説明

Fターム[5F041CB15]の内容

発光ダイオード (162,814) | LED形式 (4,083) | 素子構造 (4,083) | 反射面を有するもの (1,115)

Fターム[5F041CB15]に分類される特許

161 - 180 / 1,115


【課題】製造コストを大幅に増加させずに、発光出力が高く、不要な波長の光の放出が少ない発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子1は、反射部210が複数のペア層を有し、第1の半導体層210aが、光のピーク波長をλ、第1の半導体層210aの屈折率をn、第2の半導体層210bの屈折率をn、第1クラッド層220の屈折率をnIn、光の入射角をθとした場合に、式(1)で定められる厚さTA1を有し、第2の半導体層210bが式(2)で定められる厚さTB1を有し、ペア層が44以上61以下のθの値の範囲で式(1)及び式(2)で規定される厚さの第1の半導体層210a及び第2の半導体層210bを含み、44以上61以下のθの値の範囲で式(1)で規定される厚さの第1の半導体層210aと式(2)で規定される厚さの第2の半導体層210bとからなるペア層を含む。 (もっと読む)


【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させ、かつ、リーク電流の発生を阻止することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子1においては、半導体積層体14のn型コンタクト層3に設けられた平面視ドット状の複数の分配電極12、p型コンタクト層7と導電反射層9とを接続する円環状の界面電極8、及び、複数の分配電極12を覆う透明導電膜21の中央に円形状に設けられた表面電極17が、積層方向において互いに重ならないように配置されている。また、絶縁性保護膜25は、少なくとも半導体積層体14の側面の全面を覆っている。 (もっと読む)


【課題】高輝度、高効率、高信頼性を高度に同時に満足する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物系半導体からなる第1導電型の第1半導体層と、窒化物系半導体からなる第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記第2半導体層の前記発光層とは反対側に設けられ、銀または銀合金を含む第1金属層と、第1金属層の第2半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む第2金属層と、を有する電極と、を備え、第2半導体層は、第2半導体層と第1金属層との界面に接して設けられ、銀を含む界面層を含み、第2半導体層と電極との間のコンタクト抵抗は、10×10−4Ωcm以下である半導体発光素子が提供される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光抽出効率が向上した半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、第1の導電型半導体層と、当該第1の導電型半導体層の一面上に形成される活性層と、当該活性層の上に形成され複数のホールを含む第2の導電型半導体層と、当該第2の導電型半導体層の上に形成される透明電極と、を含む半導体発光素子;成長用基板上に第2の導電型半導体層、活性層及び第1の導電型半導体層を形成する段階と、当該第1の導電型半導体層の上に導電性基板を形成する段階と、上記成長用基板を上記第2の導電型半導体層から分離し当該第2の導電型半導体層に複数のホールを形成する段階と、上記第2の導電型半導体層の上に透明電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法;を提供する。 (もっと読む)


【課題】高輝度、高効率、高信頼性を高度に同時に満足する半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1導電型の第1半導体層と、第2導電型の第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、第2半導体層の発光層とは反対側に設けられた電極と、を有する半導体発光素子の製造方法が提供される。第2半導体層の発光層とは反対側の面の上に銀または銀合金を含む第1金属層を形成し、第1金属層の上に、白金、パラジウム、ロジウムの少なくともいずれかの元素を含む第2金属層を形成し、第2半導体層、第1金属層及び第2金属層を、酸素を含有する雰囲気においてシンター処理し、シンター処理の温度は、シンター処理を実施した後の第1金属層に含まれる銀の平均粒径が、シンター処理を施す前の銀の平均粒径の3倍以下である温度である。 (もっと読む)


【課題】複数の接触部を有する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、支持基板と、該支持基板の上に位置する反射層と、該反射層の上に位置する透明層と、該透明層の上に位置する発光スタック層と、該透明層と該反射層との間に位置するエッチング阻止層と、該発光スタック層と該透明層との間に位置する複数の接触部とを有する。 (もっと読む)


【課題】透明基板の片面に配設された複数の単結晶薄膜半導体発光素子からの光を両面から出射させることができる表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板110の片面に複数の単結晶薄膜半導体発光素子111を配設した表示装置10であって、複数の単結晶薄膜半導体発光素子は、母材基板101から剥離された単結晶薄膜半導体層から構成され、単結晶薄膜半導体発光素子は、発光層(活性層)113とこの発光層(活性層)を挟んだ2層の非発光層112、114とを備え、前記単結晶薄膜半導体発光素子111の表面に、非光透過層122、124と、他の発光層123を有する他の単結晶薄膜半導体層からなる他の単結晶薄膜半導体発光素子121とを積層した(もっと読む)


