【課題】 結晶性の高い半導体層を有する複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性材料からなる基体１０Ｘの上面１０Ｘａの中央に半導体材料からなる半導体基板２０Ｘを接合する接合工程と、基体１０Ｘの周縁に、半導体基板２０Ｘが接合されている上面に比べて算術平均粗さの大きい上面を有する周縁部を形成して、基体１０Ｘを周縁部１２および周縁部１２の内側に位置して半導体基板２０Ｘが接合されている主部１１を有する支持基板１０に加工する加工工程と、半導体基板２０Ｘを上面からウェットエッチングして薄層化することによって半導体層２０とする薄層化工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】適切な形状のテクスチャーを確実に形成することができるエッチング液組成物およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、単結晶シリコン基板の表面をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、アルカリ化合物と、有機溶剤と、界面活性剤とを含む。また、単結晶シリコン基板の表面をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング方法は、アルカリ化合物と、有機溶剤と、界面活性剤とを含むエッチング液組成物を用いてエッチングを行う、エッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイス等の基材となる基板を研削し、形成されるデバイスに適した所望の厚さに基材を研削する工程において、研削によって薄板化された基材の処理面に生じる研削キズの平滑化と、研削クズの溶解および除去とをエッチングする際に、処理面以外の基材がエッチングによって溶解されない基材表面処理方法を提供する。
【解決手段】第１基材面と当該第１基材面に基材表面処理を行う処理面を有する基材を備え、第１基材面の少なくとも外縁に沿って保護膜を形成する保護膜形成工程と、第１基材面に形成した保護膜の内縁となる処理面を研削することで基材を薄板化する薄板化工程と、薄板化工程によって研削された処理面を、エッチングによって平滑化するエッチング工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを収納した容器を洗浄槽との間で円滑かつ確実に搬送することができ、作業効率を向上させて安定した品質を維持できる多結晶シリコン洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンＳを容器３に収納した状態で洗浄槽２１〜２７に浸漬して洗浄する多結晶シリコンの洗浄装置１であって、洗浄槽２１〜２７の内底部に容器３を載置状態に保持するガイド枠５を有しており、ガイド枠５には上方から容器３の導入を案内する複数のガイド板５２が上方に向かうにしたがってガイド枠５の保持中心から離間する方向に傾斜して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極を被覆している二酸化珪素膜をエッチングすることなく、また電極をエッチングすることなくシリコン基板の裏面から電極を露出させることができる加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、シリコン基板２１の裏面を電極２１４を露出させることなく研削する工程と、シリコン基板の裏面をエッチング液によってエッチングしシリコン基板の裏面に電極を露出させる工程とを含み、エッチング工程は、シリコンに対してエッチングレートが高いエッチング液を用いてシリコン基板をエッチングして二酸化珪素２１５膜が被覆された電極をシリコン基板の裏面に不完全に露出させる工程と、シリコンをエッチングするとともに二酸化珪素に対してエッチングレートが低いエッチング液を用いてシリコン基板をエッチングして二酸化珪素膜で被覆された電極をシリコン基板の裏面から突出させる工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板の周端面への処理液の回り込みを制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転するスピンチャック１と、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液ノズル２，３と、リング部材１０とを含む。リング部材１０は、基板Ｗの周端面に回転半径外方から隙間を開けて対向する対向面を有し、この対向面に気体吐出口１１０を有している。スピンチャック１には、基板Ｗの周縁部下面に密接し、かつ気体吐出口１１０よりも下方においてリング部材１０に密接する周縁シール部材２１を有している。スピンチャック１は、センターチャック７と、回転ベース８とを有している。回転ベース８に形成された不活性ガス経路６８空、気体吐出口１１０への不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】高精細なパターニングを可能としたエッチングマスク付基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に感光材を塗布し、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、該基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ被覆膜を形成し、該レジストパターン上に形成されたＤＬＣ被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にＤＬＣパターンを形成してなるようにした。 （もっと読む）

