【課題】陽極酸化処理に用いる薬液により、半導体基板と保護膜との剥離を抑制する多孔質構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】拡散層１２が形成された半導体基板１０に酸化膜１４を形成する工程と、酸化膜１４の所定の位置に複数の接続孔を設け、該接続孔に配線２２を形成した後、配線２２で挟まれた領域に拡散層１２の表面が露出するような開口部２４を設ける工程と、開口部２４の外周縁部に溝２６を形成し、溝２６を埋め込むように半導体基板１０の拡散層１２が形成された面の全面に保護層２８を堆積する工程と、開口部２４の外周縁部に保護層２８が残存するように開口部２４の保護層２８を除去し、拡散層１２を露出する工程と、開口部２４に残存した保護層２８を保護膜３２として、露出した拡散層１２を陽極酸化処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】非拡散層及び拡散層を有する拡散ウェーハに対してスピンエッチングを施し、非拡散層の一部を除去して非拡散層の厚みを略均一とできる拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】非拡散層２１及び拡散層２２を有する拡散ウェーハ２０における非拡散層２１の一部２３を、枚葉式でスピンエッチングにより除去するスピンエッチング工程を備え、スピンエッチング工程は、拡散ウェーハ２０の面内方向Ｄ２に移動可能であり且つエッチング液を拡散ウェーハ２０における非拡散層２１に供給する液供給口を備えるスピンエッチング装置を用い、液供給口を拡散ウェーハ２０における面内方向周辺部２０ｃ及び面内方向中心部２０ｄにそれぞれ位置させて液供給口からエッチング液を非拡散層２１に供給することにより、非拡散層２１における厚み方向の形状に基づいてスピンエッチングの際の非拡散層２１のエッチング除去量のウェーハ面内分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの結晶評価を行なうのに適した技術に関し、半導体ウェーハの製造を簡素化して、製造時間の短縮や製造コストの削減を促進することができるようにし、さらには、評価にかかる時間及びコストを低減することができるようにする。
【解決手段】単結晶インゴットの結晶欠陥を評価するための評価用ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、単結晶インゴットからウェーハをスライスするスライス工程（Ｓ１０）と、スライス工程（Ｓ１０）でスライスされたウェーハを回転させ、回転状態のウェーハの表面にエッチング液を噴射してウェーハの表面をエッチングする枚葉エッチング工程（Ｓ２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの製造方法及び装置並びに半導体ウェーハに関し、半導体ウェーハの製造工程の増加を抑えながらエッジ部のロールオフを縮小できるようにする。
【解決手段】ウェーハの表面及び裏面に対してそれぞれエッチング液を噴射してエッチングを行なう枚葉エッチング工程と、次いで、ウェーハの表面に研磨パッドを当ててウェーハの裏面から圧力を加えながら研磨パッドにより表面を鏡面に研磨仕上げする鏡面研磨工程とを備え、鏡面研磨工程前に、ウェーハの裏面のエッジ部をロールオフ加工する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理における水素の気泡によるエッチングのばらつきを低減させることができる、ウェットエッチング用の治具及びウェットエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェットエッチング用の治具３は、アルカリエッチング液２に浸漬させることでエッチングがなされる基板１１を保持するものである。本発明の治具３は、治具３に保持された基板１１の表面に対して相対的に移動することで基板１１の表面上の気泡１６を除去するワイパー１３を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの製造方法及び装置並びに半導体ウェーハに関し、枚葉エッチングを利用し、これに使用するエッチング液の反復利用を促進しながら、ウェーハのエッジ部のロールオフの発生を抑制することができるようにする。
