【課題】フラックス法において、高品質な半導体結晶を低コストで生産すること。
【解決手段】まず、ＭＯＶＰＥ法に従う結晶成長によって、厚さ約４００μｍのシリコン基板１１の上にＡｌＧａＮから成る膜厚約４μｍのバッファ層１２と、その後のフラックス法に基づく結晶成長の初期段階において消失されない程度の厚さのＧａＮ層１３を積層する。ヒータを加熱して混合フラックスの熱対流を発生させることにより、フラックスを攪拌混合させつつ所定の結晶成長条件を継続的に維持した。この時、混合フラックスと窒素ガスとの界面付近が、継続的に III族窒化物系化合物半導体の材料原子の過飽和状態となるので、所望の半導体結晶（ｎ型ＧａＮ単結晶２０）をテンプレート１０の結晶成長面から順調に成長させることができ、これによって、低転位のｎ型の半導体結晶（ｎ型ＧａＮ単結晶２０）が得られる。 （もっと読む）

窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法が記載されている。III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】高信頼性、高発光効率の化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子天面の周縁エッジ部に丸みを持たせることによりステップカバレージ性を向上させ、保護膜のエッチング及び素子表面の露出を防止する。これにより、化合物半導体を材料とするＬＥＤにおいて高温、高湿度下の状況で通電した場合の当該発光素子の時間経過における発光出力の低下を防ぐとともに発光効率の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】量産性を極大化させるとともに、垂直対水平比が非常に高い柱構造を形成するとともに、この柱構造を用いた半導体素子を形成すること。
【解決手段】基板１０に第１物質を用いて単位パターン２０を形成する段階と;前記単位パターンが形成された基板上に湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;前記第２物質が成長された基板を湿式エッチングする段階と；を含んで柱構造の形成方法を構成する。 （もっと読む）

ツェナーダイオードを備える発光素子及びその製造方法が開示される。この発光素子は、ツェナーダイオード領域及び発光ダイオード領域を有するＰ型シリコン基板を備える。第１のＮ型化合物半導体層が、前記Ｐ型シリコン基板のツェナーダイオード領域に接合され、前記Ｐ型シリコン基板と一緒にツェナーダイオードの特性を示す。また、第２のＮ型化合物半導体層が、前記Ｐ型シリコン基板の発光ダイオード領域上に位置する。前記第２のＮ型化合物半導体層は、前記第１のＮ型化合物半導体層から離隔する。一方、Ｐ型化合物半導体層が、前記第２のＮ型化合物半導体層の上部に位置し、前記第２のＮ型化合物半導体層と前記Ｐ型化合物半導体層との間に活性層が介在される。これにより、前記Ｐ型シリコン基板と第１のＮ型化合物半導体層を有するツェナーダイオードと、前記第２のＮ型化合物半導体層、活性層、及びＰ型化合物半導体層を有する発光ダイオードを、単一チップ内に有する発光素子を提供することができ、発光ダイオードの静電放電損傷を防止することができる。
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【課題】基板上にＧａＮ系半導体を形成してなる積層体に導電性基板を接合し、その後積層体側の基板を除去してＧａＮ系半導体発光素子を製造する際に、接合強度を高くできかつ接合界面の抵抗成分も十分に低くできるようにする。
【解決手段】本発明は、ＧａＮ系半導体からなる各層を備えるＧａＮ系半導体発光素子１において、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層のＧａＮ系半導体からなる各層１２が順に積層され、最上層に金属からなる第１の接合層１４を有する積層体１０Ａと、導電性基板３１上に形成されているとともに、その導電性基板３１が形成されている側とは反対側の面が第１の接合層１４と接合しその第１の接合層１４とは同じ結晶構造の金属からなりかつ接合面直方向と接合面内方向の結晶方位が共に同一である第２の接合層３３と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】自立III-N層及びIII-N材料系の選択的に形成された後続層を備えるデバイスを効率的に提供または準備する。
【解決手段】 III-N層上にマスクを形成する方法において、複数のファセットからなる表面を持つIII-N層が提供される。マスク材料は一または複数のファセット上に選択的に成長させるが、全てのファセット上に成長させるものではない。詳細には、マスク材料の成長は、III-N層のエピタキシャル成長期間、（ｉ）第一のファセット型または第一のファセット群上の少なくとも一の別のIII-N層の選択的成長と、（ｉｉ）第二のファセット型または第二のファセット群上のマスク材料の選択的成長とが同時に進行するような条件の下で行われる。
【効果】厚い自立III-N層の製造が可能となる。さらに、独自の構造および層を有する半導体デバイスおよび部品が製造可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好なへき開性、放熱性、リーク耐圧性などを有する窒化物系半導体の半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法であって、基板上に結晶欠陥または空隙の少なくともいずれかを含んだリフトオフ層を設ける工程と、前記リフトオフ層の上に窒化物系半導体からなる層を設ける工程と、前記基板と前記窒化物系半導体からなる層とを分離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性を混在させた結晶において少なくとも表面において極性の単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶Ａ’によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】発光効率及び光取出し効率を増大させる。
【解決手段】相対向して第１面と第２面とを有し、通電によって光を発生する半導体層２０と、前記半導体層２０の第１面上に設けられた第１電極３０と、前記半導体層２０の第２面上に被着されたＴＣＯ層５０と、前記ＴＣＯ層５０上に設けられた第２電極６０と、を含んで構成した。 （もっと読む）

