【課題】基板における材料除去を適切に制御することである。
【解決手段】伝導性の基板（１２０）を用いており、かつ伝導性の工具（１００）を用いており、工具は表面構造（１３０）を有しており、前記基板の加工を前記工具を用いて電気化学的なエッチング工程を介して行い、前記エッチング工程を介して前記工具の表面構造に基づき基板の表面から材料を除去する、基板を電気化学的に加工する方法において、電気化学的なエッチング工程中に、前記基板及び前記工具を互いに運動させるようにし、また、上記方法に基づいて基板を電気化学的に加工する装置において、電気化学的なエッチング工程中に前記基板と前記工具とを互いに運動させる運動手段が設けられているようにした。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外周部、特に円周方向の異方性の影響を排除しつつ、ＰＣＲにおける生産性及び生産コストの悪化を抑制し、かつ高平坦度化を達成する。
【解決手段】先ず複数枚のウェーハを各ウェーハの周面を揃えて直接又は間接的に重ね合わせ、積層体の最外層のウェーハにおける外周部を除く両主面に保護層を形成する。次いで積層体に酸エッチング液を接触させ、積層体の各ウェーハの外周部のみを酸エッチングする。次に積層体の少なくとも外周部に保護膜を形成する。次に保護膜を形成した積層体から、最外層の両主面に存在する保護層を分離するとともに、外周部に保護膜が存在した状態で各ウェーハを分離する。次に分離した外周部に保護膜が存在した状態の各ウェーハにアルカリエッチング液を接触させ、各ウェーハの表裏面のみをアルカリエッチングする。更に、アルカリエッチング後の各ウェーハの外周部に存在する保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型固体撮像素子の製造方法に関し、異なるエッチャントを利用したエッチングを連続して行なう場合であっても良好にエッチングし、デバイス層の優れた膜厚均一性を確保することができるようにする。
【解決手段】２層エピ（Ｐ_-／Ｐ₊／Ｐ_-またはｎ基板）構造の第一シリコンウェーハのＰ_-層側に支持側の第二シリコンウェーハを貼り合わせる工程（Ｓ２０）の後に、Ｐ_-またはｎ基板及びＰ₊層をエッチングにより薄膜化する薄膜化工程として、Ｐ₊層をエッチストップ層としてＰ_-またはｎ基板を第一エッチャントでエッチングする第一エッチング工程（Ｓ３０）と、第一エッチング工程後にＰ₊層の表面にダメージを付加するダメージ層導入工程（Ｓ４０）と、ダメージ層導入工程後にＰ_-層をエッチストップ層としてＰ₊層を第二エッチャントでエッチングする第二エッチング工程（Ｓ５０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの平坦度を、エッチングレートと回転数に基づいて制御することにより、安定した平坦度を有する半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。
【解決手段】２枚以上の半導体ウェーハを互いにウェーハ面を対向させて保持部材で保持し、エッチング槽内でウェーハ面の法線方向を軸として自転させる半導体ウェーハのエッチング方法において、あらかじめ、半導体ウェーハのエッチングレートと半導体ウェーハの回転数とを変数とする半導体ウェーハの平坦度の較正曲線を取得し、半導体ウェーハのエッチングに先立ち、エッチングレートを決定し、較正曲線と決定されたエッチングレートに基づき、回転数を決定し、エッチング槽内で、半導体ウェーハを決定された回転数で自転させてエッチングすることを特徴とする半導体ウェーハのエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンブロックからウェーハを切り出す際や、切り出したウェーハに発電層を積層する際に、ウェーハが破損するのを防止するためのシリコンブロックの処理方法を提供する。
【解決手段】多結晶または単結晶のシリコンブロック１をスライスしてシリコンウェーハを形成する前に行うシリコンブロックの処理方法において、シリコンブロックは、矩形の端面を有する四角柱形状に形成されていて、シリコンブロックを端面に平行な方向にスライスしてシリコンウェーハとする前に、シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する加工歪み除去工程を実施する。前記加工歪み除去工程としては、例えば、粒径が５μｍ以下のダイヤモンド砥粒を含む研削砥石６を用いて前記シリコンブロック１の柱面３を研削して加工歪を除去する方法が用いられる。このほかに、エッチングによって前記シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する方法を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】湿式エッチングで太陽電池用シリコン基板の表面にピラミッド状の凹凸を形成するに際し、エッチング水溶液の組成変化を防止し安価かつ効果的に低反射率化することが可能なエッチング液を提供する。
【解決手段】シリコン基板を浸漬して、該基板表面にピラミッド状の凹凸を均一に形成させるエッチング液であって、該エッチング液が、一分子中に一個以上の水酸基を有し、溶解度パラメータが８．０〜１３．０[ｃａｌ／ｃｍ³]^0.5の範囲内で、かつ大気圧下での沸点が９５℃以上の化合物（Ａ）と、水酸化アルカリ（Ｂ）とを含む水溶液からなるエッチング液。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング時には良好に保護が可能であり、且つ被保護面からの除去が容易な保護剤を提供する。
【解決手段】ウェットエッチングする際に基板１Ａの表面の保護に適用できる保護材２Ａであって、 保護部材２と、保護部材２の一面に設けられ、保護部材２を基板１Ａの表面に貼付する接着層３と、を有し、接着層３は、例えばデカリンのような有機溶剤に溶解可能な無架橋のポリオレフィンを形成材料としたことを特徴とする保護材２Ａ。 （もっと読む）

