【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の第１部分の上に形成された層間絶縁膜と、前記窒化物半導体層の第２部分の上に形成された電極と、前記窒化物半導体層の上に形成された層間絶縁膜及び電極と、を有する構造体の、前記層間絶縁膜及び前記電極の上に支持基板を接合した後、第１の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去する前記工程の後に、前記層間絶縁膜をエッチングストップ層として前記窒化物半導体層をパターニングする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、一部または全部が前記第１半導体層に埋め込まれている。前記透明電極は、前記光取り出し面および前記低屈折率層を覆い前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】効率良く射出し、複数の射出面の間隔が大きい発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００の第１利得領域１６０は第１面１３０の垂線Ｐに対して一方側に傾いて第１面１３０と接続し、第２利得領域１７０は垂線Ｐに対して他方側に傾いて第１面１３０と接続し、第１利得領域１６０の第１面１３０側の第１端面１８０と、第２利得領域１７０の第１面１３０側の第３端面１８４とは、第１面１３０において重なり、第１利得領域１６０及び第２利得領域１７０は、同じ傾きで第２面１３２と接続する。曲線形状の第１利得部分１６２及び第２利得部分１７２と、直線形状の第３利得部分１６４及び第４利得部分１７４とは、第５利得部分１６６及び第６利得部分１７６を介して接続され、第５利得部分１６６及び第６利得部分１７６と接する場所の絶縁層１１６の屈折率がスロープ形状もしくは階段形状である第１接続部分１４０及び第２接続部分１５０を有する。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板との間に空隙を形成する第１凹凸形状を有するバッファ層と、前記バッファ層の前記第１凹凸形状の上に形成された窒化物半導体層と、を有する構造体の、前記窒化物半導体層の側に支持基板を接合した後、第１の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去した後、前記第１の処理材とは異なる第２の処理材を用いて前記バッファ層及び前記窒化物半導体層の厚さを減少させて、前記窒化物半導体層に前記第１凹凸形状を反映した凹第２凸形状を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い光取出し効率を実現でき、かつ、製造が容易で低コストな発光ダイオード用基板及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】表面ｓに発光層７を含む半導体層３が形成される発光ダイオード用基板であって、サファイア基板からなり、表面ｓには、発光層７が発光する光を乱反射するランダムに配置された凹凸が形成され、かつ、凹凸は結晶方位を反映して形成されており、凹凸の高さが１μｍ以上５μｍ以下であり、表面のＸ線回折ロッキングカーブ半値幅が６０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】発光領域への電流注入密度、および発光効率が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、支持基板と、第１電極と、第１導電形層と、発光層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。前記第１導電形層は、第１コンタクト層、前記第１コンタクト層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する窓層、第１クラッド層、を有する。前記第２導電形層は、第２クラッド層、電流拡散層、第２コンタクト層、を有する。前記第２電極は、前記第２コンタクト層の上に延在する細線部と、前記第２コンタクト層の非形成領域に設けられ前記細線部と電気的に接続されたパッド部と、を有する。前記第１コンタクト層および前記窓層のバンドギャップエネルギーは、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりもそれぞれ大きい。前記第１コンタクト層は、前記窓層と前記第１電極との間に選択的に設けられ、上方からみて、前記第１コンタクト層と、前記第２コンタクト層と、は、重ならないように設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の無極性面または半極性面を機械的に加工する工程を含みながらも、該加工に起因する発光効率の低下が防止される、無極性または半極性の窒化物系ＬＥＤの製造方法を提供する。
