【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】個々の半導体発光素子１００が、発光部である半導体積層構造２〜４を形成した側において、基板面が露出しており、且つ当該露出した基板面に凹凸が設けられている。よって発光部である半導体積層構造２〜４から基板１に入射した光は、露出した基板１の表面側に達した場合、全反射されることなく光が外部に放出される割合が高くなる。これは、基板１の屈折率よりも半導体積層構造２〜４の屈折率の方が大きい場合に顕著であり、III族窒化物系化合物半導体の積層構造で発光部を形成し、サファイア、シリコン、ＳｉＣ又はスピネルを基板とする場合に特に効果が顕著となる。また、半導体層ともどもダイシングにより素子分離をする場合には、ダイシングソーに接触する半導体層側面がダメージを受け、光吸収部となるが、本発明はそのようなダメージ領域が形成されない。 （もっと読む）

【課題】成長用基板を剥離して３−５族窒化物半導体を含むエピタキシャル結晶を得る工程を含む、簡便で、損傷の発生が少なく、高い発光出力を得ることができる半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】成長用基板１０１を用いて、３−５族窒化物半導体を含むエピタキシャル結晶からなる半導体デバイスを製造するための方法において、成長用基板１０１上に成長させたエピタキシャル結晶を複数の領域に分画する分離溝１１１を作製し、これにより、エピタキシャル結晶が複数の領域に分画されて成長用基板１０１から剥離されるようにしておき、しかる後、成長用基板１０１をエピタキシャル結晶から剥離し、半導体デバイスを得る。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にストライプ状の溝を有する窒化物半導体発光ダイオード素子における光取出し効率の改善を図り、照明装置用の光源に適した、発光効率の高い窒化物半導体発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光ダイオード素子１０において、サファイア基板１１の結晶成長面には平行に並んだストライプ状の溝Ｔ１０が複数形成され、その上には溝Ｔ１０を埋めるように窒化物半導体層Ｎが形成され、窒化物半導体層Ｎは発光するｐｎ接合部を含んでいる。窒化物半導体層Ｎはサファイア基板１１よりも高い屈折率を有しており、ストライプ状の溝Ｔ１０の少なくとも一部は、壁面Ｅをもって終端された、末端を有する溝である。 （もっと読む）

【課題】ストライプ状の凹凸構造を含む窒化物半導体発光ダイオード素子における光取出し効率の改善を図ること。
【解決手段】
窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、表面にストライプ状の凹凸構造を有する透明基板１１と、該凹凸構造を埋めるように形成された窒化物半導体層Ｎとを有している。窒化物半導体層Ｎは、透明基板１１よりも高い屈折率を有し、かつ、発光部を含んでいる。この窒化物半導体発光ダイオード素子１０を上面視したとき、窒化物半導体層Ｎの外郭線は、前記凹凸構造の長手方向との間で８０度〜１００度の範囲内の角度をなす直線部分を有していない。この窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、発光効率の高いものとなるので、照明装置用の光源として好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電流ブロック層を用いることなく高輝度が得られる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層２を含む半導体結晶３に積層された金属酸化物からなる電流拡散層４の主面に、上記発光層２に電流を供給するための金属からなる主面電極５と、上記発光層２からの光を反射する金属からなる主面反射層６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称される柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体発光素子において、光取出し効率および光学特性を改善する。
【解決手段】シリコン基板１上にカタリスト材料層となるＮｉ薄膜３を５ｎｍ蒸着する（図１（ａ））。続いて、通常のリソグラフィ技術にＡｒイオンエッチング技術を用いて、Ｎｉ薄膜３を、直径１００ｎｍの柱径で、一片が２３０ｎｍの三角形を基本単位とする２次元フォトニック結晶による回折格子パターン状のＮｉ薄膜パターン４に形成する（図１（ｂ））。その後、再びＭＯＣＶＤ装置で成長させると、Ｎｉ薄膜パターン４の表面にＧａとＮとが吸着され、内部に取込まれて拡散しつつ基板１との界面に達し、ここで互いに結合してＧａＮ単結晶５を形成する（図１（ｃ））。この状態を維持することで、ＧａＮナノコラム６を形成する（図１（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】品質を維持しつつ発光ダイオード等における金の使用量を低減する。
【解決手段】デバイスウエハ１５は接着金属層１３を備え、基板ウエハ１４は接着金属層２０を含んでいる。接着金属層１３、２０は、５０重量％以上のＮｉ及びＳｎからなり、Ｓｎの中間層とＮｉの外側層からなる３層構造を有する。デバイスウエハ１５と基板ウエハ１４とを接合する際、Ｓｎの融点とＮｉの融点との間の温度で、Ｓｎ層がＮｉ層とほぼ完全に反応するまで加熱する。接着機能を損なわずに、高価な金を使用しないか又は使用量を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス構造を形成した場合に、発光波長、発光出力、素子寿命等のばらつきが小さく、発光デバイスの歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体自立基板及び当該基板を用いた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体結晶の格子定数のばらつきを±１２ｐｐｍ以下として窒化物半導体自立基板を形成する。窒化物系化合物半導体は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。これを用いて窒化物半導体発光素子を形成する。 （もっと読む）

