【課題】デバイス不良の発生を低減し、かつ半導体ウエハの欠けや割れを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハ１をエッチング液や洗浄液などの処理溶液に浸す処理を行うにあたって、まず、半導体ウエハ１を薄化する。ついで、薄化された半導体ウエハ１の外周端部２の全部または一部を樹脂膜３で被覆する。このとき、樹脂膜３の厚みを、局所的に厚くしてもよい。また、樹脂膜３の幅を、局所的に広くしてもよい。樹脂膜３は、処理溶液よりも大きい比重を有する。ついで、外周端部２が被覆された複数の半導体ウエハ１を、キャリアに垂直に配置する。ついで、半導体ウエハ１をキャリアごと処理溶液が満たされた薬液槽に沈めることで、複数の半導体ウエハ１を同時に処理溶液に浸す。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ側面に傾斜面を形成する際に、エッチングマスクの下側に及ぶ不必要なエッチングがほとんど無く、エッチング液による汚染も生じない傾斜状の側面を備える逆阻止型ＩＧＢＴの製造方法を提供すること。
【解決手段】（１００）面を主面とするｎ型半導体基板３０の一方に、素子活性領域のＭＯＳゲート構造１０とアルミニウム電極膜１８を形成する第１工程、他方の主面にイオン注入によりp型ドーパントを不純物とするイオン注入ダメージ層２１またはイオン注入ダメージ層２１を活性化して得られる高濃度ｐ型層２１ａを形成する第２工程、イオン注入ダメージ層又は高濃度ｐ型層２１ａをマスクとしてｎ型半導体基板の他方を湿式異方性エッチングして先細り状の傾斜溝２３を形成する第３工程及び傾斜溝２３を構成する傾斜面９ａにp型ドーパントのイオン注入によりｐ型分離層４を形成する第４工程による製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、微小な結晶欠陥を検出して精度良くシリコン単結晶の結晶欠陥を評価することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶の結晶欠陥を評価する方法であって、前記シリコン単結晶から切り出されたサンプルを、水平な状態で、少なくともフッ酸、硝酸、酢酸、及び水の混合液またはフッ酸、重クロム酸カリウム（Ｋ_２Ｃｒ_２Ｏ_７）、及び水の混合液中に浸漬させることによって、前記サンプルの表面を選択的にエッチングし、該エッチングしたサンプル表面の前記エッチング時に発生した気泡による痕跡を基に結晶欠陥を評価するシリコン単結晶の結晶欠陥の評価方法。 （もっと読む）

【課題】高性能・高信頼性の半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に保護膜を形成し、保護膜を介して不純物をイオン注入する。注入した不純物を活性化して不純物層を形成した後、保護膜を除去する。その後、不純物層の表面部の半導体基板を除去し、表面部を除去した半導体基板上に半導体層をエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板をウエットエッチングするエッチング装置において、エッチング液の酸化還元電位の低下によるエッチングレートの低下や、エッチング液の循環流量の低下によるエッチング量の面内均一性の低下を抑制する。
【解決手段】エッチング液の酸化還元電位を測定する酸化還元電位計１２１と、エッチング液の循環量を計測する流量計１１１とを備え、酸化還元電位の測定値に基づいて、バブリング装置１３１を制御してエッチング液に対する水素ガスのバブリングを行い、また、流量計１１１の測定値に基づいて、エッチング液の循環量が一定になるようエッチング液の循環ポンプ１１０を駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】気相エッチング法によりシリコンウェーハ表層部を短時間で均一にエッチングするための手段を提供すること。
【解決手段】弗化水素酸と硫酸との混酸Ａを収容した密閉容器内に、混酸Ａと接触しないようにシリコンウェーハを配置し、次いで、窒素酸化物を含む硝酸水溶液である溶液Ｂを前記密閉容器内に導入して混酸Ａと混合し、混酸Ａと溶液Ｂを混合した溶液から蒸発するガスによって前記密閉容器内で前記シリコンウェーハ表層部を気相分解する。 （もっと読む）

