【課題】製造コストを削減でき、より均一に発光できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１７と、透光部６０と、波長変換部（蛍光体層７０）と、第１導電部３１と、第２導電部３２と、封止部５０と、を備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面Ｍ１と第１主面とは反対側の第２主面Ｍ２とを有する半導体積層体１０と、第２主面上に設けられた第１電極１４及び第２電極１５と、を有する。透光部は、第１主面上に設けられる。波長変換部は、透光部の第２主面とは反対側の第３主面Ｍ３と、透光部の側面Ｍ４と、を覆う。第１、第２導電部は、第２主面上に設けられ第１、第２電極にそれぞれ電気的に接続される。封止部は、第１、第２導電部の側面を覆う。 （もっと読む）

【課題】素子の内部を、光取り出し方向とは反対の方向に進行する光を、より効率的に反射させる構造を備えた、光取り出し効率の改善されたＧａＮ系ＬＥＤを提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ系半導体層２と、ＧａＮ系半導体からなる発光層３と、ｐ型ＧａＮ系半導体層４とをこの順に含む積層体と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層４の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過するｎ型半導体からなる半導体電極層Ｐ２ａと、前記半導体電極層の表面に部分的に形成された金属電極Ｐ２ｂと、前記金属電極Ｐ２ｂを挟んで前記半導体電極層Ｐ２ａの表面に形成された、前記半導体電極層Ｐ２ａよりも低屈折率の透明絶縁膜Ｉｎｓと、前記透明絶縁膜Ｉｎｓの表面に形成された金属製の反射膜Ｒと、を有するＧａＮ系発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】発光素子の耐久性および発光効率を向上させ、小型化を図る。
【解決手段】発光素子は、基板と、第１の半導体層、前記第１の半導体層上に設けられた発光層、および前記発光層の上に設けられた第２の半導体層を有し、前記基板の第１の主面側に設けられた半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体の前記第２の半導体層上に設けられた電極と、前記基板を貫通して前記第１の半導体層に接続し、前記基板の第２の主面側に設けられた第１のビア電極と、前記基板および前記半導体多層構造体を貫通して前記電極に接続し、前記基板の前記第２の主面側に設けられた第２のビア電極と、を備え、前記第１のビア電極および前記第２のビア電極の少なくともいずれかのビア電極であって、前記第２の主面側の一部に、凹みが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 発光素子が実装される基板の上面全体を均一な反射面にすると共に、発光素子から発せられる光の基板面での反射効率を高めることのできる発光ダイオードを提供することである。
【解決手段】 基板１２と、該基板１２の上面を被覆する表面反射層１３と、該表面反射層１３の一部が取り除かれて前記基板１２の上面の一部が露出する素子実装面１７と、下面に反射膜２０が設けられ、前記素子実装面１７に載置される発光素子１５と、該発光素子１５を前記基板１２上に封止する透光性を有する樹脂体１６とを備え、前記発光素子１５の平面形状が素子実装面１７より大きく形成されており、下面の外周部が素子実装面１７外周の表面反射層１３上に載置される。 （もっと読む）

【課題】低コストで大量生産が可能であり、半導体発光素子と同程度に小型化することも可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極及び第２電極とを有する発光層と、前記第１主面上に設けられ、透光性を有する透光層と、前記第１電極上に設けられた第１金属ポストと、前記第２電極上に設けられた第２金属ポストと、前記第２主面上に設けられ、前記第１金属ポストの端部及び前記第２金属ポストの端部を露出させて前記第１金属ポスト及び前記第２金属ポストを封止するとともに、前記発光層の側面を覆う封止層と、を備えたことを特徴とする光半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】高いオーミック性と反射率を併せ有する電極構造を備える、低駆動電圧で駆動し、良好な光取り出し効率を有する半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に設けられたn型半導体層と、前記n型半導体層上に設けられ、自然放出光を発光する活性層と、前記活性層上に設けられたp型半導体層と、前記半導体基板の裏面または前記n型半導体層上に設けられ、前記活性層及び前記p型半導体層と離隔して設けられたn電極と、前記p型半導体層上に設けられたp電極とを具備する半導体発光素子。前記ｐ電極がドット状ＮｉO層と、このドット状ＮｉO層上に形成された反射オーミックＡｇ層を含む。 （もっと読む）