【課題】発光輝度の更なる向上を図ることができるパターン基板及び該パターン基板を用いた発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】発光ダイオード5は、パターン基板2と、パターン基板2の上面21に形成されたエピタキシャル層構造体3と、エピタキシャル層構造体3上に形成された電極ユニット4とを備えている。パターン基板2は、上面21から下向きに窪んだ凹部形成面22により画成され、互いに離間して設けられた複数の凹部25と、各凹部形成面22は、上面21より下向きに延伸される周面24と、該周面24と共に凹部25を画成する底面23とを有し、複数の凹部25のそれぞれの底面23より突起26が上向きに突出して形成されている。 (もっと読む)


【課題】発光層で発光した光の取り出し効率を高めることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子1は、p型半導体層21、発光層22及びn型半導体層23が積層され、p型半導体層及び発光層22の一部が除去されてn型半導体層21の一部が露出したGaN半導体層20と、GaN半導体層20の上に、p側第1絶縁膜開口部55及びn側第1絶縁膜開口部56を備えて積層される第1反射層50と、p側第1絶縁膜開口部55を通じて、p型半導体層23にキャリアを注入するためのp側透明配線電極層40と、p側透明配線電極層40の上方に、p側第1絶縁膜開口部55の少なくとも一部を覆うように積層され、p側第1絶縁膜開口部55を通過した光を発光層22側に反射する第2反射層60とを備える。 (もっと読む)


【課題】発光素子の実装基板への搭載工程を簡略化し、発光素子と実装基板との接合性を良好にする発光素子の搭載方法を提供すること。
【解決手段】接合層が形成された発光素子を実装基板に搭載する発光素子の搭載する際、実装基板に金属ナノ粒子ペーストを塗布し、発光素子の接合層を金属ナノ粒子ペースト上に配置した後、接合層と前記金属ナノ粒子ペーストを加熱して合金化させて発光素子と実装基板を接合する。このような発光素子の搭載方法により、残渣となるフラックスを用いることなく、発光素子と実装基板とを結合させることができる。 (もっと読む)


【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子1は、光取り出し面としての第1の面と、第1の面に対向する第2の面とを有し、発光層63を有するIII−V族化合物半導体からなる積層構造10と、支持基板3と第2の面との間に設けられ発光層63の発光光を第1の面側に反射する反射金属膜4と、第1の面の一部に複数設けられて積層構造10と導電する第1電極70と、第1の面に設けられ第1電極70と導電する透明導電膜71と、透明導電膜71の上に設けられる電極パッド9とを有する。 (もっと読む)


【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子1は、活性層を有する半導体積層体14の一方の表面に設けられる複数の分配電極12と、半導体積層体14の一方の表面側に設けられ、複数の分配電極12を覆う透明導電膜21と、半導体積層体14の他方の表面側に設けられる導電反射層9と半導体積層体14との間に位置する誘電体層15と、誘電体層15の内部で導電反射層9と半導体積層体14とを電気的に接続し、平面視にて複数の分配電極12に重ならない位置に設けられる界面電極8と、透明導電膜21を介して複数の分配電極12に電気的に接続し、平面視にて分配電極12及び界面電極8に重ならない位置に設けられる表面電極17とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板の亀裂および炭化が生じる危険を低減し、かつ製作の速度を維持するための、ウェーハレベルの燐光体被覆方法および装置を提供する。
【解決手段】通常基板上に複数のLEDを設けるステップを含む、発光ダイオード(LED)チップを製作する方法。LED上に脚柱を堆積させ、脚柱はそれぞれ、LEDのうちの1つに電気的に接触する。LEDを覆って被覆が形成され、この被覆は、脚柱の少なくとも一部を埋設する。次いで、被覆を平坦化して、前記被覆の少なくとも一部を前記LED上に残しながら、埋設された脚柱の少なくとも一部を露出させる。次いで、ワイアボンドなどによって、露出した脚柱に接触できるようにする。本発明は、キャリア基板上にフリップチップ接合されたLEDを有するLEDチップおよび他の半導体装置を製作するために使用される類似の方法を開示する。また、製作されたLEDチップウェーハおよびLEDチップも開示される。 (もっと読む)


