【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】接合層１８０，２２０を介して支持構造体２０と接合される発光構造体１０は、接合層１８０，２２０の上に配置され、金属材料からなる反射層を備える第１反射部と、第１反射部の上に配置される発光層１４２を備える半導体積層部１０ｓと、第１導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、半導体積層部１０ｓは、電極と第１導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる２以上の半導体層を積層した第２反射部を備える。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図る。
【解決手段】支持基板３０と、発光層１２を含む半導体膜１０と、光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられた光反射層２０、から形成され、表面電極は、半導体膜とオーミック接触する第１の電極片４３と、第１の電極片に電気的に接続され且つ半導体膜とショットキー接触する第２の電極片４１と、を含み、光反射層に形成される反射電極は、第１の電極片と互いに重ならないように配置され半導体膜とオーミック接触する第３の電極片２１Ｄと、第３の電極片に電気的に接続され半導体膜とオーミック接触し且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含み、第１の電極片と第４の電極片との間の半導体膜の主面方向における最短距離は、第１の電極片と第３の電極片との間の同方向における最短距離よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】透光性基板と光反射層との密着性を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１００は、保護層３３、３４、ＡｇまたはＡｇ合金によって構成される反射層３２、アルミナによって構成される密着層３１、サファイア基板１０、半導体層２０の順に形成されている。 （もっと読む）

【課題】反射膜材が基板の側面へ付着するのを防止した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１の面１１ａから第２の面１１ｂ側に向かって略垂直に延在する第１の領域１１ｃ１と第１の領域１１ｃ１から第２の面１１ｂ側に向かって末広がり状に傾斜した第２の領域１１ｃ２を有する側面１１ｃを備えている。第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１２が基板１１の第１の面１１ａに形成されている。反射膜１５が基板１１の第２の面１１ｂに形成されている。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体と、第１電極と、第２電極と、反射層と、第１金属ピラーと、第２金属ピラーと、封止部と、を含む半導体発光素子が提供される。積層体は、第１部分及び第２部分を有する第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第２部分と第２半導体層との間に設けられた発光部と、を含む。積層体は、第１半導体層の側の第１主面と、２半導体層の側の第２主面と、を有する。第１、第２電極は、第２主面の側において、第１、第２半導体層のそれぞれの上に設けられる。反射層は、積層体の側面を覆い、絶縁性である。第１、第２金属ピラーは、第１、第２電極とそれぞれ接続され、第１半導体層から第２半導体層に向かう第１方向に延びる。封止部は、第１金属ピラー及び第２金属ピラーを封止する。 （もっと読む）

【課題】電気的/光学的信頼性を改善できる発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージおよび照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムに関する。本発明の一態様による発光素ｃ子は、第１導電型の第１半導体層と、前記第１導電型の第１半導体層上の活性層と、前記活性層上の第２導電型の第２半導体層と、前記第２導電型の第２半導体層上の信頼性強化層と、前記信頼性強化層上の、光抽出パターンを有する第２導電型の第３半導体層とを備え、前記信頼性強化層と前記活性層との間の距離は０.３μm〜５μmにすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の面積の和と側面１１ｃの面積の比が０．５以上である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光源と、この光源からの出射光に励起されて光源の発光色と異なる色相の光を放出できる蛍光体板とを組み合わせたＬＥＤ発光装置において、点光源に近い微小面積の面光源を作りだす。同時にイエローリングを解消する。また、レンズ等の光学系による効率の良い出射光のコントロールを可能にする。
【解決手段】回路基板８０上にフリップチップ実装されたＬＥＤ素子１０の発光面上に、蛍光体板２０を積層し、さらに拡散板３０を透明接着剤にて積層して接着し、ＬＥＤ素子１０の側面と蛍光体板及び拡散板の側面を反射性の白色部材４０で充填封止する。それにより、点光源に近い微小面積の面光源を得ることができる。同時にイエローリングを解消することができる。さらに、レンズ等の光学系を付加する場合には、レンズに対して一定の範囲内に照射できるので効率の良い出射光のコントロールが可能なＬＥＤ発光装置１００を得られる。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子から生じた光を１つの発光素子から取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に設けられた端面発光型素子と、前記端面発光型素子の光出射端面内を起点とし該光出射端面に略垂直な軸と交わるように、前記基体上に設けられた発光ダイオード素子と、を備え、前記端面発光型素子は、前記発光ダイオード素子の上面よりも上に発光領域を有する発光装置である。 （もっと読む）

【課題】発光素子の実装面側において、電極間からの光の漏れを防止し、光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】同一面側に一対の電極１６、１７を有する発光素子の該電極上に金属部材１８、１９を形成する工程と、電極１６、１７が形成されている側の発光素子上に無機部材からなる光反射層２０を形成する工程と、光反射層２０と金属部材１８、１９とを略同一面とする工程と、を有する発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
従来の白色部材被覆型のＬＥＤ発光装置では、回路基板上に実装したＬＥＤの発光面を露出させた状態で、ＬＥＤの側面側に白色部材を充填し、白色部材を硬化させた後にＬＥＤの発光面に透光性部材や蛍光体層を接着しているため、ＬＥＤの光取出面に対するコーティング材の付着が発生する危険性があり、研磨除去のような余分な工程が必要になる場合があり、生産上の問題であった。
【解決手段】
発光素子と該発光素子の発光面に透明接着剤にて接着された、前記発光素子の発光面より大きい蛍光体板と、前記発光素子をフリップチップ実装した回路基板と、前記発光素子の側面と蛍光体板の下面を充填被覆した第１白色部材と、前記発光素子の下面と回路基板間に第２白色部材を充填した。 （もっと読む）

