【課題】簡便かつ安価な方法により、エッチング液（アルカリおよび酸）に対する良好な耐性、加工時の耐熱性、エッチング処理を施すウェハへの良好な密着性およびエッチング処理後の易除去性のすべてを兼ね備えるエッチング保護材およびその保護材を用いたデバイス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリオレフィンフィルムの少なくとも片面の表面部にポリオレフィン樹脂を含む層を形成したフィルムからなるエッチング保護材であって、前記のポリオレフィン樹脂が、炭素数２〜４のアルケンからなるオレフィン成分（Ａ）を主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル成分（Ｂ）を２〜４０質量％含むポリオレフィン樹脂であることを特徴とするエッチング保護材。 （もっと読む）

【課題】シリコン基体の破損、損傷を生ずることなく安定に生産でき、かつアスペクト比が高い細孔が得られ、面積の大きいものであっても容易に生産できる高規則性ポーラスシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】ポーラスアルミナ膜２をシリコン基体１の表面に固定してドライエッチングを行い、前記シリコン基体１の表面に前記ポーラスアルミナ膜２の細孔と同じ配列の窪み３を形成し、次いで前記シリコン基体１を陽極としてフッ化水素酸を含む水溶液中で電解エッチングを行い、前記窪み３を選択的に溶解して細孔を形成し、ポーラスシリコン４を製造する。 （もっと読む）

薄膜太陽電池構造、その製造方法及び薄膜太陽電池アレイを提供する。当該薄膜太陽電池構造の製造方法は、第1の表面から半導体基材101をエッチングして少なくとも2つの第1の溝123を形成し、第2の表面から半導体基材101をエッチングして、隣り合う2つの第1の溝123の間に位置する第2の溝124を少なくとも1つ形成するステップと、少なくとも第1の溝123の側壁に第1の構造160を形成するステップと、少なくとも第2の溝124の側壁に第2の構造170を形成するステップと、半導体基材101を、第1の溝123及び第2の溝124で切断し、又は引き伸ばして、薄膜太陽電池構造を形成するステップとを含む。本発明によれば、電極の間の距離を有効に短縮し、電子と正孔との再結合の確率を低減させ、ボディ再結合電流と表面再結合電流とを減少させることができ、発電効率を向上させるという目的に達することができる。本発明の薄膜太陽電池構造及び製造方法は、更に半導体材料の用量を節約し、製造コストを低減させることができる。
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【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面をより少ない回数の走査で所望のプロファイルに効率良く加工するエッチングノズル及びエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチングノズル４１は、被加工物に対して相対的に移動させながら、エッチング液を内側管４２の内側開口４４から被加工物表面に供給し、かつ外側管４３の外側開口４５から吸引回収することによりエッチング加工を行う。外側開口４５の外周縁形状は、エッチングノズルの移動方向に沿った第１方向の寸法と該移動方向に直交する第２方向の寸法とを有し、第１方向の寸法を第２方向に沿って、被加工物の加工前における断面プロファイルと目的の断面プロファイルとの差である加工プロファイルに対応するように変化させる。 （もっと読む）