【課題】上部電極の接触抵抗の増大を抑えながら、フリップチップ実装時の光取り出し効率を改善するとともに、上部電極と反射膜との積層状態のバラツキにより、コンタクト層と上部電極との接触抵抗の変動が生じるという問題を改善した、ＧａＮ系ＬＥＤの提供。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードのコンタクト層１５の表面に、金属材料からなる上部電極Ｐ１２を部分的に形成するとともに、前記上部電極Ｐ１２が形成されていない部分に、前記上部電極Ｐ１２と接しないように、金属材料からなる反射膜Ｐ１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】光の変調速度を向上させることのできる屈折率変調構造及びＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】表面に凹部又は凸部が周期的に形成された材料を含むモスアイ構造体と、前記材料に電界を生じさせ、当該材料の屈折率を変化させる電界調整部と、を有し、モスアイ構造体の屈折率の変化を利用して回折の透過条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させることができる発光デバイスを提供する。
【解決手段】発光デバイス３０は、導電基板３１と、金属反射層３３と、異なる屈折率を有する二種或いは二種以上の材料が順に積層して形成される積層膜構造３５と、透明導電層３７と、半導体積層３９とを含む。前記金属反射層は、前記導電基板の上に形成されている。前記積層膜構造は、前記金属反射層の上に形成されている。前記積層膜構造は、絶縁層と、積層膜構造を貫通して形成される少なくとも１つの穴構造３５２とを含む。前記透明導電層は、前記積層膜構造の上に形成され、前記半導体積層は、前記積層膜構造の上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子のダイ（Ｄｉｅ）とワイヤーボンディング工程などを容易にすること。
【解決手段】本発明は、第１支持部材と、前記第１支持部材上に複数個の接合層と、前記それぞれの接合層上に第２支持部材と、前記第２支持部材上に、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上の第１電極と、を含む発光素子アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】高効率な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第２の絶縁層とを備えた。第１の電極は半導体層の第２の主面に設けられた。第２の電極は半導体層における発光層と第１の主面との間の部分の側面に設けられた。第１の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第１の開口内に設けられ、第１の電極と接続された。第２の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第２の開口内に設けられ、側面に設けられた第２の電極と接続された。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧の増大を抑制しつつ、チップ表面からの光出力を高めることが容易な発光素子を提供する。
【解決手段】発光層と、前記発光層の上に設けられた第１導電型層と、前記第１導電型層の上に設けられた第１電極と、前記発光層の下に設けられ、厚さt１（μｍ）を有する第２導電型層と、前記発光層とは反対の側の前記第２導電型層の面の一部の領域に接触して設けられ、外縁が前記第１電極の外縁から長さｘ１（μｍ）だけはみ出した電流ブロック層と、前記第２導電型層とは反対の側の前記電流ブロック層の面と、前記第２導電型層の前記面の前記電流ブロック層とは接触していない領域に接触し、前記発光層からの放出光を反射可能な第２電極と、を備え、前記第１導電型層、前記発光層、及び前記第２導電型層、の厚さの和をt２（μｍ）とした時、下記式


を満たすことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 電流分散性能を改善した高効率発光ダイオード及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、支持基板と、支持基板上に位置し、ｐ型化合物半導体層、活性層、及びｎ型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、支持基板と半導体積層構造体との間に配置され、半導体積層構造体にオーミックコンタクトする反射金属層と、半導体積層構造体上に配置される第１の電極パッドと、第１の電極パッドから延長し、ｎ型化合物半導体層に接触する接触領域を有する電極延長部と、支持基板と半導体積層構造体との間に配置され、電極延長部の接触領域下のｐ型化合物半導体層の表面領域を覆う下部絶縁層と、第１の電極パッドと半導体積層構造体との間に介在された上部絶縁層と、備える。 （もっと読む）