ｉ）第１波長の光を放射可能なＬＥＤ、およびｉｉ）発光面を有し、ｐｎ接合内に位置しない第２ポテンシャル井戸を有するか、又はｐｎ接合内に位置される第１ポテンシャル井戸及びｐｎ接合内に位置しない第２ポテンシャル井戸を交互に有する再発光半導体構造体、および集束性光学素子を更に備える、発光面を有するＬＥＤコンポーネントを含む光源が提供される。
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光源は、発光面を有するＬＥＤコンポーネントと、該発光面に光学的に接触した入力面を有する光学素子とを有する。ＬＥＤコンポーネントは、第１波長の光を放射可能なＬＥＤダイ等のＬＥＤと、ｐｎ接合内には位置しない第２ポテンシャル井戸を含有する再発光半導体構造体との組合わせであるか、又はこれを含み得る。光学素子は、集束型、発散型又はこれらの組合せの形状である抽出部材であり得る。
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簡単には、本開示は、ａ）第１波長の光を放射可能なＬＥＤと、ｂ）ｐｎ接合内に位置しないポテンシャル井戸を備える再発光半導体構造体と、ｃ）前記ＬＥＤから放射される光を反射するため再発光半導体構造体へ反射するように位置決めされた反射体と、を含む装置を提供する。代わりに、前記装置は、ａ）第１波長の光を放射可能なＬＥＤと、ｂ）第２波長の光を放射可能であり、ｐｎ接合内に位置しない少なくとも１つのポテンシャル井戸を備える再発光半導体構造体と、ｃ）前記第１波長の光を透過し、前記第２波長の光の少なくとも一部を反射する反射体と、を含む。もう１つの方法として、前記装置は、第１波長の光を放射可能なＬＥＤを含むｐｎ接合内に位置する第１ポテンシャル井戸と、再発光半導体構造体を含むｐｎ接合内に位置しない第２ポテンシャル井戸と、を備える半導体ユニットを含む。
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【課題】ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法を提供する。
【解決手段】 気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid: VLS ）成長法により、Ｓｉと Ｇｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ₂ 膜で被覆されたＧｅナノ細線 を作製する。また、気相- 液相- 固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。
【解決手段】 Ａ_２Ｏ_３なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてＡの元素がＩｎ、Ｇａ、アルミニウムＡｌ、ボロンＢの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。バルクでの熱力学的固溶限界域を超えた組成での固溶体薄膜、熱力学的に不安定な六方晶構造を有する混晶薄膜を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】充分な厚さを有し、かつ、高い電気伝導度を有する窒化物膜の製造方法及び窒化物構造物を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ）を利用した窒化物膜の製造方法において、ガス供給方向から順次位置した外側反応室と内側反応室に不純物が含有された少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースと基板を順次配置し、前記各反応室を成長温度に加熱するステップと、前記外側反応室に塩化水素ガスとキャリアガスを供給することによって、金属塩化物が形成されるように前記ＩＩＩ族金属ソースと反応させ、前記金属塩化物を前記基板に搬送させるステップと、前記搬送させた金属塩化物を前記内側反応室に供給される窒素ソースガスと反応させることによって、前記基板上に前記不純物がドープされた窒化物膜を形成するステップと、を含む窒化物膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体からなるデバイス構造の結晶性を損なうことなく、該デバイス構造を支持する厚膜半導体層の膜厚を十分に大きくできるようにする。
【解決手段】半導体装置におけるデバイス構造体２０は、それぞれがIII-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１半導体層１１、発光層１２及び第２半導体層１３を有している。第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ボンディングワイヤを接続する工程において損傷を与えることを抑制する電子装置、発光装置およびこれを備える画像形成装置を提供する。
【解決手段】 発光素子３は、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上に形成される。台座部４は、基板２の厚み方向Ｚの一表面２ａ上で、発光素子３が形成される領域とは異なる領域に形成される。台座部４には、発光素子３の第１〜第３電極１２，１３，１４に配線を介して電気的に接続されるボンディングパッド８が形成される。ボンディングパッド８の厚み方向Ｚの一表面８ａの厚み方向Ｚにおける位置は、発光素子３の厚み方向Ｚの一方Ｚ１の表面と等しい。 （もっと読む）

