【課題】長時間のウエットエッチングやレジストパターンを用いる方法のように製造工程及び製造コストの増加をもたらすことがなく、光取出し効率の高い適度に荒れた表面を有する窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の窒化物半導体層の少なくとも１層をエピタキシャル成長させる際に、Ｖ族原料とＩＩＩ族原料の供給量のモル比を１０００以下として、最上部に形成された窒化物半導体層の表面に段差が５０ｎｍ以上の凹凸面を形成する。 （もっと読む）

ｐ型不純物がドープされ且つ十分な導電性を有するｐ型シリコン基板１を用意する。基板１の上にｎ型ＡｌＩｎＧａＮから成るバッファ領域３、ｎ型ＧａＮから成るｎ型窒化物半導体層１３、活性層１４、及びｐ型ＧａＮから成るｐ型窒化物半導体層１５を順次にエピタキシャル成長させる。ｐ型シリコン基板１にバッファ領域３のＧａ等の３族元素Ｇａが拡散し、低抵抗のｐ型拡散領域１ａが生じる。また、ｐ型シリコン基板１とｎ型ＡｌＧａＩｎＮから成るｎ型バッファ領域３とのヘトロ接合部分にｐ型シリコン基板１のキャリアの輸送を助ける界面準位が生じる。この界面準位によってシリコン基板１のキャリアのｎ型バッファ領域３への輸送効率が高められ、発光ダイオードの駆動電圧が低くなる。
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【課題】ＧａＰ基板上に形成したＧａＡｓＰ混晶層を含む発光ダイオードの表面を効果的に粗面化するためのエッチング手法により、表面の粗面化によって外部への光の取り出し効率が向上した高い光強度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ＧａＰ基板１上に、ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０＜ｘ＜１）層３，４と、内部にｐｎ接合１０を有する窒素ドープＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０＜ｘ＜１）層５，６とが形成された発光ダイオード表面を下記（１）および（２）の工程で化学エッチングする発光ダイオードの製造方法。
工程（１）：ヨウ素酸、フッ化水素酸、硝酸および酢酸を含む混合液を用いてエッチングする工程
工程（２）：（ａ）２０℃以上の塩酸、（ｂ）フッ化水素酸、および（ｃ）フッ化水素酸と硫酸の混合液のうちの少なくともいずれかの酸を用いてエッチングする工程 （もっと読む）

【課題】結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に平面形状が正方形形状の被覆部１２２を有するマスク１２を形成する。マスク１２の被覆部１２２の角部１２２ＡにＧａＮ半導体層の３次元核１４０を形成する。この３次元核１４０をさらに成長させて、サファイア基板１０の基板面に対して傾斜したファセット面１４１Ａを有する構造体１４１を形成する。さらに、構造体１４１を成長させ、構造体１４１同士を合体させてＧａＮ半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】低い転位密度と広いウエハ面積を両立可能な窒化物半導体ウエハ及びその製造方
法を提供すること。
【解決手段】 （ａ）六方晶系の窒化物半導体から成ると共に、対向する２つの主面がい
ずれもＣ面から成る一次ウエハとし、（ｂ）一次ウエハをＭ面に沿って切断して複数の窒
化物半導体バー４を得て、（ｃ）複数の窒化物半導体バー４を、隣り合う窒化物半導体バ
ー４のＣ面同士が対向し、各窒化物半導体バー４のＭ面が上面となるように配列し、（ｄ
）配列された窒化物半導体バー４の上面に窒化物半導体を再成長させることにより、連続
したＭ面を主面に有する窒化物半導体層６を形成し、窒化物半導体ウエハ８を得る。 （もっと読む）

【課題】高輝度発光素子等の高電力印加素子用基板として、素子内部に蓄積される熱を減らし素子の寿命を増加させることができる高熱伝導の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相成長法により、ファイア基板上に窒化ガリウム単結晶膜を成長させる際に、ケイ素（Si）、酸素（O₂）、ゲルマニウム（Ge）および炭素（C）で成される群から選択された一つ以上の物質をドーピングし、n−ドーピング濃度を0．7×10¹⁸ないし3×10¹⁸／cm³とすることにより、常温（300K）で少なくとも1．5W／cmKの均一かつ優れた熱伝導度を有する窒化ガリウム単結晶膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、このIII族窒化物半導体層の形成方法を用いたIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】 サファイア基板１０上に形成されるマスク１１の被覆部１１１の被覆部１１１の断面形状を略台形形状とし、被覆部１１１の断面形状がサファイア基板１０側から上方に向かって幅狭となるようにする。また、マスク１１の開口部１１２の断面形状は、サファイア基板１０側から上方に向かって幅広となるようにする。マスク１１の開口部１１２からＧａＮ半導体層を成長させ、ＧａＮ基板を得る。 （もっと読む）