【課題】特別の管理を必要とすることなく、アルカリ濃度が高くてもエッチング後のシリコンウェハー上に鉄分、ニッケル分、銅分、特にニッケル分が残留し難いシリコンウェハーエッチング剤を提供する。
【解決手段】本発明は、アルカリ水溶液を含むシリコンウェハーエッチング剤であって、前記アルカリ水溶液は、ジアミノプロパン四酢酸を含有し、かつアルカリ濃度が３０〜５５質量％であるシリコンウェハーエッチング剤を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ストップ層としての酸素イオン注入層を、短時間で除去し、優れた活性層の膜厚均一性を確保できる貼り合わせウェーハの製造方法、及び、その製造方法によって製造された活性層の膜厚均一性が高い貼り合わせウェーハを提供することにある。
【解決手段】酸素イオン注入層を形成する工程（図１(ａ)）と、ウェーハ複合体を形成する工程（図１(ｂ)）と、前記酸素イオン注入層を露出させる工程（図１(ｃ)）と、活性層を得る工程（図１(ｄ)）とを具え、前記酸素イオン注入層の除去工程（図１(ｃ)）は、前記露出した酸素イオン注入層を第１HF処理した後、所定の酸化熱処理、及び、第２HF処理を順次行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】曲線を含む輪郭からなるシリコン単結晶微細構造を基板空洞上に形成するに際して，ドライエッチングを使わず１回のフォトリソグラフィだけで形成可能なシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン窒化膜３０１を介し２枚のシリコン基板２０、３０を貼り合わせた後一方の基板を微小構造体の厚さにあわせて薄膜化する．特定の結晶異方性エッチング液で薄膜部をエッチングすることにより曲線輪郭の構造体を加工する。その後，ＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に微細構造体表面に形成しこれを保護膜として，通常の結晶異方性エッチング液で構造体下部のエッチングを行ことにより，１枚のフォトマスクのみで膜厚を制御した構造体の加工ができる。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング時には良好に保護が可能であり、且つ被保護面からの除去が容易な保護フィルムを提供する。
【解決手段】ウェットエッチング工程において被処理体である基板１の表面の保護に適用できる保護フィルム２であって、例えばデカリンのような有機溶剤に溶解可能な無架橋のポリオレフィンを形成材料として得られ、酸性またはアルカリ性のエッチャントから良好に基板１の表面を保護することを特徴とする保護フィルム２。 （もっと読む）

【課題】特別の管理を必要とすることなく、アルカリ濃度が高くてもエッチング後のシリコンウェハー上に鉄分、ニッケル分、銅分、特にニッケル分が残留し難いシリコンウェハーエッチング剤を提供する。
【解決手段】本発明は、アルカリ水溶液を含むシリコンウェハーエッチング剤であって、前記アルカリ水溶液は、ヒドロキシエチレンジアミン三酢酸を含有し、かつアルカリ濃度が３０〜５５質量％であるシリコンウェハーエッチング剤を提供する。 （もっと読む）

