【課題】 酸素をｎ型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 （もっと読む）

高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）は、基板と、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層から構成される。上記発光ダイオードは、例えば、横方向エピタキシャル成長（ＬＥＯ）によるものであり、１つ以上の発光種（例えば、量子井戸）を含む。パターニングされた層は、パターニングされ穿孔または貫通されたマスク（絶縁材料または半導性材料または金属材料から構成されている）と、マスク内のホールを充填する材料とを備えている。パターニングされた層は、アクティブ層との屈折率のコントラストに起因して光閉じ込め層として機能し、かつ／またはマスクと上記マスク内のホールを充填する材料との間の屈折率の変化に起因して埋め込み回折格子として機能する。
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【課題】 ＬＥＤアレイチップにおいて、各ＬＥＤの発光強度がＬＥＤの点灯数や点灯状態に依存して変動することなく、常に安定した点灯制御が行なえるＬＥＤアレイチップを提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板上に形成された導電層１３に、互いに素子分離されて各々が一つの発光部１５を有すると共に最下層にコンタクト層を有する半導体エピフィルム１４を、ボンディングによって直線状に配列し、各半導体エピフィルム１４のコンタクト層を共通電極となる導電層１３に電気的にコンタクトすると共に、各半導体エピフィルム１４の最上層のコンタクト層に、駆動ＩＣの駆動端子に接続された個別電極１６を電気的にコンタクトした構成とする。 （もっと読む）

発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造する方法は、基板ウェハ上に複数のＬＥＤを設けるステップを含み、各ＬＥＤはＳｉＣ基板上に形成された第ＩＩＩ族窒化物材料のｎ型およびｐ型層を有し、ｎ型層は基板とｐ型層の間に挟まれる。ＬＥＤを保持するための外側面を有する導電性キャリアが用意される。ＬＥＤは、導電性キャリアの外側面上にフリップチップ実装される。ＬＥＤからＳｉＣ基板は取り除かれ、ｎ型層が最上層となる。ＬＥＤのそれぞれのｎ型層上にそれぞれのコンタクトが堆積され、キャリアは各部分に分離され、それによりＬＥＤが他から分離され、ＬＥＤのそれぞれが前記キャリアのそれぞれの部分に取り付けられるようになる。
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【課題】量子効果を利用したシリコン系発光層を量子閉じ込め構造とすることで、発光効率が高い発光素子を得ることを可能とする。
【解決手段】基板上に形成された量子効果を利用したシリコン系発光層を有する発光素子１において、前記量子効果を利用したシリコン系発光層は量子閉じ込め構造を有するものであり、例えば、前記発光層は、電子のドブロイ波長と同等の大きさを有するシリコン系半導体微粒子１１を含んだシリコン酸化物薄膜（酸化シリコン層１２）を用いているものである。 （もっと読む）

【課題】 高輝度で紫外線を発光するダイヤモンド紫外線発光素子を提供する。
【解決手段】 低抵抗導電性基板１上に、プラズマＣＶＤ法等により、紫外線発生層であるＢドープダイヤモンド層２を形成する。その後、蒸着法により、このＢドープダイヤモンド層２上に、絶縁層として六方晶窒化ホウ素層３を形成する。更に、この六方晶窒化ホウ素層３上に電極４を形成する。この紫外線発光素子１０は、外部電源から電極４に負の電圧が印加される共に、導電性基板１に正の電圧が印加され、これにより、Ｂドープダイヤモンド層２において紫外線発光が生じる。 （もっと読む）