ＩＩＩ−Ｎ厚膜層（ＩＩＩは、元素周期表のＩＩＩ族の少なくとも１つの元素を表す）を作成するエピタキシャル成長プロセスが開示され、ＩＩＩ−Ｎ厚膜層は異種基板上に堆積される。エピタキシャル成長プロセスは、好ましくはＨＶＰＥによって実施される。基板は、さらに、異種基板および少なくとも１つの薄いＩＩＩ−Ｎ中間層を含むテンプレートであることができる。表面品質は、基板のわずかな意図的な配向方位差を提供し、かつ／またはエピタキシャル成長プロセスの最終段階にＮ／ＩＩＩ比および／もしくはリアクタ圧力を低下させることによって改善される。そのような改善されたＩＩＩ−Ｎ層を備えた基板および半導体装置も開示される。 （もっと読む）

【課題】 （０００１）ジャストでなくて（０００１）からずれた結晶方位を有するオフ角のＧａＮ単結晶自立基板をより低コストで作製すること。
【解決手段】 オフ角の（１１１）ＧａＡｓウエハを下地基板として、その上にＧａＮを気相成長させると下地基板と同じオフ角で同じ方向に傾斜しているＧａＮ結晶が成長する。また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。０．１゜〜２５゜のオフ角をもつＧａＮ結晶を製造することができる。 （もっと読む）

発光素子（３００）が、光放射に対して少なくとも一部が透過性であり、第１の屈折率の基板（３０５）を含む。それに印加された電圧に応答して光を放出するように構成されたダイオード領域（３１５、３２０、３２５）が基板の第１の表面（３１０ｂ）の上に配置される。カプセル封じ層（３７０）が基板の第２の表面の上に配置され、第２の屈折率を有する。反射防止層（３６５）が、基板（３０５）の第１の表面（３１０ａ）とカプセル封じ層（３７０）との間に配置される。反射防止層（３６５）は、反射防止層（３６５）の第１の表面におけるほぼ第１の屈折率と、反射防止層（３６５）の第２の表面におけるほぼ第２の屈折率との間の範囲内の分布屈折率を有する。カプセル封じ層（３７０）は割愛可能であり、反射防止層（３６５）は、第１の屈折率の基板（３０５）を第２の屈折率の空気から分離できる。「フリップチップ」ではない実施形態も開示される。
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【課題】クラック等を発生させることなく、さらに、欠陥密度が小さく且つ生産性に優れた窒化物半基板の製造方法を提供する。
【解決手段】母材基板１１の主面上に、窒化物半導体が実質的に成長しない材料からなり、ストライプ状に開口する複数の開口部１２ａを有するマスク膜１２Ｂを形成した後、母材基板１１上に、マスク膜１２Ｂを介して窒化物からなる半導体層１３を選択的に成長させる。半導体層１３は、マスク膜１２Ｂの開口部１２ａから該マスク膜１２Ｂの上へ張り出すように成長し、マスク膜１２Ｂは埋め込まれて、平坦な表面を持つ半導体層１３を得ることができる。次に、半導体層１３における母材基板１１との界面にレーザ光を照射して、半導体層１３を母材基板１１から剥離することにより、窒化物半導体基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン材料中にナノ結晶をほぼ均一に埋め込んだナノ結晶埋め込み型アモルファス材料を実現し、優れた特性を持つ非単結晶半導体材料、光電変換素子、発光素子、および非単結晶半導体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン及び／又はゲルマニウムを主体とするアモルファス材料３中に粒径１ｎｍ〜５ｎｍの結晶シリコン及び結晶ゲルマニウム２を散在させた非単結晶半導体材料１。 （もっと読む）

ＩｎＧａＡｌＮ膜をシリコン基板上に形成する方法が提供され、上記方法は、シリコン基板上に溝およびメサを有するパターン構造を形成するステップと、基板の表面上にＩｎＧａＡｌＮ膜を堆積させるステップとを包含し、溝の深さは６ｎｍよりも大きく、溝の両側のメサに形成されたＩｎＧａＡｌＮ膜は、水平方向にはつながっていない。本発明の方法は、高性能で、クラックのない、大きな面積のＩｎＧａＡｌＮ膜を、単に基板を処理することにより、成長させ得る。同時に、上記シリコン基板を用いることにより、ＩｎＧａＡｌＮ発光デバイスを形成する方法もまた、提供される。
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【課題】 透明導電膜の透明性の低下および脆化による電気抵抗率が高くなることを抑え光の取り出し効率を向上すると共に、光半導体装置の低背化を実現すること。
【解決手段】 光半導体素子３の上面に向かって高い屈折率を有した透明導電膜６を、光半導体素子３上および光半導体素子３近傍から外側に導出するリードフレーム２ｂにかけて被覆させることにより、光半導体素子３の半導体層と透明導電膜層間での屈折率に大きな差が生じなくなる。これにより、半導体層界面で全反射する光の量が減少することから、光半導体素子３からの光の取り出し効率が向上すると共に、ワイヤレス化により光半導体装置の低背化を実現する事ができる。 （もっと読む）