【課題】処理液により基板を処理する際に発生する気泡に起因して基板処理が阻害されるのを防止できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを処理するための処理液を貯留する処理槽３０と、処理槽３０内で基板Ｗを保持可能な基板保持部４１と、基板保持部４１を昇降駆動する駆動部５３とを有する基板処理装置１１における基板処理方法であって、基板保持部４１が保持している基板Ｗを処理槽３０が貯留している処理液に浸漬させて処理する際に、基板保持部４１を駆動部５３により処理槽３０から上昇させて基板Ｗを処理液から引き上げ、上昇させた基板保持部４１を駆動部５３により下降させて基板Ｗを再び処理液に浸漬させることによって、基板Ｗを処理する際に発生する気泡を基板Ｗから除去する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物表面の加工前のプロファイルを測定し、気体又は液体から成るエッチング剤を前記表面に向けて所定の流量で供給する供給手段を、該表面上の各点において前記目的プロファイルと前記加工前プロファイルの差から求めた加工深さにより定まる速度で、該表面に沿って移動させることにより、該表面をエッチングし、前記流量のエッチング剤を除去可能な量以上の吸引量で、前記表面付近の液体又は気体を吸引除去する。ここでエッチング剤が液体の場合には、液体と共に、該液体が気化した気体も吸引除去する。 （もっと読む）

【課題】発光効率、発光波長の狭帯域化を図ることができる多孔質シリコン層を形成するため、陽極酸化法で多孔質シリコン層を形成する際、制御性良く微小孔を形成する方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０１と、その表面に埋設された多孔質シリコン層１０２と、多孔質シリコン層に接続するように設けられた透明電極１０３と、単結晶シリコン基板の裏面に設けられたオーミック性電極１０４とを有し、多孔質シリコン層を発光層あるいは受光層とする半導体光素子の製造方法であって、超音波振動を印加しながら、単結晶シリコン基板表面を陽極酸化し、発光層あるいは受光層となる前記多孔質シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸を用いたエッチング処理に比して製造コストを低減することができるエッチング方法を得ること。
【解決手段】Ｐ型シリコン基板１２の表面にＮ型拡散層１０１を形成する第１の工程と、Ｐ型シリコン基板１２の一の主面に、Ｎ型拡散層１０１を貫通し、Ｐ型シリコン基板１２に到達する開口部５１ａを形成する第２の工程と、Ｐ型シリコン基板１２をアルカリ溶液１０２中に浸漬し、光１０３を照射しながらエッチングする第３の工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】突起部との接触による小さなエッチング異常の発生を防止することが可能なウェーハエッチング用治具を提供する。
【解決手段】ウェーハエッチング用治具１０は、円板形状を有する側板１１Ａ，１１Ｂと、側板１１Ａと側板１１Ｂとを連結する複数のシャフト１２ａ〜１２ｅと、側板１１Ａと側板１１Ｂとの間において個々のウェーハの収容空間を規定する複数のプレート１３と、各プレート１３の両面に設けられた突起部と、シャフト１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの上方に設けられた撹拌フィン１５ａ，１５ｂ，１５ｃとを備えている。撹拌フィン１５ａ，１５ｂ，１５ｃは、シャフト１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと平行に延設された板状部材であり、治具と共に回転してエッチング槽内のエッチング液を撹拌する。 （もっと読む）

【課題】リブと半導体基板との間の貼り付きを防止し、洗浄液、エッチング液を半導体基板表面にスムーズに流し、均一なエッチングが実現できる方法を提供する。
【解決手段】基板カセットに設けられた複数のリブ１０の間に、単結晶シリコン基板を配置し、基板カセットをエッチング液が収容された槽内に浸漬し、単結晶シリコン基板の表面処理を行う半導体装置の製造方法であって、基板カセットのリブ１０の表面に単結晶シリコン基板との接触面積を低下させる穴部１０１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】イソプロピルアルコール等の従来のエッチング抑制剤を使用することなく、微細なピラミッド状の凹凸（テクスチャー構造）を有するシリコン基板を安定的に形成することが可能なエッチング液を提供する。
【解決手段】シリコン基板を浸漬して、該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させるエッチング液であって、
下記一般式（１）で表わされる化合物（Ａ）又はそのアルカリ塩より選択される１種以上と、濃度が０．１重量％以上３０重量％以下である水酸化アルカリ（Ｂ）とを含有することを特徴とするエッチング液。
【化１】