【解決手段】無極性または半極性の窒化物半導体基板を含む窒化物半導体積層体を準備する第１工程と、該窒化物半導体積層体の底面を機械的に削ることによって該窒化物半導体積層体の厚さを減じる第２工程と、該第２工程で生じる着色部が除去されるように該窒化物半導体積層体の底面をドライエッチする第３工程と、を有し、該第３工程では、エッチバック法を用いることによって該窒化物半導体積層体の底面の平坦性を改善する、窒化物系ＬＥＤの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層の上面に配置された第１電極と、前記半導体層の下面に配置された第２電極と、を備える半導体発光素子であって、前記半導体層の上面は第１領域と、前記第１領域よりも前記半導体層の厚みが厚い第２領域とを有し、前記第１電極はパッド電極と、前記パッド電極から延伸する補助電極と、を備え、前記第１電極は前記第２領域上にあり、前記第２領域は、前記補助電極に沿ったものと、前記補助電極と異なる方向に延伸するものと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の順方向電圧の上昇を抑制してライフ特性を改善する。
【解決手段】第一半導体層と、第一半導体層と異なる導電性を有する第二半導体層と、第一半導体層及び第二半導体層の間に設けられる活性領域と、第一半導体層上に設けられる透光性導電層１３と、透光性導電層１３の上に設けられる反射構造２０と、反射構造２０の上に設けられ、第一半導体層と電気的に接続される第一電極とを備える半導体発光素子であって、反射構造２０が、少なくとも反射層１６を有し、透光性導電層１３と反射構造２０との間に、中間層１７を介在させており、中間層１７を、反射層１６よりもイオン化傾向の大きい材料で構成している。これにより、半導体発光素子の使用の経過と共に順方向電圧が上昇する事態を、透光性導電層１３と反射構造２０との間に介在された中間層１７によって抑制でき、信頼性及び耐久性を向上できる利点が得られる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板を有するＬＥＤ素子を備えたＬＥＤ装置であっても、パッケージの小型化にあたり部材の種類を減らし製造しやすくする。
【解決手段】ＬＥＤ装置１０は、サファイア基板１４と突起電極１８，１９を有するＬＥＤ素子１６を備えている。サファイア基板１４の上面に蛍光体シート１１が配置され、蛍光体シート１１とサファイア基板１４とを接着層１３で接着する。ＬＥＤ素子１６の側部は白色反射部材１７で覆われている。ＬＥＤ素子１６の突起電極１８，１９がマザー基板に対する接続電極となっている。 （もっと読む）

【課題】新たな構造を有する発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】本発明は発光素子パッケージに対するものであって、このパッケージはキャビティが形成されているセラミック胴体と、上記キャビティの内に形成された紫外線発光ダイオードと、上記セラミック胴体の上に形成され、上記キャビティを囲む支持部材と、上記支持部材と結合し、上記キャビティを覆うガラスフィルムとを備える。したがって、紫外線発光素子パッケージにおいて、セラミック胴体を適用して放熱性が向上し、セラミック胴体の上に直接ガラスフィルムを付着して他の構成要素無しで製造工程が単純化されて製造費用が低減する。 （もっと読む）

【課題】光取出し面おける電流密度分布の偏りを小さくすることを目的とする
【解決手段】本発明に係る発光素子１００は、第１主面及び第２主面を有する半導体部１０と、第１主面上に配置された第１電極２０と、第２主面上に配置された第２電極３０と、を備える発光素子であって、第１主面の形状は矩形であり、第１電極２０は矩形の対向する一対の辺のうち一方の辺１２ａ側に設けられた第１接続部２１及び第２接続部２２と、第１接続部から他方の辺に向かって延伸する第１延伸部２３と、第２接続部から他方の辺に向かって延伸する第２延伸部２４と、第１延伸部から第２延伸部に向かって延伸する２つの第３延伸部２５と、２つの第３延伸部で挟まれた領域において第２延伸部から第１延伸部に向かって延伸する第４延伸部２６と、を有し、第３延伸部２５と第４延伸部２６との間隔は、第１及び第２接続部から離れるに従って狭くなる。 （もっと読む）

【課題】耐薬品に優れた金属基板を用い、金属基板のレーザー切断時に生成するデブリの低減と金属基板に適したレーザー照射の位置決めの両方の目的を同時に果たす工程を含む発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属板と該複数の金属板の少なくとも上面及び下面を覆う金属保護膜とからなる金属基板と、化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、金属保護膜のうち化合物半導体層を備えた面とは反対側の面の少なくとも一つの膜の少なくとも一部を、エッチングによって除去して位置決めマークを形成する工程と、位置決めマークに基づいて、化合物半導体層を備えた面とは反対側の面にレーザーを照射して金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能な発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１０において、ｐ側電極体１６０は、電極層２００と、絶縁体層２１０と、反射層２２０と、を備える。絶縁体層２１０は、電極層２００上に形成され、電気的絶縁性を有するＳｉＯ_２によって構成されている。反射層２２０は、絶縁体層２１０上に形成され、発光層１３０から放出される出射光を反射するＡｌＣｕによって構成される。 （もっと読む）