【課題】
従来の白色部材被覆型のＬＥＤ発光装置や、アンダーフィルを施したＬＥＤ発光装置では、ＬＥＤの光取出面に対する白色部材の付着が発生する危険性があり、またアンダーフィル型のＬＥＤ発光装置ではＬＥＤの側面方向の出射光を十分に利用することがなされていなかった。
【解決手段】
発光素子の外形より大きい形状の蛍光体板に、バンプ実装された発光素子の発光面側を透明接着材にて接着すると共に、前記発光素子の側面と前記蛍光体板の下面との間に透明樹脂を充填し、前記充填された透明樹脂の形状が前記発光素子の実装面側の角部より蛍光体板に向かって円弧状に形成された発光素子チップを構成し、該発光素子チップを回路基板上の配線電極にフリップチップ実装した。 （もっと読む）

【課題】 光の出射効率を高めながらも、耐食性に優れた半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 電力を供給することで発光する発光層１２を有した半導体積層構造１１〜１４を形成し、さらにその上に、発光層１２が出射する光の少なくとも一部を反射する反射膜２ｂを有した電極２１，２２を形成する。そして、電極２１，２２の露出面を酸化することで、少なくとも反射膜２ｂの表面に酸化被膜２ｂｘを形成する。これにより、反射膜２ｂの耐食性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、基板、導電性反射膜、活性領域、第１電極、透明導電膜、及び第２電極が設けられる。導電性反射膜は基板上に設けられる。活性領域は、第１導電型透明電極、第１導電型コンタクト層、発光層、第２導電型コンタクト層、及び第２導電型透明電極が導電性反射膜上に積層形成される。第１電極は活性領域と離間し、導電性反射膜上に設けられる。透明導電膜は、一端が第２導電型透明電極上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して記導電性反射膜上に設けられ、活性領域の側面とは絶縁膜を介して接する。第２電極は、透明導電膜の他端上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光層１４上に、ＭＯＣＶＤ法によってｐ−ＡｌＧａＮからなるｐクラッド層１５を形成する。圧力３０ｋＰａ、Ｍｇ濃度は１．５×１０²⁰／ｃｍ³ とする。これにより、III 族元素極性の結晶に窒素極性の領域が多数生じ、ｐクラッド層１５の表面は六角柱状の凹凸形状となる。次に、ｐクラッド層１５上に、ＭＯＣＶＤ法によって凹凸形状に沿って膜状にＧａＮからなるｐコンタクト層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧の上昇を抑制し、且つ光取り出し効率を向上させたフリップチップ実装半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第２の導電型を有する第２の半導体層１６０が積層された積層半導体層と、第１の半導体層と接続する第１の電極と、第２の半導体層の表面に設けた第２の電極１７０と、を備え、第２の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し、光透過性を示す透明導電層１７１と、透明導電層上に積層され第１の屈折率を有し光透過性を示す第１の絶縁層と、第１の屈折率より高い第２の屈折率を有し光透過性を示す第２の絶縁層とを交互に積層して構成された多層絶縁層１７２と、多層絶縁層上に積層され導電性を有する金属反射層１７３ａと、多層絶縁層を通して設けられ一端が透明導電層の膜厚部に電気的に接続され他端が金属反射層と電気的に接続される導体部１７６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率および輝度が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第１電極と、開口部を有する絶縁層と、第１導電形層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。前記第１導電形層は、前記第１電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。第１導電形層は、第１コンタクト層、組成傾斜層、第１クラッド層を含む。前記第２導電形層は、前記発光層と前記第２電極との間に設けられ、電流拡散層および第２コンタクト層を有する。前記第２電極は、パッド部と、前記パッド部から外方に向かい前記第２コンタクト層の上に延在する細線部、とを有する。上方からみて、前記絶縁膜の前記開口部と、前記第２コンタクト層とは、重ならない。 （もっと読む）

【課題】ストライプコア基板であるＧａＮ基板上に形成したエピタキシャル層中には、基板のストライプコアに対応してエピタキシャル層中に高欠陥密度部が形成される。この高欠陥密度部の表面を有効利用した窒化物系ＬＥＤを提供する。
【解決手段】ストライプコア基板であるＧａＮ基板の上にｎ型層、発光層およびｐ型層を含む複数のエピタキシャル層が積層されている。該ｐ型層は、高欠陥密度部と、該高欠陥密度部よりも欠陥密度の低い低欠陥密度部とを有しており、透光性オーミック電極層が、該ｐ型層の該高欠陥密度部上から該低欠陥密度部上にわたって形成されており、ボンディングパッドが、該透光性オーミック電極層上の一部に形成されており、該透光性オーミック電極層と該ｐ型層の該高欠陥密度部との間には電流ブロック層が設けられており、該ボンディングパッドは該電流ブロック層の上方に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を保ちつつ輝度が高められた半導体発光素子および量産性に富むその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、反射層と、支持基板と、第１接合電極と、第２接合電極と、を有する。前記反射層は、前記半導体積層体の側の第１の面および前記第１の面の反対の側の第２の面を有し、金属からなる。前記第１接合電極は、前記第２の面と前記支持基板との間に設けられ、前記支持基板の側に突出した凸部と、平面視で前記凸部の周囲に設けられた底部と、を有する。前記第２接合電極は、前記第１接合電極の前記凸部と嵌合する凹部を有し、前記支持基板と、前記第１接合電極と、を接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の第１部分の上に形成された層間絶縁膜と、前記窒化物半導体層の第２部分の上に形成された電極と、前記窒化物半導体層の上に形成された層間絶縁膜及び電極と、を有する構造体の、前記層間絶縁膜及び前記電極の上に支持基板を接合した後、第１の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去する前記工程の後に、前記層間絶縁膜をエッチングストップ層として前記窒化物半導体層をパターニングする工程と、を備える。 （もっと読む）