ｐと、第１主面１０ａ側の金属充填部３０上に搭載され、第１主面１０ａ側の銅配線パターン２０ｐにボンディング接続された発光素子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子の半導体層の厚さを減少させ、発光素子の光抽出効率を改善しようとすること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を有する発光構造物と、前記発光構造物の下部に位置し、第２の導電型半導体層と電気的に連結された第２の電極層と、第２の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、第２の電極層、第２の導電型半導体層及び活性層を貫通して第１の導電型半導体層と接する少なくとも１つの接触電極を有する第１の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間及び第１の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層とを備え、第１の導電型半導体層は、第１の領域と、第１の領域と区分され、第１の領域より高さの低い第２の領域とを有し、第１の領域は前記接触電極と重畳されている。 （もっと読む）

【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成された低接触抵抗のｎ側電極を有するＧａＮ系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板１１０と、基板１１０上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層１２０と、を有するエピウェハを準備する第１ステップと、前記エピウェハに含まれる基板１１０の裏面をポリッシングする第２ステップと、前記第２ステップでポリッシュされた基板１１０の裏面全体にｎ側オーミック電極を形成する第３ステップと、前記第３ステップで形成された前記ｎ側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第４ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】高性能で高信頼性の、銀を用いた電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、反射電極と、酸化物層と、窒素含有層と、を含む半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられる。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、第２導電形である。反射電極は、第２半導体層の上に設けられ、Ａｇを含む。酸化物層は、反射電極の上に設けられ、開口部を有し、絶縁性である。窒素含有層は、酸化物層の上に設けられ、開口部に繋がる開口部を有し、絶縁性である。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子５０１は、基板としてのサファイア基板１と、この基板の表面において、互いに異なる導電型を有する２つの半導体層としてのｎ型半導体層２およびｐ型半導体層４によって厚み方向に挟まれる状態で配置された発光層３と、前記２つの半導体層のうちの前記基板から遠い側の一方の半導体層であるｐ型半導体層４に重なるように配置された透明電極層５と、透明電極層５の上面の少なくとも一部を覆うように、透明電極層５よりも高い屈折率を有する透明材料で設けられた平坦層８と、平坦層８の上側に配置された凹凸層９とを備える。 （もっと読む）