【解決手段】ウェーハを回転させながら該ウェーハの表面にエッチング液を噴射してエッチングを行なう枚葉エッチング工程を備え、枚葉エッチング工程には、エッチング開始から所定期間だけウェーハの外周部のエッチング開始後初期における反応を抑制する条件下でウェーハの表面にエッチングを行なう第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後、ウェーハの半径方向に対して予め設定した厚み分布となるようにウェーハの表面にエッチングを行なう第２エッチング工程と、を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】容易にエッチングの終点を検出することができ、形成される振動子の振動特性を一定に保つことが容易且つ確実にできる振動子の製造方法、及びウェットエッチング装置を提供する。
【解決手段】ウェットエッチングによりエッチング液102中で基板111に振動子112を形成して、目標の振動特性を持つ振動子112を達成できたところで、ウェットエッチングを停止する。ウェットエッチングの停止点を検出するために、励振手段104で励振された振動子112の目標の振動数に対する振動状態を、検出手段105によって、エッチング液102中で少なくとも1回検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのエッチングを精密に行う。
【解決手段】半導体ウェーハ表面にフッ化水素及びオゾンを含む混合ガスを噴射し、その半導体ウェーハ表面をモニタし、モニタ結果に基づいて、フッ化水素及び／又はオゾンの濃度を調整する。また、半導体ウェーハ表面をモニタ可能なモニタ装置と、フッ化水素及びオゾンを含む混合ガスを噴射可能なノズルと、このフッ化水素及び／又はオゾンの濃度を調整可能な調整器とを含む半導体ウェーハのエッチング装置を提供する。 （もっと読む）

薄化中央部分（２）をもつ半導体ウェーハ（１２）は、第１の側（３）および第２の側（４）、ならびに半導体ウェーハ（１２）の半径方向屈曲耐性を増大させるための少なくとも１つの補強構造体を有する。補強構造体は、前記１つの補強構造体の内面（９）から補強構造体の外面（８）に向かう流体流れのための少なくとも１つの通路（１０）を備える。通路（１０）は、半導体ウェーハ（１２）の上方から来るｚ方向で、半導体ウェーハ（１２）の表面、例えば第１の側（３）に本質的に垂直である方向で製造される。
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ナノワイヤアレイを形成するために、シリコン含有基板をエッチングするためのプロセスが提供される。このプロセスにおいて、ある者は、金属が、エッチングが所望される場所に存在してシリコンに触れ、それ以外の場所において、シリコンに触れることがブロックされ、または存在しないような態様で、基板上にナノ粒子および金属膜を堆積させる。ある者は、金属化された基板を、ＨＦと酸化因子とを含むエッチング水溶液の中へ沈める。このような態様で、制御された直径および長さを有するナノワイヤのアレイが生産される。
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【課題】良品率を向上し、かつ半導体製造装置への処理液・洗浄液による汚染を防ぐこと。
【解決手段】リブウェハ１００を、おもて面を下にしてウェハ保持機構２０に保持させ、リブウェハ１００の中央部３の中心付近を回転の中心Ｏとして回転させる。そして、この状態で、リブウェハ１００の裏面側のリブ部４の表面の内周端部にエッチング液５０を滴下する位置に設置されたノズル１０から、エッチング液５０を滴下する。このようにして、リブウェハ１００におけるリブ部４の表面の内周端部を選択的にエッチングして、リブ部４の内周側の側壁に傾斜面または曲面を形成する。そして、リブウェハ１００に洗浄液を滴下した後に、バッチ式乾燥装置または枚葉式乾燥装置によって、リブウェハ１００を回転させて、乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】膜厚を考慮して部分液交換を行うことにより、処理レートを一定の範囲に保持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部２５は、カウンタ３７で計数された基板Ｗの枚数のうち、厚膜のものに相当する基板Ｗの枚数が通常ライフカウントに達したことに基づき、部分液交換を実施しながら基板Ｗを処理させる。つまり、燐酸溶液の劣化度合いが大きな厚膜のものに相当する基板Ｗの処理枚数を基準にして部分液交換を実施するので、燐酸溶液のエッチングレートを一定の範囲に保持することができる。 （もっと読む）

本発明は、応力の加わったシリコン表面のみならず、歪んだシリコン−オン−インシュレーターを含む、多様なシリコン含有表面の処理に適したクロム不含エッチング組成物を提供する。
本発明による新規、かつ独創性あるエッチング組成物は、フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びアルカリヨウ化合物、好ましくはヨウ化カリウムを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハの剛性を維持し、生産コストを抑えつつ、ウェハの割れや欠け、反りを低減すること。
