【課題】放熱性や発光特性が良く、高い生産性・歩留まりを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、透明基板１と、配線層３１と、透明基板１と配線層３１との間に設けられる半導体発光素子構造部２０と、を有し、半導体発光素子構造部２０は、半導体発光層６と、透明導電層８と、透明絶縁膜１１と、透明導電層８の透明絶縁膜１１に覆われるように設けられる金属反射層９と、透明絶縁膜１１の配線層３１側に離間領域１８，１９を介して設けられ、配線層３１と電気的に接続される第１電極部２１及び第２電極部２２と、を有し、第１電極部２１は、第１コンタク卜部１４を介して第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部２２は、第２コンタクト部１５により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 光取出し効率を向上させることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１は、上面２ａ’を持つ複数の突起２ａを主面２Ａに有する単結晶基板２と、単結晶基板２上に形成された、複数の半導体層３ａ〜３ｃから成る光半導体層３とを備え、突起２ａは、上面２ａ’の一部に凹部４を有しており、光半導体層３は、最下層に位置する半導体層３ａが突起２ａの上面２ａ’に接しているとともに凹部４を埋めている。これにより、光半導体層３で発生した光が、凹部４内に入射した場合に、光半導体層３と単結晶基板２との界面で光半導体層３側に反射されにくくすることができ、光取出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ系化合物の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板（１０）上に順次に積層されたｎ型半導体層（１２）、ｎ型半導体層
の第１領域上に形成された活性層（１４）、及び活性層上に形成されたｐ型半導体層（１
６）と、ｐ型半導体層上に形成されたｐ型電極（２０）と、ｎ型半導体層上で第１領域と
離れた第２領域上に形成されたｎ型電極（３０）と、ｐ型半導体層、活性層及びｎ型半導
体層の側壁に形成された誘電層（５２）と、誘電層上に形成された反射層（５４）とを備
えることを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるバリア層との積層構造を有する活性層と、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ２Ｉｎ_１−Ｙ２Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ２≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】発光素子１００は、第１導電型半導体層１１２、第２導電型半導体層１１６、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層１１４を含む発光構造物１１０と、上記発光構造物の上の蛍光体層１３０と、上記蛍光体層の上に形成される光抽出構造１４０と、を含み、上記光抽出構造は、上記発光構造物の内部で生成されて上記蛍光体層と上記光抽出構造の界面に入射する光を上記発光構造物の外部に抽出することができる。 （もっと読む）

【課題】発光層内部での光吸収が低減され、上方への光反射率が高められた発光素子を提供する。
【解決手段】第１の反射器４０を有する支持体８と、第１および第２の発光部６０ａ，６０ｂと、第２の反射器６４と、を備えた発光素子が提供される。第１および第２の発光部は、前記支持体の上に設けられ、発光層２２ａ，２２ｂを有し、前記発光層からの放出光のうち下方に向かう光が前記第１の反射器により上方に向かって反射可能とされている。第２の反射器は、前記第１および第２の発光部の間に挟まれ前記支持体の上に設けられ、かつ下方に向かって拡幅する断面形状を有し、側面に設けられた側面金属層６４ａを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた高発光効率の半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法は、半導体発光素子ウエハを形成する工程、及びＰ型コンタクト層表面に多数の微細な凹凸を形成する工程を有する。半導体発光素子ウエハを形成する工程では、基板の第１主面にエピタキシャル成長法を用いて組成の異なるエピ層を積層形成して、最上層にＰ型コンタクト層を設ける。Ｐ型コンタクト層表面に多数の微細な凹凸を形成する工程では、エピ層形成後、エピタキシャル成長を実施した反応炉で水素とアンモニアの混合ガス中或いは窒素とアンモニアの混合ガス中で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高偏光比、及び、高発光効率を有し、低コストで製造可能な半導体発光素子を実現することができる。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子１００は、屈折率の異なる複数の層の積層構造を有する多重干渉反射層１２０と、多重干渉反射層１２０上に形成された、電子及び正孔が注入された場合に発光する活性層１３２を含む光導波層１３０とを備え、光導波層１３０と多重干渉反射層１２０とに形成される光導波路１８０内を、活性層１３２で発光した光であり、ブラッグの反射条件に基づいて伝搬する光の積層方向からの傾斜角θは、多重干渉反射層１２０のブリュースター角度に略等しい。 （もっと読む）

