【課題】 発光素子から放出された光を反射する反射膜の反射率を高くすることで、発光素子の発光効率を高めることを目的とする。また、湿式塗工法を用いてこの反射膜の反射率の向上を図り、簡便な製造工程による低コストの発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光層４０と、透光性基板３０と、増反射透明膜２０と、発光層からの発光を反射する反射膜１０とを、この順に備える発光素子向け増反射透明膜２０用組成物であって、増反射透明膜２０用組成物が、透光性バインダーを含むことを特徴とする、発光素子向け増反射透明膜２０用組成物である。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、基板に設けられる凹凸の形状を改善し光出力を向上させることが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、発光層を含む窒化物半導体の積層体を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光層から放射される発光に対して透光性の基板の表面に形成された炭素を含むマスクを用い、塩素および窒素を含む雰囲気中で前記基板を選択的にエッチングする工程と、前記基板のエッチングされた表面に、前記基板よりも屈折率が大きい窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を含む前記積層体を前記基板上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所謂縦型の半導体発光装置において、オーミック電極と半導体膜との電気的接続を害することなく半導体膜内における電流集中を緩和することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体膜２０は支持体１０に接合された半導体膜と、半導体膜の支持体との接合面１２とは反対側の面を部分的に覆う第一電極３０と、半導体膜の支持体との接合面側に設けられた第二電極４０と、を含み、第二電極は、互いに同一の金属酸化物透明導電体からなり且つ互いに電気的に接続された第一の透明電極４２および第二の透明電極４４を含み、第二の透明電極は、半導体膜を挟んで第一電極と対向する位置に設けられ且つ半導体膜に対する接触抵抗が第一の透明電極よりも高い。 （もっと読む）

【課題】第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する前記第一ｎ型半導体層の再成長層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】支持基板との接合を容易にすることが図られた半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置の製造方法は、基板上方に、第１導電型の第１半導体層を形成する工程と、第１半導体層上方に、第１導電型と反対の第２導電型の第２半導体層を形成する工程と、第２半導体層及び第１半導体層をエッチングして、深さが基板に達し、基板の面内に複数の発光素子領域を画定する第１分離溝を形成する工程と、第２半導体層をエッチングして、深さが第１半導体層に達し、各々の発光素子領域の内部に複数の発光部分と電極配置部分とを画定する第２分離溝を形成する工程と、各々の発光部分の第２半導体層上に、第１電極を形成する工程と、第２分離溝の底に露出した第１半導体層上から、電極配置部分の第２半導体層上に延在した形状で、第２電極を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ケミカルリフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない発光素子と発光素子および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、成長基板上の一部に、リフトオフ層を介して、半導体層からなる素子領域を形成する素子領域形成工程と、ケミカルリフトオフ工程において除去されない材料で構成された犠牲部を、成長基板上の素子領域の周囲に形成する犠牲部形成工程と、成長基板及び半導体層を覆い、素子領域から離れた領域におけるその表面の高さが発光層表面よりも低くなるように、被覆層を形成する被覆工程と、半導体層上における被覆層と犠牲部表面における被覆層とを除去する窓形成工程と、被覆層表面及び半導体層表面に反射層を形成する反射層形成工程と、反射層上にめっきを施すことによって支持部を形成するめっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】透明電極層内における多重反射を抑えることにより、反射損失および膜内光吸収を低減し、高輝度化を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニットおよび発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】発光素子１は、基板２と、ｎ型窒化物半導体層３と、発光層４と、ｐ型窒化物半導体層５と、透明電極層６と、反射電極層７とを含んでおり、透明電極層６の厚さＴが下記式（１）で表される。
【数１】


