【課題】Ａｇ反射膜を用いて光の取り出し効率を良好に維持したまま、Ａｇ反射膜と透光性基板との剥がれを抑制し、信頼性の高い発光装置を提供する
【解決手段】第１の主面と第２の主面とを有する透光性基板１２の第１の主面上に半導体層１４が形成されてなる発光素子１０と、
前記第２の主面上に形成されたＡｇ又はＡｇ合金の反射層１６と、
前記反射層１６側が共晶合金２２により接合されるリードフレーム２４と、を有し、
前記リードフレーム２４は、Ｆｅを含む合金からなる第１の金属部材２６と、前記第１の金属部材と異なる金属からなる第２の金属部材２８とが接合されてなるクラッド材からなることを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に形成された第１透明導電層１５ａと、第１透明導電層１５ａ上に部分的に形成された金属反射層２ａと、金属反射層２ａ上を覆うように形成された第２透明導電層１５ｂと、金属反射層２ａと平面視で重なる位置の第２透明導電層１５ｂ上に形成された正極１７とを備え、第１透明導電層１５ａおよび第２透明導電層１５ｂが、Ｉｎ_２Ｏ_３を８０質量％以上含む半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧による破損を防止できる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、前記発光セル同士の間に位置する境界領域に区分される発光構造物と、前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させた接続電極とを備え、前記第２導電層と前記接続電極との接続により前記発光セルは互いに直列接続する。 （もっと読む）

【課題】発光部が発光した光のうちのより多くの光を、基板の法線方向に放射させることができる自発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】複数の柱状の発光部１０４を基板１０１上に互いに間隔をおいた状態で配置する。各発光部１０４が、第１導電型の半導体１０７と、第２導電型の半導体１０８とを有するようにする。発光部１０４の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率体１０６を、各発光部１０４の側壁に接触するように配置する。 （もっと読む）

