【課題】 光取り出し効率に優れた発光素子を提供し、低コスト化、歩留まり向上、高効率化を実現する。
【解決手段】 第１クラッド層、活性層、及び第２クラッド層がこの順に積層されてなる発光素子である。第２クラッド層は、表面に成長時に形成される成長ピットを有するとともに、厚さが１００ｎｍ以上とされている。また、第２クラッド層の厚さは、真空中での発光波長をλ、第２クラッド層の屈折率をｎとしたときに、λ／２ｎ以上となるように設定する。第２クラッド層の気相成長に際しては、成長温度を１０００℃以下としてその表面に成長ピットを形成し、且つ、厚さが１００ｎｍ以上となるまで気相成長させる。また、水素を含む雰囲気中で気相成長する。 （もっと読む）

【課題】形成後のアニーリングを行なうことなく良質なｐ型窒化物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板温度を約１０５０℃にして、ＭｇがドープされたＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層を成長させる。その後、冷却工程において、基板温度が略９５０℃〜略７００℃の間に、雰囲気の水素濃度（％）をＸ軸、冷却時間（分）をＹ軸とし、座標を（Ｘ、Ｙ）として、点Ａ（５０、１．０）、点Ｂ（３０、１．８）、点Ｃ（１０、４．１）、点Ｄ（０、１５）、点Ｅ（０、０．５）、及び点Ｆ（５０、０．５）で表される各点によって囲まれた領域ＡＢＣＤＥＦ内で規定される雰囲気の水素濃度と冷却時間の組合わせで冷却する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系半導体発光素子における外部光取出し効率を改善すること。
【解決手段】 発光ダイオード１の窒化物系半導体４の側面に、窒化物系半導体４の光取出し側主面Ｘの面積が対向主面Ｙの面積より大きくなるように傾斜した傾斜側面４Ａを形成し、傾斜側面４Ａに反射膜７を設けた。傾斜側面４Ａの傾斜角度αは、１０５°以上１６５°以下とするのが好ましい。光取出し側主面Ｘに反射防止膜６を設けるとともに、対向主面Ｙ側に接着／反射層３２を設けることにより、外部光取出し効率がさらに改善される。 （もっと読む）

【課題】 多孔質発光層を有する発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板、
第１導電クラッド層、
第２導電クラッド層、ならびに
第１導電クラッド層と第２導電クラッド層の間に形成された少なくとも１つの多孔質発光層、ここで該多孔質発光層は上側障壁層、下側障壁層およびキャリアトラップ層を有し、該キャリアトラップ層は該上側障壁層と該下側障壁層の間に位置し、該キャリアトラップ層は複数の谷形状構造を画定するための複数の山形構造を有し、該キャリアトラップ層はインジウム含有窒化物構造であり、該キャリアトラップ層のエネルギーバンドギャップが、該上側障壁層および該下側障壁層のものよりも小さい、
を含んでなる、多孔質発光層を有する発光素子。 （もっと読む）