【課題】高出力であり、高効率で動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、少なくとも支持基板１０、及び発光層５を含む半導体層１４と、金属反射層９と、誘電体層１５と、界面電極８と、絶縁性保護膜２４と、透明導電膜２１と、金属分配電極１２と、第一電極１３と、第二電極１７とを有している。界面電極８の深さ方向における直上の領域において、半導体層１４はエッチングによって除去され、界面電極８と接する半導体層１４の第二主表面の半導体層を残し、界面電極８上には発光層５が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】半導体チップにおいて、改善されたビーム放出効率が得られるように、すなわち使用される電気出力単位当たりで改善されたビーム強度が得られるように構成することである。
【解決手段】トレンチは裏側で薄膜層のただ１つの部分領域を定め、該部分領域は実質的に前面コンタクト構造体とは重なっておらず、前記裏側では前記部分領域にだけ電気的裏側コンタクトが形成されており、前記トレンチは薄膜層の主伸長面を基準にして斜めの内壁を、電磁ビームを偏向するために有する。 （もっと読む）

【課題】基板面積に対する発光面積の比率が高く、且つ反射層の耐湿性を向上した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層２１、活性層２２及びｐ型半導体層２３がこの順で積層された積層体２０と、ｐ型半導体層２３上に配置された透明電極３０と、透明電極３０上に配置された電極絶縁膜４０と、電極絶縁膜４０上に配置され、電極絶縁膜４０、透明電極３０、ｐ型半導体層２３及び活性層２２を貫通して設けられたｎ側開口部４１でｎ型半導体層２１に接するｎ側電極５１と、電極絶縁膜４０上にｎ側電極５１と離間して配置され、電極絶縁膜４０に設けられたストライプ状のｐ側開口部４３で透明電極３０に接するｐ側電極５３と、電極絶縁膜４０内部に、又は透明電極３０と電極絶縁膜４０との間に、積層体２０の上面に対向して配置され、活性層２２から出射された光を反射する反射層７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光効率が向上し、安全性及び信頼性の向上した発光素子を提供すること。
【解決手段】実施例の発光素子は、第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下面に接触する絶縁層と、前記発光構造物の下に配置され、前記絶縁層が配置されるパターンが形成された保護層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に反射膜を有したIII 族窒化物半導体発光素子の製造において、反射膜の耐熱性を向上させること。
【解決手段】サファイア基板１上にＳｉＯ₂ からなる第１絶縁膜２、反射膜３を順に形成した試料Ａと、サファイア基板１上にＳｉＯ₂ からなる第１絶縁膜２、反射膜３、ＳｉＯ₂ からなる第２絶縁膜４を順に形成した試料Ｂを作製し、試料Ａ、Ｂそれぞれにおいて熱処理前、熱処理後の反射膜３の波長４５０ｎｍにおける反射率を測定した。熱処理は６００℃で３分間行った。図１のように、Ａｌの厚さが１〜３０ÅのＡｌ／Ａｇ／Ａｌ、Ａｌの厚さが２０ÅのＡｇ／Ａｌ、Ａｌの厚さが２０ÅのＡｌ／Ａｇ／Ａｌ／Ａｇ／Ａｌでは、熱処理後も反射率が９５％以上であり、Ａｇと同等のもしくはそれ以上の反射率であった。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体層１１は第１の面と第１の面に対向する第２の面を有し、活性層を含む多層構造である。第１電極１５が、半導体層１１の第１の面に形成されている。複数のＩＴＯピラー１６が、半導体層１１の第２の面に、第２の面の一部が露出するように分散して形成されている。反射電極１７が、ＩＴＯピラー１６と隣接するＩＴＯピラー１６との間を埋め込み、ＩＴＯピラー１６を覆うように半導体層１１の第２の面に形成されている。接合金属層１８が、反射電極１７上に形成されている。支持基板１９が、接合金属層１８を介して半導体層１１に接合されている。