【課題】リードフレームとモールド樹脂との密着性を向上させることのできる樹脂成形フレームとリードフレームとモールド樹脂の剥離が発生し難い、信頼性の高い光半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の樹脂成形フレームは、リードフレームとモールド樹脂で構成される樹脂成形フレームであって、絶縁樹脂部と、境界樹脂部と、アンカー樹脂部とを備えることを特徴とする。また、本発明の光半導体装置は、その樹脂成形フレームで製造されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の光出力を特定の方向において強く、光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】サファイア基板上に発光層を有するＩＩＩ族窒化物半導体からなる積層構造が形成されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、サファイア基板の積層構造側の表面に、発光層から出力された光に対して光強度の干渉パターンを生じる周期で２次元配列された凸部の周期構造を設けた。これにより、この２次元周期構造で反射された光、又は、透過した光は干渉パターンを有する。この干渉パターンにおける光強度の強い領域に光が集光されているので、この領域の光を外部に効果的に出力させることで、所望の指向性を得ることができると共に、取り出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】反射膜のマイグレーションを防止すること。
【解決手段】図１に示すフリップチップ型のIII 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に順に形成されたｎ型層１１、発光層１２、ｐ型層１３を有している。ｐ型層１３表面には、ｎ型層１１に達する深さの孔１４が複数設けられている。ｐ型層１３表面のほぼ全面に、ＩＴＯ電極１５が設けられ、ＩＴＯ電極１５上にＳｉＯ₂ からなる絶縁膜１６が設けられている。また、絶縁膜１６中に埋め込まれたＡｇからなる反射膜１９を有している。反射膜１９の上部には、絶縁膜１６を介して導電膜２３が形成されている。また、導電膜２３は、ｐ型層１３上に設けられたＩＴＯ電極１５に接続されている。このような構成により、反射膜１９は等電位な領域に位置することとなり、マイグレーションが防止される。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】平面視においてｎ電極１７の配線状部１７Ｂおよび、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂに重なる領域には、ｐ型層１３表面からｎ型層１１に達する深さの溝１４が設けられている。溝１４の側面、底面、ｐ型層１３上、ＩＴＯ電極１５上に連続して、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６中であって、ｎ電極１７、ｐ電極１８の下側（サファイア基板１０側）にあたる領域には、反射膜１９が形成されている。そのうち、ｎ電極１７の配線状部１７Ｂ、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂの下側にあたる領域の反射膜１９は、発光層１２よりも下側に位置している。ｎ電極１７、ｐ電極１８上は、絶縁膜２２によって覆われている。絶縁膜２２中であって、配線状部１７Ｂ、１８Ｂの上部にあたる領域には、反射膜２３が埋め込まれている。反射膜２３は、発光層１２よりも下側に位置している。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上した発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、基板２と、基板２の第１主面２Ａに、平面視して、格子状に引いた仮想直線５同士の交点位置に重なるように配置された複数の第１突起３ａ、および第１突起３ａと重ならない位置に配置された、基板２と異なる材料からなる第２突起３ｂを有する突起群３と、突起群３を埋めるように基板２の第１主面２Ａ上に設けられた光半導体層４とを有する。このように基板２上に第２突起３ｂを有していることから、発光素子１の光取り出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）