【課題】ＣＶＤ法で製膜を繰り返すような多くの工程を必要とせずに製造することができ、比較的短波長領域で発光する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１電極と、第２電極と、第１及び第２電極間に設けられ且つ微粒子を含む絶縁層を備え、前記微粒子は、Ｇｅの酸化物であり、その平均酸化率が３５〜７０％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を維持するとともに、コストを低減して窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。準備する工程（Ｓ１０）では、使用される領域に存在する異物の大きさが１μｍ以上１０μｍ以下であり、使用される領域において異物が覆う面積が使用される領域の面積の０．０１％未満である基板を準備する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体の製造を低コストで簡便に行うことを可能とするIII族窒化物系化合物半導体製造用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体製造用基板の製法は、窒素ガス単体若しくは純度９９．９％以上のＡｒガスを含む窒素ガスを用いて運動エネルギーが１００ｅＶ以下の窒素プラズマを形成し、次いで、この窒素プラズマを表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下のサファイア基材表面に照射してＡｌ窒化物層から成る厚さ１０ｎｍ以下の金属窒化物層を生成した後、この金属窒化物層を有するサファイア基材を熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 さらなる素子特性の向上が図られた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体レーザ５０の製造方法においては、ＧａＮ単結晶基板３０は、ｃ面成長させたＧａＮバルク結晶２０を、ｃ面に直交するａ面に平行にスライスして形成される。このような基板３０では、ｃ軸方向に平行に延びる結晶欠陥の影響を受けにくく、結晶欠陥による素子特性の劣化を抑制することができる。また、ａ面は無極性面であるため、極性面のｃ面に比べて、さらなる発光効率の向上及び長波長化が図られる。従って、本発明に係る半導体レーザ５０の製造方法においては、作製される半導体レーザ５０の素子特性のさらなる向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面１１０と第１結晶成長面１１０と同じ方向に面している第２結晶成長面１０９を有する下地基板１１２であって、第１結晶成長面１１０の周縁の５０％以上または全周縁に下向きの段差を介して第２結晶成長面１０９が連接している。ここで、第１結晶成長面１１０は円形とし、第２結晶成長面１０９は環状であり、第１結晶成長面１１０と同心とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板を用い裏面に電極を形成した発光素子、受光素子等の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を１００μｍ以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±１μｍ以下になるまで表面研磨した研磨面に成長される。好ましくは、前記表面の凹凸差が±０．５μｍ以下である。前記窒化物半導体基板はｎ型不純物がドープされている。 （もっと読む）

【課題】 大面積かつ高品質のＡｌＮ単結晶などのIII族窒化物単結晶からなる基板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 α−アルミナ単結晶の｛１ −１ ０ ２｝面または｛−１ １ ０ ４｝面と８０°〜１００°の角度で交差する面をα−アルミナ単結晶基板の主面とし、該α−アルミナ単結晶基板の主面上に、前記III族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させることにより、該α−アルミナ単結晶基板の厚みの０．３倍以上の厚みとなる前記III族窒化物単結晶よりなる層を積層した積層基板を製造し、α−アルミナ単結晶を分離することを特徴とするIII族窒化物単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と窒化物半導体層との界面において発生するクラックが無い半導体基材とこの基材から得られる半導体素子並びにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板上に形成された窒化物半導体層からなり、前記シリコン基板が、平面視格子状に形成された溝を介して所望の窒化物半導体素子のサイズに応じた複数の領域に区画されており、前記窒化物半導体層が、該複数の領域の夫々に独立して形成されており、前記シリコン基板と前記窒化物半導体層との間にＢＮ系バッファ層が介在してなる半導体基材とし、この基材を分割して半導体素子を得る。 （もっと読む）

【課題】発光素子等の半導体装置の特性向上が可能な高品質な結晶性を有する半極性面を成長面とする六方晶系のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物層であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の成長面が、ｃ面となす角度が１０°以上９０°未満の半極性面であり、前記成長面を回折面として、この成長面に垂直かつｃ軸に平行な面と平行な方向から入射するＸ線に対して得られるＸ線回折強度の角度依存性の半値全幅をａ_１で表したとき、ａ_１≦０．５°を満たすことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物層。 （もっと読む）

【課題】結晶を厚く成長させても、転位を特定部分に集めて閉じ込めることにより、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０の主面１０ｍの一部に複数のマスク１４を形成する工程と、主面１０ｍ上においてマスク１４の端面１４ｅに繋がる位相境界２６を含むＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程を含み、各マスク１４は、ケイ素化合物マスクとケイ素化合物マスクの端面の少なくとも一部に接触する融点が１０００℃以上の遷移金属マスクを含む。 （もっと読む）