【課題】エッチング液と基板との反応で発生した反応生成物によるエッチング処理への影響を抑制できるウェットエッチング装置を得ること。
【解決手段】ウェットエッチング装置は、エッチング液を収容するエッチング槽を備え、前記エッチング槽は、基板がエッチング液中に浸漬され前記基板のエッチング処理が行われるエッチング部と、前記エッチング槽における前記エッチング部より底面側に配された沈殿部と、前記エッチング部と前記沈殿部とを隔てるとともに、前記エッチング部と前記沈殿部とを連通する複数の開口部を有する隔離板とを備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコンをエッチング処理したアルカリエッチング液をエッチング槽から引き抜き、膜分離手段で膜分離処理してエッチング槽に循環するアルカリエッチング液の処理において、シリカ除去効率の向上、不純物の蓄積を防止して低シリカ濃度の透過水をエッチング槽に返送する。
【解決手段】２以上のＮＦ膜モジュールを２段目以降のＮＦ膜モジュールにそれぞれ前段のＮＦ膜モジュールの濃縮水を供給するように直列に連結し、１段目のＮＦ膜モジュール１Ａ，１Ｂの透過水をエッチング槽１０に循環し、２段目以降のＮＦ膜モジュール２〜４の透過水を１段目のＮＦ膜モジュール１Ａ，１Ｂの供給水側に循環する。従来の濃縮水循環に起因する系内のシリカ濃度の上昇によるシリカ除去性能の低下、不純物の蓄積の問題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、洗浄によるウェーハの表面粗さの悪化を低減し、かつ、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記半導体ウェーハをＳＣ１洗浄液により洗浄する工程と、前記ＳＣ１洗浄液により洗浄された半導体ウェーハをフッ酸により洗浄する工程と、前記フッ酸により洗浄された半導体ウェーハを、オゾン濃度が３ｐｐｍ以上のオゾン水により洗浄する工程とを含み、前記ＳＣ１洗浄液による半導体ウェーハのエッチング代を０．１〜２．０ｎｍとすることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理基板１が収容される槽ＴＫと、処理槽ＴＫ内に液体、気体、又は液体と気体との両方を送り出す送出機構ＴＢ、Ａと、処理基板１に対して、液体、気体、又は気体と液体との両方が槽ＴＫ内へ送り出される位置と対向する位置から槽ＴＫ内の液体、気体、又は気体と液体との両方を排出する排出手段１０、２０、３０、４０と、を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する機構を工夫することにより、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を提供する。
【解決手段】貯留槽９内に配置されている第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とが離反され、複数枚の基板が第１支持ユニット５７に載置されることにより、前記基板の周面のうちの下部だけが電解質溶液に対して液密に支持される。第２支持ユニット７３が第１支持ユニット５７に対して連結されると、前記基板の周面の残り部分が前記電解質溶液に対して液密にされた状態で前記複数枚の基板が支持され、これにより前記基板の周面が全周にわたって前記電解質溶液に対して液密にされる。第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とを着脱自在な基板ホルダー４１とすることによって前記複数枚の基板を機械的に搬入搬出させ、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を得る。 （もっと読む）

【課題】基板を均一にエッチングするために有利な技術を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、第１面および第２面を有する基板の前記第１面をフッ化水素および硝酸を含むエッチング液によってエッチングするように構成され、前記基板の前記第２面を保持するチャックと、前記チャックを回転させることによって前記基板を回転させる回転機構と、フッ化水素および硝酸を含むエッチング液を前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の中央部分に供給する第１供給部と、前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の前記中央部分より外側の外側部分に補充液を供給する第２供給部とを含む。前記補充液は、フッ化水素および硝酸のうちの一方の酸を含み他方の酸を含まない。 （もっと読む）