【課題】金属等による汚染の心配がなく、簡便な工程にてＰ型シリコンウェーハ表面に多孔質層が形成でき、ウェーハ全面に形成される孔深さがより均一化されたＰ型シリコンウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】電解液で満たされた電解槽内に対向して配置された一対の陽極−陰極を有するバイポーラ型の電解槽を用い、該陽極と該陰極との間にシリコンウェーハを固定設置し、かつ、陽極側より光を照射しながら該陽極−陰極間に電流を流し電解酸化すると固定したシリコンウェーハ表面に多孔質シリコン層が極めて均一な孔深さを有してウェーハ全面に形成され、良好な多孔性シリコンウェーハが得られる。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性に優れており、薬液処理に対するマスキング効果を発揮することができ、しかも剥離後の被着体への粘着剤の残渣のないマスキング用剥離性粘着テープを提供すること。
【解決手段】本発明のマスキング用剥離性粘着テープは、基材フィルムの片面に粘着層を設けてなるマスキング用剥離性粘着テープであって、前記粘着層を構成する粘着剤が、（Ａ）常温で固体のゴム材料と、（Ｂ）末端に架橋基点を持つ液状物質と、（Ｃ）前記液状物質を架橋するための硬化剤と、を含有し、前記ゴム材料のバルク体中に、架橋後の液状物質が０．２μｍ〜２０μｍの径で分散していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑えることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング液を被処理体上に配置する液配置工程と、前記被処理体と前記エッチング液との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。エッチング液に光を照射し当該エッチング液を化学的に活性化させることで被処理体がエッチングされる。化学反応のみによって被処理体をエッチングすることができるので、プラズマを照射する場合に比べて被処理体に及ぼす熱の影響を抑えることができる。 （もっと読む）

シリコン−オン−インシュレータ構造体の劈開された表面を処理する方法を開示している。当該シリコン−オン−インシュレータ構造体は、ハンドルウェハ、シリコン層、上記ハンドルウェハと上記シリコン層との間の誘電体層を含む。上記シリコン層は、上記構造体の外表面を規定する劈開された表面を有する。開示された当該方法は、上記シリコン−オン−インシュレータ構造体から劈開面に沿ってドナーウェハの一部が分離される際に与えられる表面ダメージ及び欠陥を除去するため、上記シリコン−オン−インシュレータ構造体を処理するのに要する時間とコストを削減するエッチングプロセスを含む。当該方法は、上記構造体をアニールする工程、上記劈開された表面をエッチングする工程、上記劈開された表面上において非接触スムージングプロセスを実行する工程と、を含む。
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【課題】 シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコン単結晶基板とシリコン単結晶薄膜間の深さ方向の抵抗率変化が急峻で、抵抗率の遷移幅が小さいシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記シリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程は、前記シリコン単結晶基板の少なくとも表面上の酸化膜を除去した後、不活性ガス雰囲気下で熱処理し、その後気相成長原料ガスを導入することで行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン層又はシリコン基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を、少ない工程で低コストに形成することが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハ１１の一面１１ａに対して、ウエットエッチング法によって異方性エッチングを行う。シリコンウエーハ１１の一面１１ａに対して、異方性エッチングを行うと、シリコンウエーハ１１の一面１１ａに微細な凹凸１２が形成される。この微細な凹凸１２は、例えば（１１１）面からなる傾斜面１２ａ，１２ｂで構成された溝１４が、周期的に多数形成されたものであればよい。 （もっと読む）

【課題】熱拡散によって生じた半導体基板のシート抵抗の面内ばらつきを低減する。
【解決手段】半導体基板１を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が下辺８のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。熱拡散後、基板表面処理装置を使用して、ｐｎ接合分離をエッチングによって行うとき、半導体基板１の上辺７が搬送方向上流側に向くように、半導体基板１を搬送ローラ６に設置する。半導体基板１は搬送されながらエッチングされ、不要なｎ層が除去される。搬送するときに後端となる半導体基板１の上辺７は先端よりもエッチング量が多くなるので、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が増加し、面内ばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングにより形成するパターンが微細化した場合であっても「反応生成ガスによる気泡」が半導体ウェハの表面に滞留することを十分に抑制することが可能で、ひいてはウェットエッチングを均一に行うことが可能なウェットエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング槽１１０中のエッチング液Ｓに半導体ウェハＷを浸漬した状態で、エッチング槽１１０の底部に配置したバブラー１２０から不活性ガスからなる第１の気泡によるバブリングを行ないながら、半導体ウェハＷのウェットエッチングを行うウェットエッチング方法であって、バブラー１２０の気孔近傍における第１の気泡の平均径は、５μｍ〜２００μｍの範囲内にあることを特徴とするウェットエッチング方法。 （もっと読む）