【課題】通電による劣化の抑制と、静電破壊に対する耐性の改善とが、同時に達成されるＧａＮ系発光素子を提供する。
【解決手段】成長の途中で成長温度を第１の温度から第２の温度に下げることによって、ピットが形成されるようにｎ型層を成長させる工程と、ｎ型層の上に活性層を成長させる工程と、活性層の上にｐ型層を成長させる工程と、を有する。ｎ型層のうち、第１の温度で成長される層を高温ｎ型層、第２の温度で成長される層を低温ｎ型層としたとき、低温ｎ型層を成長させる工程は、高温ｎ型層に接する第１の領域を形成する工程と、第１の領域よりも高温ｎ型層から離れた位置に第２の領域を形成する工程とを含む。第１の領域は、ｎ型不純物濃度が第２の領域よりも低くなるように形成し、第２の領域は、ｎ型不純物濃度が活性層よりも高くなるように形成する。活性層は、ｎ型層に接して、かつ、その上面にピットが開口するように成長させる。 （もっと読む）

【課題】実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。
【解決手段】Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低い窒化物系半導体基板を安価かつ生産性良く製造する方法、及び低転位密度の窒化物系半導体基板、並びに当該基板を用いて形成した発光出力の高い窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に、第１のＧａＮ層を成長速度が５００μｍ／時以下で膜厚が１０μｍ以上になるように成長させた後、第１のＧａＮ層上に、第２のＧａＮ層を成長速度が６００μｍ／時以上で成長させて窒化物系半導体基板を製造し、この基板を用いて、窒化物系半導体発光素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を得ることができ、しかも大面積にわたって均一にオキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができ、量産性に優れているオキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】オキシカルコゲナイド系薄膜の成長に溶液気化ＣＶＤ法を用いる。例えば、ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にＣｕ薄膜１０２を形成した後、溶液気化ＣＶＤ法によりアモルファスＬａＣｕＯＳ薄膜１０３を成長させる。Ｌａ原料として例えばＬａ（ＥＤＭＤＤ）₃ 、Ｃｕ原料として例えばＣｕ（ＥＤＭＤＤ）₂ を用いる。成長温度は４００℃以下とする。この後、反応性固相エピタキシャル成長法によりアモルファスＬａＣｕＯＳ薄膜１０３を結晶化させ、結晶性ＬａＣｕＯＳ薄膜１０４を得る。 （もっと読む）

【課題】基板面内で結晶の反りに起因する結晶の方位のばらつきが存在するような場合でも、発光波長のばらつきが小さくなるようなIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びに発光波長の基板面内均一性に優れたIII−Ｖ族窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族窒化物系半導体結晶からなる半導体基板であって、基板の表面はアズグロウンであり、基板の裏面は平坦に研磨され、かつ結晶のＣ軸が基板の表面に対して略垂直ないし所定の角度だけ傾斜している。このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、III−Ｖ族窒化物系半導体結晶からなるエピタキシャル層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】
半導体発光素子と蛍光体膜を一体化した蛍光体膜付発光素子において、ウエハプロセスによってその側面にも蛍光体膜を形成する。
【解決手段】
励起光を発する半導体層と、前記励起光を透過する基板と、傾斜している第１の側面と、前記第１の側面にスパッタ法などによって形成され、前記励起光を吸収して蛍光を発する蛍光体膜と、チップ分割後に形成され蛍光体膜が形成されない第２の側面を有することを特徴とする蛍光体膜付発光素子及びそのウエハプロセスによる製造方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜技術によって製造可能な、光出力の改善された半導体チップとその製造方法とを提供する。
【解決手段】薄膜活性層を複数のメサ形状に加工し、そのメサの表面に反射性を有するアイソレーション層とメタライズ層を形成する。さらに、薄膜活性層を別の支持基板に実装し、薄膜活性層を成長基板から分離する。薄膜活性層内の活性ゾーンにより発生した光をメサの表面に形成したアイソレーション層とメタライズ層により反射させることで発光効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。
【解決手段】この製造方法は、凹部１０ｒ及び凸部１０ｐを有する基板１０を準備する準備工程と、凸部１０ｐの上に第１半導体１１を成長させる第１成長工程と、第１半導体１１から少なくとも横方向に第２半導体１３を成長させる第２成長工程とを含む。凹部１０ｒの底面から凸部１０ｐの上面までの距離ｇは、凹部１０ｒの幅ａと等しいかそれより大きい。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体を用いた半導体装置を、活性領域の露出面にダメージを与えることなく、電流狭窄部を形成できるようにする。
【解決手段】ｎ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第１半導体層１１と、ｐ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第２半導体層１３との間に、III-Ｖ族窒化物半導体からなる発光層１２が形成されている。第２半導体層１３における両側部には、発光層１２が形成する面と平行な方向に互いに間隔をおいた酸化領域１３ａが、該第２半導体層１３自体が酸化されて形成されている。第２半導体層１３の上には酸化領域１３ａを含む全面にｐ側電極１４が形成されており、第１半導体層１１における第２半導体層１３の反対側の面上にはｎ側電極１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 横方向成長の会合部分から発生する結晶欠陥から半導体表面に伝播する貫通転位密度が低減された半導体積層構造、及び得られた高品質の半導体積層構造上に形成された半導体素子を提供すること。
【解決手段】 基板１０上に周期的に形成された、直線部を含む第１マスク層３１と、基板１０上の第１マスク層３１が形成されていない領域に島状に形成された第１半導体層２１と、第１半導体層２１から結晶成長して形成された第２半導体層２２と、第２半導体層２２上に前記直線部に沿って点対称の形状で周期的に形成された第２マスク層３２と、第２半導体層２２から結晶成長して形成された第３半導体層２３と、を備えることを特徴とする半導体積層構造。 （もっと読む）