【課題】精度の高い非拡散層の厚みに加えて、抵抗率のバラツキの範囲も狭い拡散ウェーハ群の製造方法を提供する。
【解決手段】従来は、１つのインゴット内での抵抗率のバラツキの範囲を把握することが出来ず、インゴット毎に抵抗率バラツキを規定し、非拡散層の厚みのみが規定可能であった。しかし、同一インゴット内であったとしても、抵抗率に対応した非拡散層の厚みを自在に製造可能な方法を提供する。また、異なるインゴットから得られる拡散ウェーハを組合せて、より好ましい抵抗率及び非拡散層の厚みを備える拡散ウェーハ群を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】研削工程（図（ｂ）参照）では、研削装置８０の研削砥石によってウエハＷの裏面が研削される。ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石が磨耗し、研削砥石から破砕された結合剤が、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。その後、ＵＶ照射工程が実行される。ＵＶ照射工程（図（ｃ）参照）では、紫外線ランプ３２からの紫外線がウエハＷの裏面に照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上への窒化物半導体薄膜の形成時における、熱膨張係数差から生じる熱応力および多孔質シリコンの構造変化に起因したピットの問題を解消し、更に該被膜に生じる反りと応力を低減できる、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供。
【解決手段】シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の半導体基板に機械的なダメージを与えることを回避しつつ、その半導体基板の裏面処理をすることができる裏面処理方法を提供する。
【解決手段】裏面処理方法は、半導体基板の表面に複数の電極を有する集積回路が設けられた半導体装置を準備し、複数の電極と陽極とを電気的に接続して、半導体基板の裏面に電解液を接触させた状態で陽極酸化を実施することにより裏面を電解研磨するものである。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、イオン注入剥離法により剥離した場合に生ずるテラス幅を制御でき、また、歩留りの低下の原因となるテラス部のＳＯＩ島の発生を防止することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ボンドウェーハの表面からガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、該ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせ、イオン注入層でボンドウェーハを剥離することによりＳＯＩウェーハを作製するＳＯＩウェーハの製造方法において、イオン注入層でボンドウェーハを剥離する前の貼り合わせウェーハを、絶縁膜が溶解可能な液体に浸漬するか、絶縁膜が溶解可能な気体に曝すことによって、ボンドウェーハとベースウェーハの間に位置する絶縁膜を、貼り合わせウェーハの外周端から中心方向へエッチングする工程を有することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温の薬液による処理により基板の裏面をエッチングする際に、エッチングの均一性を高くすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板であるウエハＷに形成された膜を高温薬液によるエッチングにより除去する薬液処理装置１は、ウエハＷを裏面を下側にして水平にした状態で回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３を鉛直に延びる中空の回転軸１２を介して回転させる回転機構４と、回転軸１２の中に設けられ下方から上方に向けて高温薬液を吐出してウエハＷ裏面に高温薬液を供給する薬液吐出ノズル５と、薬液吐出ノズル５に薬液を供給する薬液供給機構６とを具備し、薬液吐出ノズル５は、薬液を吐出し、ウエハＷ裏面の中心以外の、互いにウエハＷ裏面の中心からの距離が異なる位置に高温薬液を当てる複数の吐出口１８ａ，１８ｂ，１８ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の流体を正確かつ迅速に目標の特性になるように混合する。
【解決手段】混合前の複数の流体を流すための流路５，７，１１，１３と、混合後の流体を流すための流路１５，１７と、流体を流路で移動させるためのポンプ１９と、混合前の複数の流体の流量をそれぞれ調整するための流量調整部１１ｂ，１３ｂと、混合後の流体の特性を光学的に測定するための測定部１５ａと、測定部１５ａの測定結果に基づいて混合後の流体が目標の特性になるように流量調整部１１ｂ，１３ｂを制御して混合前の流体の流量を調整する制御部２１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングにより微細で高アスペクト比の構造を被加工材料に高精度に加工する。
【解決手段】水晶基板２０の表面に耐蝕膜２１を形成し、その上にフォトレジスト層２２を形成しかつ加工しようとする溝の開口形状をパターニングし、露出した耐蝕膜を除去して水晶基板表面が露出するパターン開口２４を形成する工程と、パターン開口内に露出した水晶表面をウエットエッチングして浅い凹部２５を形成する第１ウエットエッチング工程と、凹部及びパターン開口の内面をＣｒの保護膜２６で被覆し、かつ凹部底面の保護膜を除去して該底面の水晶面を露出させ、露出した凹部底面をウエットエッチングする第２ウエットエッチング工程とからなり、凹部が所望の溝の深さになるまで第２エッチング工程を繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、かつエッチング液の使用量を削減することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング液Ｑを被処理体（基板Ｓ）上に配置する液配置工程と、被処理体とエッチング液Ｑとの界面Ｆの照射領域Ｒに光Ｌを照射する光照射工程と、を含み、液配置工程では、被処理体上のエッチング箇所にエッチング液Ｑを選択的に配置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１０〜６０μm／分の範囲のエッチングレートで、エッチング量に対し±５％レベルのユニフォーミティ、荒らさない程度の表面状態となる混酸によるウェットエッチングを実現することでＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法は、Ｓｉウェーハをスピンさせ、スピン中の前記Ｓｉウェーハにノズルから薬液を吐出させることで、砥石による加工処理によって生じるＳｉウェーハのマイクロクラックや欠陥などの加工ダメージを除去し、薬液が、４．４５ｗｔ％から２４．５ｗｔ％の弗化水素と、３１．５ｗｔ％から５４．０９ｗｔ％の硝酸と、５ｗｔ％から１３．６４ｗｔ％の酢酸とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、複数のエッチング箇所の各々に照射する光の面積を制御することができ、一つの光源で複数のエッチング箇所を一括して加工することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光Ｌの照射を受けて化学的に活性化するエッチング液Ｑを被処理体（基板Ｓ）上に配置する液配置工程と、被処理体とエッチング液Ｑとの界面Ｆに光Ｌを照射する光照射工程と、を含み、光照射工程では、光Ｌを部分的に遮蔽して界面Ｆの複数の照射領域Ｒに光Ｌを照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、エッチング速度の低下を防止することができ、かつ高精度にエッチングを行うことができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光Ｌの照射を受けて化学的に活性化するエッチング媒体（エッチング液Ｑ）を被処理体（基板Ｓ）上に配置する媒体配置工程と、被処理体とエッチング媒体との界面Ｆの一部の照射領域Ｒに光を照射する光照射工程と、を含み、光照射工程では、照射領域Ｒの近傍においてエッチング媒体を吸引することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外周部、特に円周方向の異方性の影響を排除しつつ、ＰＣＲにおける生産性及び生産コストの悪化を抑制し、かつ高平坦度化を達成する。
【解決手段】先ず複数枚のウェーハを各ウェーハの周面を揃えて直接又は間接的に重ね合わせ、積層体の最外層のウェーハにおける外周部を除く両主面に保護層を形成する。次いで積層体に酸エッチング液を接触させ、積層体の各ウェーハの外周部のみを酸エッチングする。次に積層体の少なくとも外周部に保護膜を形成する。次に保護膜を形成した積層体から、最外層の両主面に存在する保護層を分離するとともに、外周部に保護膜が存在した状態で各ウェーハを分離する。次に分離した外周部に保護膜が存在した状態の各ウェーハにアルカリエッチング液を接触させ、各ウェーハの表裏面のみをアルカリエッチングする。更に、アルカリエッチング後の各ウェーハの外周部に存在する保護膜を除去する。 （もっと読む）