【課題】不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用可能なＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。
【解決手段】シリコン基板１に形成した極薄酸化膜２上に分子線エピタキシャル法を用いてＧｅ５とＳｎ６とを蒸着することで、ＧｅＳｎ半導体のナノメーターサイズの微結晶（ナノドット）３を超高密度に形成して、ＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。該半導体のドット３は不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用することができる。 （もっと読む）

【課題】集積電子構成要素を含む半導体発光装置を提供する。
【解決手段】シリコンダイオード、抵抗体、コンデンサ、及び誘導子のような１つ又はそれよりも多くの回路要素が、半導体発光装置の半導体構造と装置を外部構造に接続するのに使用される接続層との間に配置される。一部の実施形態では、半導体構造に対するｎ接点は、複数のバイアにわたって分散され、これは、１つ又はそれよりも多くの誘電体層によってｐ接点から隔離されている。回路要素は、接点−誘電体層−接続層のスタックに形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れている比較的大口径のサファイア基板を用いたｍ面窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】ほぼ（１１−２３）面であるサファイア基板を備える段階と、上記サファイア基板上に非極性ｍ面（１０−１０）窒化物半導体を成長させる段階と、を含む窒化物半導体の製造方法を提供する。また、他のｍ面六方晶半導体のための製造工程として同様に適用することができる。また、前記サファイア基板の結晶面がｃ軸方向に対して、またはｃ軸方向に垂直の方向に対して約±５°以内のオフ角を有することが好ましい。前記非極性ｍ面窒化物半導体を成長させる段階の前に、前記サファイア基板上にｍ面六方晶構造を有する緩衝層を成長させる段階をさらに含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】更なる高輝度化及び省電力化を可能とした発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極パッド９，１０が設けられた発光素子２と、電極リード１１，１２が設けられたリードフレーム３とを備え、電極パッド９，１０と電極リード１１，１２とがボンディングワイヤー１４，１５を介して電気的に接続された発光装置であって、発光素子２は、リードフレーム３との間に間隔Ｈを設けて配置されている。これにより、発光素子２のリードフレーム３と対向する面側から放出される光を有効に利用し、この発光素子２が発する光の利用効率を更に高めることができる。 （もっと読む）