【課題】被処理膜（特に、被処理膜における除去すべき部分）を、残存させることなく除去する。
【解決手段】ウェットエッチングにより、基板の上に形成された被処理膜における第１の部分を除去し、被処理膜における第２の部分を除去せずに残存させる。次に、ウェットエッチングにより、被処理膜における第２の部分を除去する。被処理膜における第２の部分の面積は、６０ｍｍ²以上である。 （もっと読む）

【目的】シリコンウェハに形成する溝の深さを高精度に制御できる半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ２１に形成する溝の深さをモニタウェハ２２の貫通時間と追加エッチング時間により制御する。まず、所望の深さの溝をシリコンウェハ２１に形成する時間より短い時間で貫通するモニタウェハ２２を準備し、このモニタウェハ２２をシリコンウェハ２１と同時にエッチングする。続いて、モニタウェハ２２が貫通する時間（貫通時間）からエッチングレートを算出する。続いて、このエッチングレートから追加エッチング時間を割り出す。さらに、この追加エッチング時間でシリコンウェハ２１をエッチングすることで、実験によるエッチングレートに関する事前データに頼ることなく、リアルエッチングでシリコンウェハ２１に所望の深さの溝を正確に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】光起電力素子などの入射光を低減させるのに適したテクスチャ構造を形成するための、改善された製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体をケイ素エッチングアルカリもしくは酸溶液で清浄化し、清浄化された半導体基体の表面を、１種以上の酸化剤を含み、７を超えるｐＨを有する酸化性組成物で酸化し、酸化された半導体基体をテクスチャ化組成物でテクスチャ化する。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセス中にかかる応力によって割れることがないシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハをラッピングする工程と、ラッピングされたウェーハの裏面に深さ１０μｍ以上のレーザマークを印字する工程と、レーザマークが印字された前記ウェーハをエッチングする工程を有している。エッチング工程では、レーザマークの深さｘ（μｍ）がｘ≦６０のときｙ≧４を満たし、ｘ＞６０のときｙ≧０．００１ｘ^２−０．１１８６ｘ＋８．０６４３を満たすようにそのエッチング量ｙ（μｍ）が制御される。 （もっと読む）

【課題】薬液の溶存酸素を低減して基板の処理効率を向上させるとともに信頼性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、基板Ｗを処理する処理部１０と、薬液を貯留する薬液貯留容器２０と、薬液貯留容器２０から処理部１０に薬液を供給する薬液供給駆動部２３と、薬液貯留容器２０に貯留され薬液を循環する循環ライン３０と、循環ライン３０に設けられた混合体生成部３１とを備えている。混合体生成部３１には、不活性ガス供給源４０により不活性ガスが供給されるようになっている。混合体生成部３１は、薬液貯留容器２０から供給される薬液と、不活性ガス供給源４０から供給される不活性ガスとを混合して気液混合体を生成するようになっている。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンゲート電極の意図しないフルシリサイド化を防止する。
【解決手段】基板１７上に、ゲート絶縁膜１２およびシリコン層１０をこの順に積層した積層体（１０、１２）を形成する工程と、積層体（１０、１２）の側壁沿いにＳｉＮ膜を有するオフセットスペーサ１３を形成する工程と、その後、シリコン層１０の上面を、薬液を用いて洗浄する工程と、その後、少なくともシリコン層１０の上面を覆う金属膜１９を形成する工程と、その後、加熱する工程と、を有し、オフセットスペーサ１３が有するＳｉＮ膜は、ＡＬＤ法を用いて４５０℃以上で成膜されたＳｉＮ膜、または、１Ｇｐａ以上の引張／圧縮応力を有するＳｉＮ膜であり、前記薬液は、重量比率で、ＨＦ／Ｈ_２Ｏ＝１／１００以上であるＤＨＦ、または、バッファードフッ酸である半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の結晶異方性エッチング時間の短縮出来るエチング組成物、及びエチング方法を提供する。
【解決手段】シリコンの酸化膜４をエッチングマスクとして、シリコン基板１を結晶異方性エッチングするにあたり，アルカリ性有機化合物と、水酸化セシウムと、水と、を含有するエッチング液体組成物を用いる。このとき、アルカリ性有機化合物が水酸化テトラメチルアンモニウムであり、水酸化テトラメチルアンモニウムを５重量％以上２５重量％以下、水酸化セシウムを１重量％以上４０重量％以下、の割合で含有するエッチング液体組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度でエッチングを施す。
【解決手段】テンプレート６２の表面６２ａには、ウェハＷの所定のパターンに対応する位置に開口部６５が複数形成されている。テンプレート６２は、開口部６５に連通するエッチング液の流通路６６を備えている。このテンプレート６２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、エッチング液供給口７２から流通路６６を介して開口部６５からウェハＷに対してエッチング液を供給することで、ウェハＷに貫通孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】テクスチャの密度や大きさを制御してより光反射率の低い半導体ウェハや半導体薄膜を得ることができる太陽光発電装置の製造方法を得ること。
【解決手段】有機物とハロゲン酸塩とを含むエッチング液を用いて、第１導電型の半導体ウェハの第１の主面をエッチングしてテクスチャを形成する工程と、テクスチャを形成した半導体ウェハの表面に第２導電型の拡散層を形成する工程と、半導体ウェハの端面に形成された拡散層を除去する工程と、半導体ウェハの第１の主面上に反射防止膜を形成する工程と、半導体ウェハの第１の主面および第１の主面に対向する第２の主面上に、所定の形状の電極を印刷し、焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】特殊な酸化剤を用いることなく微細突起の発生を抑制できる異方性ウェットエッチング方法およびＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを構成する赤外線センサＡは、シリコン基板１ａを用いて形成されており、シリコン基板１ａの一表面側において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成されている。ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハエッチング排水に酸を添加して析出したシリカ（ＳｉＯ_２）を固液分離する方法において、凝集剤の必要添加量の低減、発生汚泥の減溶化、汚泥含水率の低減と脱水性の向上、処理水質の安定化を図る。
【解決手段】酸を、固液分離汚泥の一部と混合してシリコンウエハエッチング排水に添加する。汚泥に酸を添加混合して汚泥表面を酸で改質することにより、シリカ（ＳｉＯ_２）が汚泥表面で析出するようになり、この結果、汚泥に取り込まれる水の量を最小限に抑えることができる。このため、含水率が低く、また、脱水性に優れた汚泥が得られ、凝集剤の必要添加量が低減されることにより汚泥発生量も低減され、汚泥の固液分離性が向上することにより、処理水質も安定する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板、特に固定砥粒ワイヤーソーによりスライスしたシリコン基板を、加工変質層を除去しながら、ステイン層の形成を抑制し、その表面に好適なテクスチャー構造を形成する方法及び処理液を提供する。
【解決手段】表面の反射率を低減させるための表面テクスチャー構造を有するシリコン基板の製造方法であって、少なくともフッ酸、硝酸、及び酸化剤を含み、該フッ酸と硝酸の混合比率が、５０％フッ酸及び６９％硝酸として０．７：１から３：１の容積比である処理液に、シリコン基板を浸漬する工程を含む。 （もっと読む）