(式中、Ｒは、炭素数４以上１５以下のアルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基のいずれかを表し、Ｘは、スルホン酸基を表す。)
該エッチング液を使用することにより、シリコン基板表面に微細なテクスチャー構造を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度で処理液を供給する。
【解決手段】処理液供給方法であって、表面６０ａにおいて、所定の位置に対応する箇所に開口部９０が複数形成され、且つ表面６０ａに形成された開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１を備えたテンプレート６０を、テンプレート６０の裏面６０ｂを保持して回転させるスピンチャック６２に載置する。次いで、テンプレート６０の表面６０ａに処理液を供給すると共にスピンチャック６２を回転させて流通路９１に処理液を充填する。処理液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａにウェハＷを密着させ、次いで、テンプレート６０とウェハＷとの密着を維持したまま、テンプレート６０とウェハＷとを上下反転させる。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度でエッチングを施す。
【解決手段】表面６０ａにおいて、所定のパターンに対応する箇所に複数の開口部９０が形成され、開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１が形成され、流通路９１における開口部９０と反対側の端部には、流通路９１を塞ぐ開閉自在に構成された蓋体が設けられ、且つ流通路９０にエッチング液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａを、ウェハＷに密着させる。次いで、蓋体を開操作して流通路内９１の空気抜きを行うことで開口部９０からウェハＷに対してエッチング液を供給し、エッチング液を供給する際に、テンプレート６０の流通路９１の内面に配置された加振機構を振動させることによりエッチング液を振動させる。
加振機構は、平面視においてエッチング液が流通路９１で渦流を形成するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】発光層がストライプ状の凹凸形状に沿って形成されたIII 族窒化物半導体発光素子において、発光層を均一な厚さに形成すること。
【解決手段】まず、基板１０１の一方の表面に、ノコギリ歯状ストライプの凹凸形状を形成する（図２（ａ））。次に、基板１０１のノコギリ歯状ストライプの凹凸形状が形成された側の表面上に、減圧ＭＯＣＶＤ法によって、その凹凸形状に沿って、ｎ型層１０２、発光層１０３、ｐ型層１０４を順に積層させる。これにより、各層が凹凸形状に沿ってうねったノコギリ歯状ストライプの形状となるよう形成する（図２（ｂ））。ここで、ガス流方向は、凹凸形状のストライプ方向に平行な方向とした。これにより、発光層１０３の面内膜厚分布、組成分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板表面への微細な凹凸部であって、その凹凸部にバラツキが少なく、反射率の低いシリコン基板を形成するためのテクスチャー形成用組成物、および該テクスチャー形成方法を提供する。
【解決の手段】シリコン基板表面と接触して該表面に凹凸部を形成するテクスチャー形成用組成物であって、水、塩基、及びアミド結合を有するアミド化合物を含むテクスチャー形成用組成物、および該テクスチャー組成物とシリコン基板表面とを接触させて、該基板表面に凹凸部を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 凹凸構造を形成することに適するような、微細なエッチング用の開口穴が適度に間隔を開けて散在するエッチングマスクを容易に形成する。
【解決手段】 基板１の上に樹脂膜５を形成する樹脂膜形成工程と、前記樹脂膜５の膜厚よりも粒径の大きい粒子９を前記樹脂膜５の上に付着させる付着工程と、付着した前記粒子９を前記基板側に押して前記粒子９の一部が前記樹脂膜５の底面に接するようにする押圧工程と、前記粒子９を除去して前記樹脂膜５に穴を形成する穴形成工程と、を有するエッチングマスクの形成方法とした。 （もっと読む）

【課題】薄膜半導体を、低コストをもって容易、確実に得ることができるようにする。
【解決手段】半導体基体表面に複数回の陽極化成処理を行い、多孔率の異なる複数の層からなる多孔質層１２を形成する工程を有する。また、多孔質層１２上にエピタキシャル半導体膜を形成する工程と、多孔質層１２においてエピタキシャル半導体膜を半導体基体から剥離する工程とを有する。そして、多孔質層１２を形成する工程の最後の陽極化成処理ＣからＤにおいて、半導体基体表面への通電と停止とを繰り返す間欠通電を行う。 （もっと読む）