【課題】高輝度かつ低順方向電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一の導電型層１１と第二の導電型層１２に挟まれた発光層１３を有する化合物半導体１４において、第一の主表面１１ａを光取り出し面とし、第二の主表面１２ａに発光層１３からの光を第一の主表面１１ａ側に反射させる反射金属膜１５を介して、支持基板１６と化合物半導体１４が結合され、化合物半導体１４の第二の主表面１２ａと反射金属膜１５間に透明絶縁膜１７を有し、透明絶縁膜１７の一部に貫通して化合物半導体層と電気的にオーミック接合する界面電極１８を有する半導体発光素子において、発光波長が７８０ｎｍ以上の赤外光であり、第一の導電型層１１の内、Ｖ族がＡｓ系層である総膜厚が１．０μｍ以上であり、第一の導電型層１１、発光層１３、第二の導電型層１２および各層内のアンドープ層の各ヘテロ接合界面におけるバンドギャップの差が、０．３０ｅＶ以下である。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高い発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の上に設けられる第１導電型の第１導電型層と、第１導電型層の上に設けられ、光を発する活性層１６と、活性層１６の上に設けられ、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層と、第１導電型層の表面の一部に接する第１電極と、第２導電型層の表面の一部に接する第２電極とを備え、第１電極が、活性層１６の直上又は直下に対応する第１導電型層の表面とは異なる第１導電型層の表面に接し、第２電極が、活性層１６の直上又は直下に対応する第２導電型層の表面とは異なる第２導電型層の表面に接する。 （もっと読む）

【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されずに中間層外に透過する率を低減する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と光透過抑制構造層２７とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】導電性を有する支持基板Ｓ上に、反射金属膜２６を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層２３２を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットＵを複数個並設した構造を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し面に設けられた凸部の形状を制御することで、光取り出し効率が改善された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体発光素子は、放出光を放出可能な発光層と、第１の面と第２の面とを有する第１導電形の電流拡散層であって、前記第１の面の側には前記発光層が配置され、前記第２の面には、凸部を有する光取り出し面と、結晶成長面を表面とする平坦面と、が形成された電流拡散層と、前記平坦面に設けられたパッド電極と、を備える。前記凸部の一方の底角は、９０度以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関し、金属保護膜層と金属支持層により水平型発光素子の特性を高めることのできる垂直型ＧａＮ発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、垂直型ＧａＮ−ＬＥＤの側面及び／または下面に１０ミクロン以上の厚い金属保護膜層を形成して外部の衝撃から素子を保護することができ、チップ分離を容易に行うことができる他、サファイア基板の代わりに金属基板を用いて素子動作時に生じる熱放出を容易に行うことができることから、高出力素子に用いて好適であり、しかも、光出力特性が向上した素子を製造することができ、金属支持層を形成してチップの分離時に素子が歪んだり衝撃により損傷されたりするような現象を防ぐことができ、ｐ型電極をｐ−ＧａＮ上に網目状に部分的に形成して活性層において形成した光子がｎ−ＧａＮ層に向かって放射されることを極大化させることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱効率および光の取り出し効率の向上を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニット、発光素子ユニットを樹脂パッケージで覆った発光素子パッケージならびに発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】発光素子１は、発光層４の発光波長に対して透明な基板２と、基板２上に積層されたｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層３上に積層された発光層４と、発光層４上に積層されたｐ型窒化物半導体層５と、ｐ型窒化物半導体層５上に積層され、発光層４の発光波長に対して透明な透明電極層６と、銀と白金族金属と銅とを含む合金からなり、透明電極層６に接触した状態で透明電極層６上に積層され、透明電極層６を透過した光を反射させる反射電極層７とを含む。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光層と、透光層と、半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光層は、活性層を含む。前記透光層は、前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。前記半導体層は、前記発光層と前記透光層との間において前記透光層に接する。前記半導体層は、前記透光層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層表面の凹凸および反射層を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれた発光層１２を有する半導体積層構造を有し、発光層１２のｎ型半導体層１１側から光を取り出す半導体発光素子であって、ｐ型半導体層１３上に形成された、発光層１２から発せられた光を反射する反射層１６と、を有し、ｎ型半導体層１１は、発光層１２と反対側の面に光の進路を変更するための凹凸領域１１０を有し、反射層１６の少なくとも一部は、凹凸領域１１０の端部の直上まで形成される。 （もっと読む）