【課題】反応室内の熱環境を一定に保ち、パーティクルの混入を防止して安定した成膜を行うことができる気相成長方法及びこの方法を実施することが可能な構造を有する自公転方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタを回転させるとともに基板を加熱した状態でガス導入管から原料ガスを導入して基板表面に薄膜を成長させる成膜操作を基板を交換して繰り返し行う気相成長方法であって、成膜操作を終了したときに仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内から取り外し、清浄な状態の仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内に配置してから次の成膜操作を開始する。 （もっと読む）

【課題】電子や正孔などの電荷が窒化物半導体ナノカラム内へ効率よく注入できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれて設けられた発光層とを備え、前記発光層は、窒化物半導体からなる各カラムの長手方向が前記電極間に互いに平行に延在し、各カラムの平均半径及び間隙がナノサイズである複数のカラムで構成された窒化物半導体ナノカラムと、前記カラムの間隙を埋めるように設けられた電子輸送層とを有し、前記カラムと前記電子輸送層の界面の一部にナノサイズの金属ナノ構造体が析出している。 （もっと読む）

【課題】照明用途に好適に用いることのできる、発光出力に優れたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供すること。
【解決手段】上面１１０ａ、下面１１０ｂおよび側面１１０ｃを有する透光性基板１１０の上面１１０ａ側に、ＧａＮ系半導体結晶からなり発光ダイオード構造を備え透光性基板１１０よりも高い屈折率を有する半導体膜１２０が積層された、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００において、透光性基板１１０の側面１１０ｃ−２が、透光性基板１１０の上面１１０ａに隣接する斜面１１０ｃ−２１を有しており、半導体膜１２０が透光性基板１１０の上面１１０上から斜面１１０ｃ−２１上にかけて形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面が平坦で結晶成長速度が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

一つの実施例において、AlInGaPのLEDは、底部ｎ型層、活性層、上部ｐ型層、及び上部ｐ型層の上に厚いｎ型GaP層を含む。この場合、厚いｎ型GaP層は、電気化学的エッチング処理を受け、これにより、ｎ型GaP層は、多孔質且つ光拡散的になるようにされる。多孔質n型GaP層の下に位置するp型GaP層への電気的接触は、多孔質層を通ずる金属充填ビアを設けることによって行われる、又は、多孔質領域間におけるGaP層の非多孔質領域を通じて電気的接触が行われる。ＬＥＤチップは、補助装着具に装着され得、多孔質ｎ型GaP層層は補助装着具の表面に面する。空孔及び金属層は、光を反射及び拡散し、このことは、LEDの光出力を大いに増加させる。ＬＥＤ構造の他の実施例も記載されている。
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【課題】 傾斜誘電体層を提供する。
【解決手段】 光電子デバイスは、深さと共に連続的または段階的に変化し、半導体または導体材料に近い第１の屈折率を備えるとともに、封入剤などの周囲材料に隣接する第２の屈折率を備える、傾斜組成を有する誘電体材料のパッシベーション層を含む。その結果得られる傾斜誘電体層が、隣接半導体または導体層と周囲媒体との間の屈折率不整合を低減することによりフレネル損失を低減する。傾斜誘電体層を形成する方法は堆積室に、下降流量または濃度で窒素含有原料ガスを供給する一方で、上昇流量または濃度で酸素含有原料ガスを供給するステップを含む。 （もっと読む）

光放出システム及びその製作方法が開示される。光放出システムは、２つ以上のモノリシック集積化発光素子を包含する。各発光素子は、エレクトロルミネセントデバイスと、エレクトロルミネセントデバイスを駆動する専用のスイッチング回路とを包含する。少なくとも１つの発光素子は、発光素子内のエレクトロルミネセントデバイスによって放出された光を下方変換するポテンシャル井戸を包含する。 （もっと読む）

【課題】結晶を厚く成長させても、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、複数の第１種類と複数の第２種類のＩＩＩ族窒化物結晶基板１１，１２を接触させて集合基板１０を形成する工程を含み、集合基板１０の結晶成長表面１０ｓにおいて、第１種類の基板１１は（０００１）表面１１ｐを有し、第２種類の基板１２は（０００−１）表面１２ｑを有し、第１種類の基板１１と第２種類の基板１２の複数の接触面１３が互いに平行な線として現われ、結晶成長表面１０上において接触面１３に繋がる位相境界２３を含むＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆うことを特徴とする。 （もっと読む）