（式（１）中、λは発光層４の発光波長を示し、ｎは透明電極層６の屈折率を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術における光の取り出し効率を改良する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の（ｎ型）半導体層１４０、発光層１５０及び第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の（ｐ型）半導体層１６０が積層された積層半導体層１００と、積層半導体層１００のｎ型半導体層１４０の表面に形成された第１の電極１８０と、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０の表面に形成された第２の電極１７０と、を備え、第２の電極１７０は、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０上に、ｐ型半導体層１６０側と反対側の膜面が凹凸形状を有するように形成された、又はｐ型半導体層１６０を覆わない不連続な部分を設けるように形成された、光に対して透過性且つ導電性の透明導電層１７１と、透明導電層１７１上に設けられ光に対して反射性を有する金属反射層１７２と、を有することを特徴とする半導体発光素子１０。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制しつつ厚膜化され、且つ導電性を有する窒化物半導体層を有する半導体ウェハ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ノンドープの第１の窒化物半導体層とその第１の窒化物半導体層よりも格子定数が大きいノンドープの第２の窒化物半導体層とが交互に積層された構造を有する多層膜と、多層膜上に配置された、第１の窒化物半導体層よりも格子定数が大きいノンドープの第３の窒化物半導体層とを備え、膜厚方向に導電性を有する。 （もっと読む）

【課題】低い温度で発光ダイオードチップに横向きエッチングを行い、発光ダイオードチップを逆円錐状に形成させる発光ダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にＳｉＯ_２パターン層を形成するステップと、基板１１０に半導体発光構造１４０を成長させ、エピタキシャル成長の条件を調整することにより、隣接する半導体発光構造１４０の間にギャップを形成するステップと、第一エッチング液でＳｉＯ_２パターン層を除去し、半導体発光構造と基板との間にスペースを形成させるステップと、第二エッチング液で半導体発光構造１４０をエッチングし、第二エッチング液が、ギャップに注ぎ込まれた後、スペースに流れ込み、半導体発光構造１４０を逆円錐状に形成させるステップと、半導体発光構造１４０に電極を設置するステップと、ギャップに沿って基板を切断し、複数の発光ダイオードチップを形成するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面を有し、表面と垂直する法線方向を含む基板と；基板の表面に位置して表面と接触し、基板の表面の一部を露出する複数の第一種結晶柱と；第一種結晶柱の側壁及び基板の露出表面に位置する第一保護層と；複数の第一種結晶柱の上に位置し、第一表面及び第一表面と相対する第二表面を有し、第一表面は複数の第一種結晶柱と直接接触する第一緩衝層と；複数の第一種結晶柱、基板の表面及び第一緩衝層の第一表面の間に位置する少なくとも一つの第一空洞構造と、を含み、少なくとも一つの第一空洞構造は幅と高さを有し、幅は第一空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは第一空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さと幅の比率は１／５〜３の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】窒化物膜の酸化の進行を抑制し信頼性が高く、優れた光学特性を有する誘電体多層膜を備える半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子(100)は、発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体(20)と、該積層体(20)の外面を被覆する誘電体多層膜(40)と、を備え、前記誘電体多層膜(40)は、窒化物の第１膜(41)と、該第１膜(41)に接して設けられた酸化ホウ素の第２膜(42)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の水平方向における光強度分布形状を単峰化することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層を有する半導体発光素子１００であって、発光層からの第一の光を出射する第一の光出射面１３１ａおよび発光層からの光を反射する後端面１００ｂを両端とする第一の光導波路１２１と、発光層からの第二の光を出射する第二の光出射面１４１ａおよび後端面１００ｂを両端とする第二の光導波路１２２とを備え、第一の光導波路１２１と第二の光導波路１２２とは、後端面１００ｂで接続されており、第一の光出射面１３１ａと第二の光出射面１４１ａとは、第一の光の光軸と第二の光の光軸とが近づくように、互いに非平行である。 （もっと読む）

【課題】フェイスダウン（ＦＤ）実装に用いられる半導体チップを、より容易に製造できる半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の一例である発光素子２０は、基板１０上に発光素子２０を形成する半導体素子形成工程と、発光素子２０の第１電極１７０上に第１突出電極２１０および第２電極１８０上に第２突出電極２２０を形成する突出電極形成工程と、基板１０の分割予定面内に脆弱領域３２１を形成する脆弱領域形成工程（図７（ａ））と、基板１０上に発光素子２０が形成されたウエハ３０を、脆弱領域３２１を起点として、発光チップ１に分割する分割工程（図７（ｂ）および（ｃ））とを含んで製造される。 （もっと読む）