【課題】発光効率の低下なしに簡単な方法で製造でき、放熱効率が優秀な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０、基板１０上に形成され、所定の間隔でパターニングされた熱拡散層１１、熱拡散層１１を覆い、平坦な表面を有する平坦層１２、及び平坦層１２上に形成された発光部１８を備えることを特徴とする半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 高い発光効率を実現可能な半導体基板を容易に製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 p型基板１を多孔質化して多孔質層２を形成する基板多孔質化ステップと（ステップｂ）、ｐ型基板１の多孔質層２上に被処理層３を形成するステップと（ステップｃ）、被処理層３の少なくとも表面側を多孔質化するステップと（ステップｄ）、多孔質化された被処理層３をアニーリングすることによりｎ型半導体層４を形成するステップと（ステップｅ）を備える半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族元素半導体、III−Ｖ族化合物半導体、II−ＶＩ族化合物半導体、ＩＶ族化合物半導体、有機化合物半導体、金属結晶もしくはそれらの誘導体又はガラスから成る基板上に作製された短波長の光を放出又は吸収するよう機能する半導体光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、半導体光デバイスが、既存の半導体デバイスに用いられている材料から成る基板上に形成された高純度の酸化モリブデンを含む。これにより、深紫外波長領域から可視波長領域までの光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ、貫通転位密度が大幅に低減した高品質な炭化珪素(SiC)層を、シリコン(Si)基板上に形成する。
【解決手段】基板の面方位に対して鏡面対称なファセットの対が複数上部に形成されたSi基板上に、Siを一部含み、且つ前記Si基板より欠陥密度が多い半導体緩衝層を形成し、この上にSiC層を順次形成させることにより半導体装置を作成する。
【効果】半導体緩衝層内に発生した欠陥は、Si基板に垂直な軸、すなわち、基板の面方位に対して鏡面対称な対を持ち、対向する欠陥同士は会合・消滅する。上記緩衝層には炭化珪素層に比べて欠陥を生じ易い性質を持たせており、欠陥を緩衝層内部に内包させることが出来る。特定箇所に欠陥を高確率で発生させることで歪緩和を促進し、且つ上記欠陥の進行を制御することで欠陥を消滅させ、無歪み且つ低欠陥密度のSiC層の形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】
ｎ型ドーパントとして、Ｓｉの代わりにＧｅを用いた窒化物系化合物半導体であっても、Ｓｉを用いた窒化物系化合物半導体と同等もしくはそれ以上の発光特性、Ｖｆ特性等を示す化合物半導体を提供する。
【解決手段】
（１）ｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型の第３の層（キャリア濃度５×１０¹⁷〜５×１０¹⁸ｃｍ^-3）と、表面が凹凸であってＧｅがドーピングされ、第３の層よりキャリア濃度の高いｎ⁺型の第１の層（１×１０¹⁸〜３×１０¹⁹ｃｍ^-3）とを有し、かつ両者の層の間に、第１の層の凹凸を平坦化するように配され、第３の層よりキャリア濃度の低いｎ^-型の第２の層（１×１０¹⁴〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3）を有することを特徴とするｎ型窒化物系化合物半導体。
（２）ｎ型窒化物系化合物半導体層として、上記（１）のｎ型窒化物系化合物半導体からなる層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体。
なし （もっと読む）

【課題】磁気センサー、アクチュエーター、発光ダイオードなどへの応用が期待されてい
るマンガンがドープされた窒化ガリウムナノワイヤーの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末、リン化マンガン粉末および二酸化マンガン粉末の混合物
を、流量100〜400sccmのアンモニアガスを流しながら、1353〜1423Kの温度に0.5〜1時間
加熱して、直径100〜500ナノメートル、長さ数十マイクロメートルのマンガンがドープさ
れた窒化ガリウムナノワイヤーを製造する。 （もっと読む）