本明細書において、固体照明デバイスおよび関連する製造方法を開示する。一実施形態において、固体照明デバイスは、Ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料、Ｎ型ＧａＮ材料から離間したＰ型ＧａＮ材料、ならびに直接Ｎ型ＧａＮ材料およびＰ型ＧａＮ材料の直接間にある窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）材料を備える発光ダイオードを含む。Ｎ型ＧａＮ材料、ＩｎＧａＮ材料、およびＰ型ＧａＮ材料のうちの少なくとも１つは、非平面を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィを用いたエッチング方法は、スパッタリングまたは蒸着などの方法により、クロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜し、レジストの塗布、硬化処理、露光、さらに現像およびレジスト膜の除去などの工程を必要とし、そして現像液や膜を除去するための溶液などを必要とし工程が複雑である。簡略なエッチング方法を実現する。
【解決手段】転写体１０は、基材１と、基材１上にパターン形成された剥離層２と、剥離層２上に形成された接合膜３とを備える。このような転写体１０を用いることで、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基体のテクスチャ化方法において、改良されたテクスチャ化均一性、再現性、成分の蒸発の低減および改良された反射率性能を伴うテクスチャ化溶液を提供する。
【解決手段】１７０以上の分子量を有し、７５度以上の引火点を有する不揮発性アルコキシ化グリコール、そのエーテルおよびエーテルアセタート誘導体を含む水溶液で半導体がテクスチャ化される。このテクスチャ化された半導体は、光起電力素子の製造に使用されうる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備えている。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有している。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことができない。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で、ウェーハの表面全体において良好な平坦度が得られるようにした、枚葉式エッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】回転しているウェーハ２の表面にノズル２１からエッチング液を供給してウェーハ２の表面を１枚ずつエッチングする枚葉式エッチング装置において、ノズル２１をウェーハ２の回転中心Ｏ_１を通る揺動軌跡Ｌでウェーハ２の表面に沿って揺動させるノズル揺動装置２４を備えるとともに、ノズル２１が揺動方向に対して直交する方向に延びたスリット形状の吐出口２１ａを有するように構成する。 （もっと読む）

電子素子の金属電極と真性半導体層との間に配置されたドーピングされた半導体層を、該真性半導体層に対して選択的にエッチングするエッチング液であり、遷移金属及び／または遷移金属塩；及びフッ酸及び／またはフッ素を含む無機塩；を含むエッチング液が提示される。
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単結晶シリコン基板を加工する方法において、シリコン基板は水平方向の搬送経路に沿って平坦にして搬送され、表面を微細加工するエッチング溶液はノズルなどの手段によって上から供給される。エッチング溶液は、シリコン基板の上面に連続的に数回にわたって上から供給され、基板の上面に残り、シリコン基板と反応する。
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【課題】より安価に超微細な加工が可能な微細加工方法を提供する。
【解決手段】
基板の微細加工方法は、薄膜形成過程と、Ｖ字溝形成過程と、薄膜エッチング過程と、基板エッチング過程と、薄膜除去過程と、からなる。薄膜形成過程は、基板１よりも軟性を有し、基板１に対して選択エッチングが可能であり、且つ可塑性を有する薄膜２を基板１上に形成する。Ｖ字溝形成過程は、薄膜２よりも硬性を有する少なくとも断面がＶ字形状のＶ字工具４を薄膜に押圧させ、基板１まで達さない少なくとも断面がＶ字形状のＶ字溝３を薄膜２に形成する。薄膜エッチング過程は、Ｖ字溝３の先端が開孔して基板１が露出するように薄膜２をエッチングする。基板エッチング過程は、薄膜２をマスクとして基板１をエッチングする。薄膜除去過程は、基板１上から薄膜２を除去する。 （もっと読む）