本発明に係る発光素子用シリコン窒化膜は、シリコン窒化物基底体と、その内部に同時に形成されたシリコンナノ結晶構造と、を含む。このシリコン窒化膜を利用すれば、発光効率に優れていて、且つ、青色及び紫色のような短波長領域をはじめとする可視光線領域だけでなく、近赤外線領域での発光も可能な発光素子を形成することができるという効果がある。
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【課題】 発光効率と信頼性との両方が高い半導体発光素子を提供することが困難であった。
【解決手段】 ｎ型半導体層６と活性層７とｐ型半導体層８とｐ型補助半導体層９とを有する発光機能を有する半導体領域３と導電性を有する支持基板１との間にＡｇ又はＡｇ合金から光反射層２を設ける。光反射層２は半導体領域３の一方の主面に形成したＡｇ又はＡｇ合金から成る第１の貼合せ層と支持基板１の一方の主面に形成したＡｇ又はＡｇ合金から成る第２の貼合せ層との接合によって形成する。光反射層２の側面２２と半導体領域３の側面２３とのいずれか一方又は両方を保護層６で覆ってマイグレーションを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜結晶を沈積させ、さらに基板上でＩＩＩ−Ｖ構造部品とシリコン構造部品を組み合わせる。
【解決手段】 本発明は、厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜を非ＩＩＩ−Ｖ基板、特にシリコン基板に、ガス状の初期物質を反応炉の処理室に導入することによって沈積する方法に関するものである。シリコン基板に厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜結晶を、欠点となる格子応力を生じさせることなく沈積するため、本発明は２つのＩＩＩ−Ｖ皮膜の間に薄い中間皮膜を、低下させた成長温度で沈積することを提案している。
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高いフィルファクターを有するテクスチャード発光ダイオード構造体は、エピタキシャル横方向成長（ＥＬＯＧ）によってパターニングされた基板（１）に成膜されたドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第１のテクスチャードクラッド／コンタクト層（２）と、ＩＩＩ−Ｖ族若しくはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含み、電子と正孔の放射再結合又はサブバンド間遷移が発生するテクスチャード非ドープ又はテクスチャードドープ活性層（３）と、ドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第２のテクスチャードクラッド／コンタクト層（４）と、を含む。
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【課題】 半導体素子の半導体積層構造を出来る限りシンプルにする。
【解決手段】 金属窒化層からなる下地層の上に低温成長バッファ層を介在させることなくIII族窒化物系化合物半導体層が形成されている半導体素子であって、前記金属窒化物層が赤茶色の窒化チタンからなる。この赤茶色の窒化チタンは、窒化チタンにおいて窒素をリッチにすることにより得られる。
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【課題】サファイアやＳｉＣ等の異材質基板上にＭｇＺｎＯ系酸化物素子層をＭＯＶＰＥ法により成長できる化合物半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】結晶ａ軸を主表面法線としたサファイア単結晶基板又は結晶ｃ軸を主表面法線としたＳｉＣ単結晶基板からなる成長用基板１０の主表面上に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなるバッファ層１１、素子層２４を形成して、第一の成長温度にて成長される第一の単位層１１Ａと第一の温度よりも高温の第二の単位層１１Ｂとを、成長用基板１０の側からこの順序で交互に積層することにより第一バッファ積層体１１Ｍを形成し、第一バッファ積層体１１Ｍ上に、Ｍｇ_ＢＺｎ_１−ＢＯからなる第三の単位層１１Ｂ’と、該第三の単位層１１Ｂ’よりも格子定数が大きいＩＩ−ＶＩ族化合物半導体よりなる第四の単位層１１Ｃとを交互に積層することにより第二バッファ積層体１１Ｎを形成する。 （もっと読む）

オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板は、Ａ）アルカリ金属（Ｉ族元素、IUPAC 1989）の少なくとも１種を含有する窒化物バルク単結晶層、及びＢ）気相エピタキシャル成長法で形成した窒化物層を備え、層Ａ）及びＢ）は層Ａ）の非Ｎ極性面及び層Ｂ）のＮ極性面で結合する。ゆえに、
形成したテンプレート型基板は良好な欠陥密度を有し、（０００２）面からのＸ線ロッキングカーブの半値幅が８０以下という良好な値であり、形成した基板は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥおよびＨＶＰＥといった気相から形成するエピタキシ基板に非常に有用であり、レーザダイオードや高出力ＬＥＤといった良好なオプトエレクトロニクス機器やＭＯＳＦＥＴといった良好なエレクトロニクス機器を製造できる。
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オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板は、気相エピタキシャル成長法により形成した窒化物の層を備え、窒化物基板の両主面が実質的にそれぞれ非Ｎ極性面とＮ極性面からなり、基板の欠陥密度が５×１０^５／cm²以下である。ゆえに、テンプレート型基板は良好な欠陥密度を有し、（０００２）面からのＸ線ロッキングカーブの半値幅が８０以下という良好な値であり、形成したテンプレート型基板は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥおよびＨＶＰＥといった気相から形成するエピタキシ基板に非常に有用であり、レーザダイオードや高出力ＬＥＤといった良好なオプトエレクトロニクス機器やＭＯＳＦＥＴといった良好なエレクトロニクス機器を製造できる。
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【課題】コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７およびＩＴＯ透明電極１１０を備えている。このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７のキャリア濃度は１．０×１０¹⁹ｃｍ^-3に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。クラックの生じない自立ＧａＮ基板を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
初め低温で成長させマスク上に多結晶微粒子を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部だけに窒化ガリウム薄膜が成長するようにし、マスクの端から傾斜して伸びるファセットを充分に広くなるようにし、ファセットから方位反転した爪状の突起がマスクの上方へ伸びるようにする。突起が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】誘電体マスクを用いることなく作製可能な構造を有しており実屈折率導波が可能である半導体光素子を提供する。
【解決手段】活性層５は、第１導電型半導体領域３の第２の半導体部３ｂ上に設けられている。活性層５は、一対の側面５ａを有している。第２導電型半導体領域７は、第１導電型半導体領域３の第１の半導体部３ａの第２の領域３ｄ上、第２の半導体部３ｂの側面３ｅ上、活性層５上、及び活性層５の側面５ａ上に設けられている。第２導電型半導体領域７の第２の領域７ｄは第１導電型半導体領域３の第２の領域３ｄおよび第２の半導体部３ｂの側面７ｅとｐｎ接合を構成している。活性層５は、第１導電型半導体領域３の第１の領域３ｃと第２導電型半導体領域７の第１の領域７ｃとの間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 所望の発光色を得るため、色調調整が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】 青色光を放出する発光素子１０と、発光素子１０からの光の一部を吸収し、波長変換を行い、発光素子１０の光よりも長波長領域の光を放出する蛍光物質１１と、を有する発光装置であって、蛍光物質１１から放出される光は可視光領域に発光ピーク波長を持ち、蛍光物質１１は、緑色に発光するＹＡＧ蛍光体と、赤色に発光する窒化物蛍光体とを有し、窒化物蛍光体はＣａ_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ及び（Ｃａ_０．７Ｓｒ_０．３）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕの発光ピーク波長が１０ｎｍ以上異なる。 （もっと読む）

半導体チップ（１）を薄膜技術により製造するために、活性層列（２０）が成長基板（３）上に被着され、続いて活性層列（２０）上にパターニングすべき反射性かつ導電性のコンタクト層（４０）が形成される。次いで活性層列（２０）および反射性かつ導電性のコンタクト材料層（４０）がパターニングされ、これにより活性層体（２）およびその上の反射性かつ導電性のコンタクト層（４）が形成される。続いて補助支持体層としてフレキシブルな導電性シート（６）がコンタクト層（４）上に被着され、成長基板（３）が除去される。
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【課題】 発光ダイオードのスペクトルの広帯域性を確保しつつ、変調振幅電流を低減させるとともに、消光比を大きくする。
【解決手段】 光ダイオードには、ＧａＩｎＡｓＰ系活性層１３が設けられるとともに、ＧａＩｎＡｓＰ系活性層１３にキャリアを注入する注入部Ｒ１および変調部Ｒ２が設けられ、注入部Ｒ１は、光出力に対する活性層長の閾値以下の長さになるようにＧａＩｎＡｓＰ系活性層１３にキャリアを注入し、変調部Ｒ２は、注入部Ｒ１によるキャリアの注入領域の長さとの合計が光出力に対する活性層長の閾値以上の長さになるようにＧａＩｎＡｓＰ系活性層１３にキャリアを注入する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体結晶２０２を格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板２０１の（ＡＢＣＤ）［Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に−４〜４の整数。］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】成長後にあえて粗面化処理を行うことなく、既にウェハの段階で、凹凸に荒らされた最表面を持つ発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】導電性の基板１上に、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４及びＡｌＧａＡｓもしくはＡｌＧａＩｎＰからなる電流分散層５を積層したダブルへテロ構造を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、最表面の電流分散層５の成長中にＶ族ガスの供給を一定の間隔で入れたり、切ったりすることで、最表面の電流分散層５に故意に凸凹５ａを設ける。 （もっと読む）