【課題】 従来のＳｉ半導体製造プロセスを利用して、大口径の基板として得ることができ、製造効率およびコスト面においても優位である窒化ガリウム系化合物半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板１表面にβ−ＳｉＣ層を気相成長により積層させて、厚さ０．１μｍ以上５μｍ以下のβ−ＳｉＣ層２からなる中間層を形成し、前記中間層の上に、窒化ガリウム系化合物層３を気相成長させることにより、窒化ガリウム系化合物半導体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 間接遷移型ではあってもバンドギャップから予測される発光波長よりも短い波長の光を放射することができ、ダイヤモンドの発光を実用のレベルまで引き上げることができるようにする。
【解決手段】 この発明のダイヤモンド半導体発光素子は、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３と、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３に接して形成されたダイヤモンド以外の材料からなるｎ型半導体層２４と、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３とｎ型半導体層２４との間の界面に形成された活性化領域層２９と、を備え、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３とｎ型半導体層２４とのそれぞれに形成した電極２５，２６に電流を注入したとき、ダイヤモンド材料が有するバンドギャップから予測される発光波長よりも短い波長の発光が活性化領域層から出力する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 III−V族化合物の半導体層に作成された半導体装置から発生する熱を効率よく半導体層外に排出させることができる構造物を提供する。
【解決手段】 窒化ガリウム（ＧａＮ）の半導体層４０と、その半導体層４０に接している下層６０を備えており、下層６０は、下層６０の表面から裏面まで伸びている金属領域５０を備え、下層６０の表面と裏面を結ぶ方向に直交する面内において、金属領域５０が間隔をおいて繰返して形成されていることを特徴とする構造物。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を含む発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】凹凸構造で形成された第１半導体層２２と、第１半導体層２２の凹凸構造のパターン間に形成された中間層２３と、第１半導体層２２及び前記中間層２３上に順次に形成された第２半導体層２４、活性層２５及び第３半導体層２６と、を備える凹凸構造を含む半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】種結晶と種結晶載置面との間に不純物の介在を防ぎ、線状貫通欠陥の発生を抑制できる種結晶固定方法を提供する。
【解決手段】種結晶載置面３の面積が種結晶５よりも小さい種結晶台座２を用い、第１の接着剤４で種結晶５と種結晶載置面３を接着する。次に、種結晶載置面３側の種結晶表面のうち、第１の接着剤４で接着されていない部分と種結晶台座２の側壁とを接続するように第２の接着剤６を塗布する。第２の接着剤６の熱硬化後、第１の接着剤４を加熱分解除去する。第１の接着剤４によって、第２接着剤６が種結晶５と種結晶載置面３との間へ溶出又は浸透することを防止でき、また、第２の接着剤の熱硬化後の高温加熱処理の際には、第１の接着剤４が加熱分解除去されるので、種結晶５と種結晶載置面３との間への不純物の介在を防止でき、線状貫通欠陥の発生の無い炭化珪素単結晶を製造できる。 （もっと読む）

半導体発光素子は、発光機能を有する半導体基板（２）とアノード電極（３）とオーミックコンタクト領域（４）と合金化阻止用の光透過層（２０）と金属光反射層（５）と導電性支持基板（８）とを有する。前記光透過層（２０）は絶縁性を有する材料から成り、前記半導体基板（２）と前記金属光反射層（５）との合金化を阻止する機能を有する。オーミックコンタクト領域（４）は光透過可能な厚みに形成される。前記半導体基板（２）から発生した光は前記光透過層（２０）を通って前記金属光反射層（５）で反射し、且つ前記オーミックコンタクト領域（４）を通って前記金属光反射層（５）で反射する。この結果、半導体発光素子の発光効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】 面積が広く反りが少なく自立できるＧａＮ単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 ＧａＡｓ（１１１）基板の上に千鳥型窓やストライプ窓を有するマスクを形成し、ＨＶＰＥ法またはＭＯＣ法により低温でＧａＮバッファ層を形成し、ＨＶＰＥ法により高温でＧａＮエピタキシャル層を厚く形成し、ＧａＡｓ基板を除去する。ＧａＮの自立膜を種結晶としてＨＶＰＥ法でＧａＮを厚付けしＧａＮインゴットを作る。これをスライサーによって切断し研磨して透明無色の反りの少ないＧａＮウエハを作る。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率に優れた発光素子を提供し、低コスト化、歩留まり向上、高効率化を実現する。
【解決手段】 第１クラッド層、活性層、及び第２クラッド層がこの順に積層されてなる発光素子である。第２クラッド層は、表面に成長時に形成される成長ピットを有するとともに、厚さが１００ｎｍ以上とされている。また、第２クラッド層の厚さは、真空中での発光波長をλ、第２クラッド層の屈折率をｎとしたときに、λ／２ｎ以上となるように設定する。第２クラッド層の気相成長に際しては、成長温度を１０００℃以下としてその表面に成長ピットを形成し、且つ、厚さが１００ｎｍ以上となるまで気相成長させる。また、水素を含む雰囲気中で気相成長する。 （もっと読む）