ＩＴＯピラー１６と隣接するＩＴＯピラー１６との間に、半導体層１１の第２の面が露出し、その露出した面に反射電極１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１クラッド層１０６と、第１クラッド層１０６の上方に形成された活性層１０８と、活性層１０８の上方に形成された第２クラッド層１１０と、を含み、活性層１０８は、第１側面１０７と、第１側面１０７に平行な第２側面１０９と、を有し、活性層１０８のうちの少なくとも一部は、利得領域１８０を構成し、利得領域１８０は、第１側面１０７側に設けられた第１端面１４０と、第２側面１０９側に設けられた第２端面１４２と、を有し、平面的に見て、第１端面１４０から第２端面１４２まで、第１側面１０７の垂線に対して傾いた方向に向かって延びており、第２端面１０９は、平面的に見て、利得領域１８０の延びている方向に対して直交し、第２端面１０９には、反射部１５０が設けられ、利得領域で生じる光１０の一部は、第２端面１４２に設けられた反射部１５０において反射して、第１端面１４０から出射される。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体紫外線発光素子において、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｎ型クラッド層とｎ電極間の寄生抵抗を、ｎ型クラッド層のＡｌＮモル分率に関係なく低抵抗化し、順方向電圧の低電圧化を図る。
【解決手段】 ｎ型クラッド層６上のｎ型クラッド層６の表面と平行な面内の第１領域に、バンドギャップエネルギが３．４ｅＶ以上のＡｌＧａＮ系半導体層を有する活性層７と、活性層７より上層に位置するｐ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｐ型クラッド層９が形成され、ｎ型クラッド層６上の第１領域以外の第２領域内の少なくとも一部に、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｎ型コンタクト層１１が形成され、ｎ型コンタクト層１１のＡｌＮモル分率が０％以上６０％以下の範囲内にあって、且つ、ｎ型クラッド層６のＡｌＮモル分率より小さく、ｎ型コンタクト層６とオーミック接触するｎ電極１３がｎ型コンタクト層１１上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高効率半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板21上に物質層及び金属層を順次に形成させ、金属層を陽極酸化してホー
ルが形成された金属酸化層に形成させ、それ自体で凹凸構造パターンとして使用するか、
金属酸化層のホールに対応するように金属酸化層下部の基板または物質層内にホールを形
成させて凹凸構造パターンとして使用して、その上部に第１半導体層23、活性層25及び第
２半導体層26を順次に形成させることによって凹凸構造を備える半導体発光素子を形成す
る。 （もっと読む）

【課題】基板の剥がれや破壊などを発生させずに、異種の基板を接合する半導体装置の製
造方法を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、支持基板の一方の面に半導体積層体を設けて第１の基板を形成させ、第１の基板のうち半導体積層体が形成された面に、第１の基板の熱膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する第２の基板を密着させ、第１の基板と第２の基板のうち、熱膨張係数が小さい一方の基板に対して、他方の基板より高い温度で加熱して接合する。第１の基板は、ナイトライド系半導体層を有するサファイア基板、またはＧａＡｓ基板であり、第２の基板は、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板、金属基板のいずれかであってもよい。第１の基板と第２の基板の間に、第１接合層と第２接合層と第３接合層と順に積層し、第１接合層と第２接合層と第３接合層とを介して、第１の基板と第２の基板を加熱して接合してもよい。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、製造の容易な発光デバイス、及び、その製造方法を提供するこを提供すること。
【解決手段】透明結晶基板２は、一面が光出射面２１であり、発光素子１は透明結晶基板２の光出射面２１とは反対側の他面２２に積層されている。透明結晶基板の側に位置するＮ型半導体層３１は、Ｐ型半導体層３２と重ならない部分３３を有している。Ｎ型半導体層３１の第１半導体面電極５１は、重ならない部分３３の表面に設けられており、Ｐ型半導体層３２の第２半導体面電極５２は、第１半導体面電極５１と同じ側の面に設けられている。発光素子１は絶縁層６によって覆われており、絶縁層６には支持基板９が積層されている。絶縁層６を通って第１及び第２半導体面電極５１、５２に接続された第１及び第２縦導体７１、７２が、支持基板９を貫通する第１及び第２貫通電極９４、９５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、半導体積層体１４の他方の表面側に積層された導電反射層９、半導体積層体１４の一方の表面に形成された透明導電膜２１、透明導電膜２１の表面に形成された表面電極１７を備える。表面電極１７は、透明導電膜２１の表面に形成される反射用電極層１７ａ、外部配線に接続される接続用電極層１７ｂの積層電極構造になっている。 （もっと読む）