【課題】 チップレベルで波長変換等の光変換を行うことができる発光ダイオードチップ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 波長変換層を有する発光ダイオードチップ、その製造方法、及びそれを含むパッケージが開示される。一実施形態によると、発光ダイオードチップは、基板と、基板の上面に位置する窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体であって、第１の導電型半導体層、活性層、及び第２の導電型半導体層を有する半導体積層構造体と、半導体積層構造体に電気的に接続された電極と、電極上に形成された追加電極と、半導体積層構造体の上部を覆う波長変換層と、を備える。さらに、追加電極は、波長変換層を貫通する。これにより、光の波長変換を行うことができ、またワイヤを容易にボンディングすることができる発光ダイオードチップが提供される。 （もっと読む）

【課題】発光装置の光取り出し効率の改善を提供する。
【解決手段】光学部材に結合された発光半導体素子を含む装置。いくつかの実施形態では、光学部材は、活性領域によって放射された光の一部分を半導体発光素子及び光学部材の中心軸線と実質的に垂直な方向に向けるように伸長するか又は成形することができる。いくつかの実施形態においては、半導体発光素子及び光学部材は、反射器内又は光導体に隣接して配置される。光学部材は、光学部材と半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部により、第１の半導体発光素子に結合することができる。いくつかの実施形態では、この結合部は、有機ベースの接着剤を実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】搭載基板に設けられた回路パターンの接続端子と外部雰囲気中のガスとの反応を抑制することのできる発光装置及びパッケージを提供する。
【解決手段】発光装置１は、ＬＥＤ素子２を搭載する回路パターン４を設けた無機材料からなる搭載基板３と、回路パターン４の外部接続電極４４と、外部接続電極４４の露出する面の外縁を覆うように設けられ、無機材料からなる保護膜５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、基板10と、基板10の上面10Ａの一部に設けられる光半導体層11と、基板10の上面10Ａであって、光半導体層11から光半導体層11で発光される光の波長以下の間隔を空けて配置された、フォトニック結晶構造12を構成する複数の光学構造体13とを備え、複数の光学構造体13の上面の高さ位置が、光半導体層11の上面の高さ位置と同じ、または光半導体層11の上面の高さ位置よりも高いことを特徴とする。光半導体層11の周りにフォトニック結晶構造12が形成されていることによって、光半導体層11の側面に絶縁膜を設けなくても、光半導体層11の発する光をフォトニック結晶構造12で反射させることができ、光取り出し効率を長期にわたって良好に維持することができる。 （もっと読む）

【課題】発光効率効率が向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１電極層と、前記第１電極層上に形成されて、主ピーク波長領域が４３０ｎｍ〜４７０ｎｍである青色系の光を発光し、光抽出構造を含む発光構造物と、前記光抽出構造上にプラズモン振動数が前記青色系の光の波長と異なる金属材質から形成される第１層を備える第２電極層とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新たな構造を有し、発光効率が向上した発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明による発光素子は、透明電極層の上に形成され、第１屈折率を有する第１薄膜層と、第１屈折率と相異する第２屈折率を有する第２薄膜層が少なくとも１回反復的に積層された多重薄膜ミラーを含む。第２導電型半導体層の厚さ（ｄ）は、２・Φ１＋Φ２＝Ｎ・２π±Δ、（０≦Δ≦π／２）から導出され、ここで、Φ１は垂直方向の光が上記第２導電型半導体層を通過する時に発生する位相変化であって、Φ１＝２πｎｄ／λ（ｎは光の屈折率、λは光の波長、ｄは第２導電型半導体層の厚さ）であり、Φ２は光が透明電極層または多重薄膜ミラーのうち、いずれか１つにより反射される時に発生する位相変化であり、Ｎは自然数である。 （もっと読む）

【課題】信頼できる接合性と持続性のある反射性を有する発光デバイスを提供する。
【解決手段】発光デバイス２００は、複数の発光チップ２８と、発光チップ２８を支持する基板２０と、発光チップ２８からの光の放射および反射を容易にする、基板２０を覆う第１のパターン化導電層２３と、第１のパターン化導電層２３上の第２のパターン化導電層２４であって、発光チップ２８が層上に位置する第２のパターン化導電層２４と、を含む。 （もっと読む）