【課題】凸パターンを覆うｎ型窒化物半導体層を良好に形成できながら、外部量子効率を向上させることができる発光素子およびこれを含む発光素子ユニットを提供すること
【解決手段】基板２の表面３に互いに第１ピッチｐ_１を空けて離散して配置された複数の凸部１９の集合体からなる凸パターン２０において、凸部１９は、互いに第１ピッチｐ_１よりも小さい第２ピッチｐ_２を空けて当該凸部１９の頂部に離散して形成された複数の微細凸部３５の集合体からなる微細凸パターン３６と、当該微細凸パターン３６を支持するベース部３７とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面側に備える反射メタルにより高い反射率で光を反射させて光取り出し効率を向上させることができ、しかもその反射メタルと基板との密着性に優れる、フェイスアップタイプの発光素子およびこれを含む発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】フェイスアップ姿勢で用いられる発光素子１であって、基板２と、基板２の表面３に順に積層されたｎ型ＧａＮ層６、発光層７およびｐ型ＧａＮ層８を有する窒化物半導体積層構造部９と、基板２の裏面４に形成された透明接着層１０と、ＡｇとＰｔ族金属とＣｕとを含む合金からなり、透明接着層１０に接触した状態で透明接着層１０の裏面に形成された反射メタル１１と、反射メタル１１の裏面に形成された接合メタル１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行であり、第３層１０８は、第２側面１３２と連続する第４側面１４２の少なくとも一部を含んで形成された第１酸化領域１７０と、第３側面１３３と連続する第５側面１４３の少なくとも一部を含んで形成された第２酸化領域１７２と、を有し、第１酸化領域１７０は、前記第１層、前記第２層、および前記第３層の積層方向から見て、前記第１反射部と重なり、第２酸化領域１６２は、前記積層方向から見て、前記第２反射部と重なる。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第１層１０６には、第１側面１３１に設けられた第１出射部１８１から第２側面１３２に設けられた第１反射部１９０まで延出する第１光導波路１６０と、第１反射部１９０から第３側面１３３に設けられた第２反射部１９２まで延出する第２光導波路１６２と、第２反射部１９２から第１側面１３１に設けられた第２出射部１８６まで延出する第３光導波路１６４と、が形成され、第２光導波路１６２の延出方向は、第１側面１３１と平行であり、第１反射部１９０および第２反射部１９２は、ＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散され、第１出射部１８１から出射される第１の光２０と、第２出射部１８６から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】低コストで、反射率が高く信頼性も高い反射鏡を有する窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光装置、及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上に設けられ、発光層を有する窒化物半導体積層部と、窒化物半導体積層部の上部に設けられる保護層と、を有する窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体発光素子が実装されるパッケージ基板と、パッケージ基板に実装された窒化物半導体発光素子を封止する透光性の樹脂封止部と、を備える窒化物半導体発光装置において、窒化物半導体発光素子の基板と発光層との間、窒化物半導体発光素子の発光層と保護層との間、及びパッケージ基板のうちの少なくとも１つに、エアーギャップ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】支持基板７０と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０、前記第１発光構造物の下の第１反射電極１７、前記第１反射電極のまわりに配置された第１金属層１９と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層２１、前記第３半導体層の下の第２活性層２２、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層２３を有する第２発光構造物２０、前記第２発光構造物の下の第２反射電極２７、前記第２反射電極のまわりに配置された第２金属層２９と、前記第１発光構造物の第１半導体層内部に接触して、前記第２反射電極と電気的に連結する第１コンタクト部４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】発光素子は、支持基板と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０と、前記第１発光構造物の下の第１金属層と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層、前記第３半導体層の下の第２活性層、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層を有する第２発光構造物と、前記第２発光構造物の下の第２金属層と、前記第１半導体層の側面に接触して、前記第２金属層と電気的に連結されたコンタクト部とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来構造よりも低コストで高輝度な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体基板１上に、第一導電型のクラッド層２、アンドープ活性層３、第二導電型のクラッド層４からなる発光部１０１が積層された半導体発光素子１００において、発光部１０１の一部である第一導電型のクラッド層２中に、互いに組成が異なる２層の半導体層５ａ，５ｂを一対とする多層膜からなるクラッド側光反射層５が具備されたものである。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ１０は、ｐ型の半導体基板１２と、ｐ型の半導体多層膜反射鏡１６と、ｐ型の第１の半導体層１８と、ｎ型の第２の半導体層２０と、ｐ型の第３の半導体層２２と、ｎ型の第４の半導体層２４と、半導体基板１２の裏面に形成された裏面電極３０と、第４の半導体層２４上に形成された上部電極３２とを有し、半導体多層膜反射鏡１６は、選択的に酸化された酸化ＤＢＲ１６Ａと、これに隣接する導電ＤＢＲ１６Ｂとを含み、酸化ＤＢＲ１６Ａは、半導体基板による光の吸収を抑制し、導電ＤＢＲ１６Ｂは、半導体基板１２と第１の半導体層１８とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】反射率の低下を防ぎ、高輝度発光が可能となる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板１上に順に、反射層６と、複数のオーミックコンタクト電極７が離間して埋設された透明膜８と、電流拡散層２５及び発光層２４を順に含む化合物半導体層１０とを具備する発光ダイオードであって、オーミックコンタクト電極７の基板１側の面の周縁部は透明膜８に覆われ、オーミックコンタクト電極７は反射層６及び電流拡散層２５に接触している、ことを特徴とする （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第１の電極片と、第１の電極片に電気的に接続された第２の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第３の電極片と、第３の電極片に電気的に接続され且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含む。第１の電極片と第３の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第２の電極片と第４の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層と、通電により発光波長λの光を出射する発光層と、ｐ型半導体層１６０と、発光層から出射される光に対する透過性および導電性を備えるとともに第１屈折率ｎ１を有する透明導電層１７０と、発光層から出射される光に対する透過性および絶縁性を備えるとともに第１屈折率ｎ１よりも低い第２屈折率ｎ２を有する透明絶縁層１８０と、発光層から出射される光に対する反射性を備えるｐ金属反射層２０２とが積層された半導体発光素子１において、透明導電層１７０の第１膜厚ｔ１は、（λ／４ｎ１）×（Ａ−０．５）≦ｔ１≦（λ／４ｎ１）×（Ａ＋０．５）の関係を有し、透明絶縁層１８０の第２膜厚ｔ２は、（λ／４ｎ２）×（Ｂ−０．５）≦ｔ２≦（λ／４ｎ２）×（Ｂ＋０．５）の関係を有する。ただし、Ａは正の偶数、Ｂは正の奇数である。 （もっと読む）

【課題】成長用基板上に形成された複数の半導体発光素子を分割して発光チップを製造する場合に、発光チップの生産性を向上させる。
【解決手段】成長用基板および複数の半導体発光素子を有する素子群形成基板と基部とを接合部で接合する接合工程（Ｓ１３）と、これらの積層体から成長用基板を分離する成長用基板分離工程（Ｓ１４）と、複数の半導体発光素子、接合部および基部の接合体と基材とをワックス層で接着する支持用基板接着工程（Ｓ１５）と、これらの接着体に対し基部および接合部を貫通する外部電極を形成する外部電極形成工程（Ｓ１７〜Ｓ２２）と、外部電極が形成された接着体からワックス層および基材を分離する支持用基板分離工程と、外部電極が形成され且つ基材が分離された接合体に対し基部および接合部を分割する分割工程とを含む。 （もっと読む）