【課題】十分な発光量を確保しつつ小型化が図れ、且つ良好な生産性・歩留りを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード100は、基板30と、基板30上に配設される金属配線層31と、金属配線層31上に設けられる半導体発光素子10と、を有し、半導体発光素子10は、1辺が100μm以上250μm以下であり、基板30側から順に、第1半導体層5、活性層4、第2半導体層3を備えた半導体発光層6と、半導体発光層6の基板30側に設けられる透明絶縁膜7と、透明絶縁膜7の基板30側に離間領域18,19を介して設けられ、金属配線層31と電気的に接続される第1電極部16及び第2電極部17と、を有し、第1電極部16は、透明絶縁膜7を貫通して設けられる第1コンタク卜部12により第1半導体層5と電気的に接続され、第2電極部17は、透明絶縁膜7、第1半導体層5、及び活性層4を貫通して設けられる第2コンタクト部11により第2半導体層3と電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオード(LED)からの外部光抽出を改善し、より具体的には、III族窒化物材料系において形成された白色発光ダイオードからの光抽出を改善すること。
【解決手段】III族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、III族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、ボンディング構造を支持するマウント基板であって、マウント基板は、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含む、マウント基板とを備えている、発光ダイオード。 (もっと読む)


【課題】十分な発光量を確保しつつ小型化が図れ、且つ良好な生産性・歩留りを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード100は、基板30と、基板30上に配設される金属配線層31と、金属配線層31上に設けられる半導体発光素子10と、を有し、半導体発光素子10は、1辺が450μm以上であり、基板30側から順に、第1半導体層5、活性層4、第2半導体層3を備えた半導体発光層6と、半導体発光層6の基板30側に設けられる透明絶縁膜7と、透明絶縁膜7の基板30側に離間領域18,19を介して設けられ、金属配線層31と電気的に接続される第1電極部16及び第2電極部17と、を有し、第1電極部16は、透明絶縁膜7を貫通して設けられる第1コンタク卜部12により第1半導体層5と電気的に接続され、第2電極部17は、透明絶縁膜7、第1半導体層5、及び活性層4を貫通して設けられる第2コンタクト部11により第2半導体層3と電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】改善されたオーミックコンタクト構造およびp型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体ベースの発光デバイス(LED)1は、p型窒化物層16と、p型窒化物層の上の金属オーミックコンタクト18を含むことができる。該金属オーミックコンタクトは、約25Å未満の平均厚さ、および約10−3Ωcm未満の固有接触抵抗率を有することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、微細パターンの形成工程に関する。
【解決手段】微細パターンの形成方法は、c面六方晶系半導体結晶を設ける段階から始まる。上記半導体結晶上に所定のパターンを有するマスクを形成する。次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に1次微細パターンを形成し、上記1次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記1次微細パターンが水平方向に延びた2次微細パターンを形成する。ここで、上記ウェットエッチング工程から得られた2次微細パターンの底面と側壁は夫々固有の結晶面を有することができる。本微細パターンの形成工程は、半導体発光素子に非常に有益に採用されることができる。特に微細パターンが求められるフォトニック結晶構造または表面プラズモン共鳴原理を用いた構造に有益に採用されることができる。 (もっと読む)


【課題】大電流で長時間操作される場合でも、活性層で発生した熱が反射層を損なわないLED構造を提供する。
【解決手段】LED構造は、基板200と、発光エピタキシャル構造204,210,212と、第1の導電型接触層214と、第2の導電型接触層216と、透明絶縁層218と、第1の反射層226と、第2の反射層230と、第1の障壁層228と、第2の障壁層232と、第1の導電型電極234と、第2の導電型電極236とを備える。 (もっと読む)


【課題】凹凸構造の凹部の径、深さが均一であり、凹部が均一に分散した発光素子を簡便に製造することができる発光素子の製造方法、及びこの凹凸構造が光取り出し部に有することにより、光取り出し効率を維持しつつ、均一に発光する発光素子の提供。
【解決手段】発光素子の光取り出し部となる表面上に、有機溶媒に疎水性ポリマーを溶解したポリマー溶液を塗布しポリマー溶液塗布膜を形成するポリマー溶液塗布膜形成工程と、前記発光素子を相対湿度が50%〜99%の水滴形成雰囲気中に置き、ポリマー溶液塗布膜の表面に水滴を形成させる水滴形成工程と、前記有機溶媒及び前記水滴を蒸発させ、前記ポリマー溶液塗布膜に複数の凹部を形成し凹部形成膜を形成させる凹部形成工程と、前記凹部形成膜をマスクとして前記光取り出し部のエッチングを行うエッチング工程と、を含む発光素子の製造方法及びこれによって複数の凹部が形成された発光素子である。 (もっと読む)


161 - 180 / 1,115