【課題】上記問題を解決し、従来に無い発光パターンを有し、エッチング加工性が改善された、ラージチップ型のＧａＮ系発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に、積層体Ｓを形成し、該積層体Ｓには上面から凹部ｈを複数形成し、各凹部内にｎ型層を露出させる。該積層体Ｓの上面の残された領域にはｐ電極Ｐ２を設け、第ｐ電極を絶縁体層ｍで覆う。各凹部内に露出したｎ型層にはｎ電極Ｐ１を設け、記絶縁体層ｍを越えて凹部内同士を結ぶ導体層Ｐ３によって、ｎ電極同士を互いに接続し、発光部が網目状に広がったラージチップ型の窒化物半導体発光素子とする。積層体Ｓは、窒化物半導体からなり、例えば、ｎ型層２とｐ型層４とが発光層３を挟んでいる積層構造を有し、ｎ型層は基板側に位置している。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光層と、透光層と、第１窒化物半導体層と、第２窒化物半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光層は、窒化物半導体の活性層を含む。前記透光層は、前記発光層から放出される光に対して透光性を有し、酸化珪素、または、任意の元素が添加された酸化珪素からなり非晶質である。前記第１窒化物半導体層は、前記発光層と前記透光層との間において前記透光層に接する。前記第１窒化物半導体層は、前記透光層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有し、第１導電形である。前記第２窒化物半導体層は、前記発光層の前記透光層とは反対側の面に設けられ、第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】効率よく発光層を発光させることができ、高い発光効率が得られ、しかも、優れた光取り出し効率が得られる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に部分的に形成され、屈折率が１．５以上であり、熱膨張係数が５．０×１０^−６（１／Ｋ）〜１５．０×１０^−６（１／Ｋ）であり、膜厚が５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である絶縁層２１と、絶縁層２１上に積層された膜厚が３０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である金属反射層２２と、ｐ型半導体層１４上および金属反射層２２上を覆うように形成された透明導電層１５と、透明導電層１５上の絶縁層２１および金属反射層２２と平面視で重なる位置に形成された正極１７とを備えるものである半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】パッド電極下に反射層を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれた発光層１２を有する半導体積層構造を有する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層１３上に形成された第１の透明電極１４と、第１の透明電極１４上に形成された、第１の透明電極１４よりも面積の小さい反射層１５と、第１の透明電極１４上に反射層１５を覆うように形成された第２の透明電極１６と、第２の透明電極１６上の反射層１５の上方の領域に形成されたｐパッド電極１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
【解決手段】基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。上記発光ダイオードは、例えば、横方向エピタキシャル成長（ＬＥＯ）によるものであり、１つ以上の発光種（例えば、量子井戸）８０を含む。パターニングされた層は、パターニングされ穿孔または貫通されたマスク（絶縁材料または半導性材料または金属材料から構成されている）７４と、マスク内のホールを充填する材料とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層１１と、該活性層１１を挟む第１のクラッド層９と第２のクラッド層１３とを有する発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３とを備え、第１及び第２のクラッド層９、１３が組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い外部量子効率を安定に確保できるようにした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０の表面部分には発光領域１２で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも１つの凹部２０及び／又は凸部を形成し、凹部２０及び／又は凸部は半導体層１１、１２、１３に結晶欠陥を発生させない形状とする。また、光が凹部２０及び／又は凸部において散乱又は回折され、上方の半導体層又は下方の基板から効率的に光を取り出す。 （もっと読む）

【課題】高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
【解決手段】高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）は、基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。上記発光ダイオードは、例えば、横方向エピタキシャル成長（ＬＥＯ）によるものであり、１つ以上の発光種８０（例えば、量子井戸）を含む。パターニングされた層は、パターニングされ穿孔または貫通されたマスク７４（絶縁材料または半導性材料または金属材料から構成されている）と、マスク内のホールを充填する材料とを備えている。 （もっと読む）

【課題】放熱性や発光特性が良く、高い生産性・歩留まりを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、透明基板１と、配線層３１と、透明基板１と配線層３１との間に設けられる半導体発光素子構造部２０と、を有し、半導体発光素子構造部２０は、半導体発光層６と、透明導電層８と、透明絶縁膜１１と、透明導電層８の透明絶縁膜１１に覆われるように設けられる金属反射層９と、透明絶縁膜１１の配線層３１側に離間領域１８，１９を介して設けられ、配線層３１と電気的に接続される第１電極部２１及び第２電極部２２と、を有し、第１電極部２１は、第１コンタク卜部１４を介して第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部２２は、第２コンタクト部１５により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光部と実装基板とが複数のバンプを介してされる発光素子において、高い耐衝撃性を確保しつつ、高い光取り出し効率を図ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、半導体層１２と、半導体層１２に積層され、ｐ型窒化物半導体層１２３より屈折率が小さい透明導電膜１３と、透明導電膜１３上に、導通領域Ｃ１を除くように積層された低屈折率誘電膜１４１と、低屈折率誘電膜１４１に積層された接着誘電膜１４２と、接着誘電膜１４２と接合し、導通領域Ｃ１において透明導電膜１３と導通する反射導電膜１４３とを備える。また、反射導電膜１４３上に積層されたｐ電極１６と、ｐ電極１６と接合する複数のバンプＰとを備え、導通領域Ｃ１は、ｐ電極１６とバンプＰとの接合面を透明導電膜１３へ投影した投影領域Ｔ１の外に設けられる。 （もっと読む）

【課題】
素子生産量と光抽出効率を向上させることができる垂直型発光素子の製造方法およびその垂直型発光素子に用いる基板モジュールを提供すること。
【解決手段】
垂直型発光素子の製造方法において、基板１０とＬＥＤ構造のインターフェースが分離するまたは剥離するところに隙間１３’を形成することで、基板１０を該基板１０に形成されたＬＥＤ構造から容易に分離または剥離できるようにする。基板１０とエピタキシャル層２０からなる基板モジュールは制御可能な方式で基板１０とエピタキシャル層２０との間のインターフェースに複数の隙間１３’を形成している。そして、該エピタキシャル層２０にＬＥＤ構造を形成させ、ＬＥＤ構造をスーパーストレート７０に付着させ、基板１０をエピタキシャル層２０から分離し、かつ、基板１０の所在部に導電層と接触電極を形成させて、垂直型発光素子を形成させる。 （もっと読む）