【課題】バッチ処理が可能で、かつ、電極の交換頻度を抑制して稼働率を向上させることができる陽極化成装置を提供する。
【解決手段】貯留槽９内に配置されている基板ホルダー４１に複数枚の基板を保持させ、電極２１，２３に通電すると、電極槽２１，２３間でイオンが移動し、イオン交換膜２９，３５を通して複数枚の基板に化成反応が生じる。したがって、複数枚の基板を処理するバッチ処理が可能となる。また、電極槽５，７内に貯留している電解質溶液の濃度は、貯留槽９内に貯留している電解質溶液の濃度よりも低く設定されている。したがって、電極槽５，７内における化成反応が貯留槽９内に比較して抑制されるので、電極槽５，７内における電極２１，２３に生じる局所的な化成反応が抑制できる。その結果、電極２１，２３の劣化を抑制することができ、装置の稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来のエッチング方法では所望のエッチング処理を施せなかった半導体材料の表面に良好なエッチングを施すことを可能とする半導体材料表面加工方法を提供する。また、従来のエッチング方法でも良好なエッチングを施すことを可能とする半導体材料を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体材料表面加工方法では、スライス加工された材料における加工層の加工歪方向と直交するダメージ加工を施す。前記ダメージ加工には、レーザ光、サンドブラスター、高圧水、ダイヤモンドワイヤ、或はダイヤモンドワイヤで造られたブラシを用いた加工や、純水氷結粒子の衝突加工が好適である。本発明に係る半導体材料は、スライス加工による加工層の加工歪方向と直交するダメージ加工が施され、前記加工歪方向及び前記加工歪方向と直交する方向に均質な歪を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板のエッチング方法であって、Ｓｉ基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】フッ硝酸は、一般にＨＦ（ａ）ＨＮＯ₃（ｂ）Ｈ₂Ｏ（ｃ）（ここで、ａ、ｂ及びｃの単位はｗｔ％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）と書ける。本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるＳｉＯ₂層のエッチングレートがＳｉ基板と比較して著しく低くなることに見出し、Ｓｉ基板を、ＳｉＯ₂層が露出するまでエッチングを行う。このようにすることで、Ｓｉ基板を高速にエッチングすることができ、かつ、エッチングされた表面の平坦性を従来に比して顕著に向上することができる。高濃度フッ硝酸の組成が僅かにＳｉＯ₂層をエッチングするものであっても、Ｓｉ基板のエッチングが高速に終了するため、実質的にＳｉＯ₂層のエッチングはほとんど進まず、平坦な表面を有するＳｉＯ₂層が露出する。 （もっと読む）

【課題】低反射率をもたらす、シリコンウェハー表面でのピラミッドの均一かつ密な分布を与える。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を有する、シリコンウェハーをテクスチャ形成するためのテクスチャ形成前処理組成物。１種以上の界面活性剤を有するテクスチャ形成前処理組成物でシリコンウェハーを濡らす工程に続いて、テクスチャ形成工程を有する、シリコンウェハーのテクスチャ形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（太陽電池セル）から離脱した気泡が再度付着して不均一なエッチングや形状欠陥が生じないようにするエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】太陽電池セル２を浸漬させるエッチング液４を貯留するエッチング槽５と、このエッチング槽５内の上層のエッチング液４を回収するとともに、この回収したエッチング液４をエッチング槽５の底部から噴出させて、エッチング液４をエッチング槽５内で循環させる循環水路系２０Ａと、エッチング槽５内の太陽電池セル２とエッチング液４の液面との間に沈められ、太陽電池セル２から発生してエッチング槽５内を浮上する気泡７を捕獲して収集する気泡捕獲収集器１Ａとを含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの処理表面の性状に応じたリンス処理に好適なリンス液の調製方法を提供する。
【解決手段】汚染防止物質を超純水に添加して調製されるリンス液における超純水に添加する汚染防止物質の量を、所定の条件におけるシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値と、所定の条件におけるシリコンウェハ表面を洗浄した際の金属不純物の吸着量と、条件変更後のシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値とからシリコンウェハへの金属不純物の予想吸着量を算出し、この予想吸着量に応じて決定する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）