【解決手段】おもて面にデバイスの表面構造を形成したウェハ１の裏面を平坦に研削する。ついで、ウェハ１の裏面にレジスト膜を塗布して、マスクパターンを転写して、格子状のレジストパターンを形成する。ついで、ウェハ１の裏面にエッチングを施すことで、ウェハ１の裏面に格子状のリブ１３を形成し、ウェハ１の中央部と外周端部との段差を解消する。このとき、格子状のリブ１３は、ウェハ１のおもて面のスクラブラインに対応する裏面に形成される。ついで、ウェハ１の裏面を粘着テープによってステージに貼り付け、ダイシングブレードによりスクラブラインに沿って切断する。ついで、切断されたチップ１４を、粘着テープから剥離する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に緻密なダイヤモンド薄膜を形成させるためのシリコン基板及びその製造方法であって、１０００℃以上の高温でも孔形態が変化せず、核発生密度も維持でき、熱膨張係数差に伴う応力の緩和機構も備えたダイヤモンド薄膜形成用シリコン基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に処理液を供給し基板を鉛直軸回りに回転させて基板を処理する際に、基板を加熱することなく基板上の処理液を加熱して、処理液の温度を基板面内で均一に保ち、基板面内における処理品質の均一性を向上させることができる方法を提供する。
【解決手段】基板保持部１２に水平姿勢に保持されて鉛直軸回りに回転するシリコン基板Ｗの上面へ給液ノズル１６から水溶液の処理液を供給して基板を処理する際に、ハロゲンランプ１８からシリコン基板Ｗの下面側へ波長が１．２μｍ〜５．０μｍの範囲である赤外線を照射する。シリコン基板Ｗを透過した赤外線は、基板上面の処理液に吸収されて、処理液の温度が上昇する。 （もっと読む）

【課題】マイクロチップ等の微細加工のコスト削減を進展させることを可能とする。
【解決手段】基材３の表面に微細流路５を加工する微細形状加工方法において、基材３の表面に金属の薄膜７を形成する（ａ）薄膜形成工程と、薄膜７に放電加工により微細形状パターン９を貫通形成する（ｂ）放電加工工程と、薄膜７に微細形状パターン９を備えた基板３をエッチングして薄膜７の微細形状パターン９に対応する微細流路５を基板３の表面に形成する（ｃ）エッチング工程と、エッチング後に金属の薄膜７を除去して表面に微細流路５を有するマイクロチップ１を得る（ｄ）除去工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本開示は、概して、シリコンウェハの製造に関し、より詳細には、シリコンウェハからエッジをエッチングするためのエッジエッチング装置及び方法に関する。
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結晶シリコン基板に表面凹凸を形成する方法が提供される。１つの実施形態では、前記方法は、結晶シリコン基板を供給する工程と、前記基板を、濡れ剤を含むアルカリ性溶液で濡らす工程と、そして約１μｍ〜約１０μｍの深さを有する構造を持つ凹凸形成表面を前記基板に形成する工程と、を含む。別の実施形態では、基板凹凸形成プロセスを実行する方法は、結晶シリコン基板を供給する工程と、前記基板をＨＦ水溶液でプレクリーニングする工程と、前記基板を、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）化合物を含むＫＯＨ水溶液で濡らす工程と、そして約３μｍ〜約８μｍの深さを有する構造を持つ凹凸形成表面を前記基板に形成する工程と、を含む。
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【課題】 エッチングの効率が良く、かつ、半導体ウエハが面方向に破損するおそれのない半導体ウエハのエッチング装置を実現する。
【解決手段】 半導体ウエハ１，１は、非エッチング面１ｂ同士を向き合わせて配置されており、両半導体ウエハ１の周縁は保持装置１０によって液密状態に保持されている。各Ｏリング１１ａ，１２ａ，１３ａは、真空ポンプ２０によって相互に密着されている。このため、両半導体ウエハ１をエッチング液に浸漬した場合にエッチング液が非エッチング面１ｂに接触しない。また、保持装置１０は両半導体ウエハ１の周縁を保持するため、半導体ウエハ１の面方向に応力が作用しないので、半導体ウエハ１が破損しない。さらに、１組の半導体ウエハ１を保持した保持装置１０の複数をエッチング液に浸漬することにより、同時に多くの半導体ウエハ１をエッチングすることができる。 （もっと読む）