【課題】反射率の高いＡｌ層をｎ側電極に使用してｎ型導電層とのコンタクト層に使用した場合でも、加熱によるｎ側電極のコンタクト性の悪化を抑制して、電圧低下を抑制することができる窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体材料により形成されたｎ型導電性基板と、ｎ型導電性基板に、ｎ型導電層、発光層、ｐ型導電層、ｐ型半導体層上に設けられたｐ側電極と、ｐ型導電層とは反対側のｎ型導電性基板上に設けられたｎ側電極とを備えている。ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。次に、イオン照射層上に、Ａｌ電極とボンディング電極とを含む電極を形成してｎ側電極とする（電極形成工程、ステップＳ６０）。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、半導体積層体の上で、半導体積層体に直接的に接続された第１上部電極と、半導体積層体の上で、半導体積層体に第１コンタクト層を介して接続され、第１上部電極から延出された、少なくとも１つの第２上部電極と、半導体積層体の下に設けられた下部電極と、を備える。発光素子は、半導体積層体と、下部電極と、の間に設けられ、発光層から発せられる光を透過する透明導電層と、透明導電層と、下部電極と、の間に設けられた光反射層と、半導体積層体と、透明導電層と、の間および半導体積層体と、第１上部電極および第２上部電極と、の間の少なくともいずれかに設けられ、発光層の主面に対して垂直な方向からみて少なくとも１つのスリットが選択的に設けられた電流阻止層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】開いたピット中に延びる能動層を有する発光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光デバイスは、複数の層を備える能動領域と、能動領域が配置されるピット開き領域とを含んでいる。ピット開き領域は、複数の層の能動領域がピット中に延びて入るのに十分な大きさまで複数のピットの開口の大きさを広げるように構成されている。能動領域は複数の量子井戸層を備えている。ピット開き領域は、超格子構造を備えている。ピットは、その対応する転位を取り囲むことがあり、複数の層はそれぞれの転位まで延びている。複数のピットのうちの少なくとも１つは、ピット開き層とピット開き層が形成された基板との間に配置された層で生じる。能動領域は、ＩＩＩ族窒化物をベースにした能動領域であってもよい。そのような発光デバイスの製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、基板と、前記基板上に形成された共晶層と、前記共晶層上方に形成された絶縁層と、各々が前記絶縁層上に形成された密着層と、前記密着層上に形成されたＡｇ反射膜と、前記Ａｇ反射膜上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、第１導電型の第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層の上に形成され、電流が流れることにより発光する第２の窒化物半導体層と、該第２の窒化物半導体層の上に形成された、第２導電型の第３の窒化物半導体層とを含んだ半導体積層とを有する複数の半導体発光素子と、前記密着層及びＡｇ反射膜上方に形成され、隣接する半導体発光素子の一方の前記第１導電型の第１の窒化物半導体層と他方の前記第２導電型の第３の窒化物半導体層とを接続し、積層の最下層が前記密着層と同一の材料からなる配線電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光抽出効率を改善して、光効率を向上させること。
【解決手段】実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下部に形成されて、前記活性層から放出される光を放出する透明支持層と、前記透明支持層の下部に形成され、前記透明支持層を取り囲む反射層と、前記反射層の下部に形成され、前記反射層を取り囲む伝導層と、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】電極パッドによる光吸収を低減した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】一対の主表面間に複数の化合物半導体層を備える化合物半導体発光ユニットＵと、一方の主表面１１上の表面電極２８１と電気的に導通する電極パッドＥ２を支持基板Ｓ上に並設する。これにより、電極パッドＥ２の直下に化合物半導体発光ユニットＵの発光層として機能する活性層２３２が存在しない構成を実現している。 （もっと読む）