少なくとも一つの半導体装置を製作する方法であって、リチウムアルミネートを有する犠牲成長基板を提供するステップと、前記犠牲成長基板に隣接して、ＩＩＩ族の窒化物を有する少なくとも一層の半導体層を形成するステップと、前記犠牲成長基板とは反対の側に、前記少なくとも一層の半導体層と隣接して取付基板を設置するステップと、前記犠牲成長基板を除去するステップと、を有する方法を示した。さらに当該方法は、前記取付基板とは反対の側の、前記少なくとも一層の半導体層の表面に、少なくとも一つの接続部を設置するステップ、あるいは、前記取付基板および少なくとも一層の半導体層を、複数の個々の半導体装置に分離するステップを有しても良い。当該方法は、さらに個々の半導体装置を含む前記取付基板を、放熱器に接合するステップを有しても良い。前記除去するステップは、前記犠牲成長基板を湿式エッチングするステップを有しても良い。
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【課題】 発光効率が高く、高い紫外線の発光輝度が得られるダイヤモンド発光素子を提供する。
【解決手段】 低抵抗ダイヤモンド層１の一方の面上に、低抵抗ダイヤモンド層１よりも抵抗値が高い高抵抗ダイヤモンド層２を形成し、この低抵抗ダイヤモンド層１及び高抵抗ダイヤモンド層２によりキャリア発生層を構成する。また、高抵抗ダイヤモンド層２上には、発光層となるｐ型半導体ダイヤモンド層３を選択的に形成する。更に、低抵抗ダイヤモンド層１の一方の面上に電極５を形成し、低抵抗ダイヤモンド層１の他方の面上に、電極５と共にキャリア発生層に電界を印加する電極４を形成する。更にまた、ｐ型半導体ダイヤモンド層３上に、電極５と共に発光層に電界を印加する電極６を形成する。 （もっと読む）

ドーパントによる結晶の歪み・欠陥が生じず、発光効率が高く、不要な波長の発光が無く、発光波長を広く選択できる、発光ダイオードを提供する。ドーパントを添加しない同時二極性半導体を発光層とし、これに電子注入用電極すなわちｎ電極と、正孔注入用電極すなわちｐ電極とを接合して、発光ダイオードとした。
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【課題】Al系ハロゲン化物ガスを原料に用いた気相成長方法によるAl系III族窒化物結晶の製造を課題とし、基板上にAl系III族窒化物結晶をエピタキシャル成長させる際に、Twist成分の結晶品質が良好なAl系III族窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】 ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスを原料に用いたAl系III族窒化物結晶の気相成長法による製造において、基板の表面に予め三塩化アルミニウムなどのAl系III族ハロゲン化物ガスを供給し、次いで該基板上にAl系III族ハロゲン化物ガスとともにアンモニアガスなどの窒素源ガスを基板上に供給して反応させ、Al系III族窒化物結晶をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、製造コストの低減を図れるＬＥＤ発光装置を提供することを目的
の一つとする。さらに信頼性の高いＬＥＤ発光装置を提供することを目的の一
つとする。
【解決手段】
ＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子がマウントされる基板と、
前記基板上の前記ＬＥＤ素子の周囲に形成される金属製のリフレクタであっ
て、ウェットエッチングによって形成され、その上面が前記ＬＥＤ素子の発光
層よりも高い位置にあるリフレクタと、
を備える、ＬＥＤ発光装置とする。
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【課題】フリップチップ実装時の光取り出し効率が改善されるとともに、別工程で形成される電極と反射層との間での材料の拡散や合金化反応によって、コンタクト層と電極との接触抵抗が不安定化する問題のない、ＧａＮ系ＬＥＤを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードは、コンタクト層の表面に形成された電極および透明絶縁体と、前記透明絶縁体の表面に形成された反射層とを有し、前記透明絶縁体は、前記コンタクト層の材料の屈折率よりも小さい屈折率を有し、前記反射層が前記電極が前記透明絶縁体の表面まで延長して形成されたものであるか、または、前記電極と前記反射層とが分離して形成されている。
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