【課題】基板表面からのエッチングと同等の高い開口率の電子素子デバイスを製造する方法であって、高価な製造装置や追加の工程を要することなくしかもスティッキングを生じることもない方法を提供する。
【解決手段】基板１の第一の主面に電子素子２を搭載するとともに、電子素子２が覆われるように部分的にマスク材で保護する工程と、基板１の第二の主面全体を露出させた状態で基板１の第一の主面と第二の主面とを同時に結晶異方性エッチングし、第一の主面からエッチングされた領域と第二の主面からエッチングされた領域とが重なることにより貫通孔が形成された後、エッチングを終了する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、窒化物半導体素子の製造方法に関する。本発明の窒化物半導体素子の製造方法は、第１支持基板上に窒化ガリウムエピ層を形成する段階と、前記窒化ガリウムエピ層上に第２支持基板を形成する段階と、前記第１支持基板を除いた残りの領域の表面にパッシベーション層を形成する段階と、前記パッシベーション層をマスクとして前記第１支持基板をエッチングする段階と、前記パッシベーション層を除去して前記第２支持基板および前記窒化ガリウムエピ層を露出させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、シリコン基板を良好な寸法精度で加工することのできるシリコン基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるシリコン基板の加工方法は、シリコン基板１０の主面をスパッタリングする表面処理工程と、シリコン基板１０の主面にマスク層２０を形成するマスク層形成工程と、マスク層２０をパターニングしてマスクパターン２２を形成するパターニング工程と、マスクパターン２２の形状に従ってシリコン基板１０をウエットエッチングするエッチング工程と、を含み、マスク層２０は、クロムを含有し、表面処理工程およびマスク層形成工程は、同一のチャンバーＣ内で行われる。 （もっと読む）

エッチング基板、特に光吸収性エッチング基板、及びこのような基板の製造方法について記載する。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスの製造において、基板を介して抽出される光の量を増大させる。
【解決手段】本発明にかかる発光デバイスの製造には、発光デバイスの基板をエッチングすることが含まれる。このエッチングは、基板を介して抽出される光の量を増大させるのに十分な、水溶液エッチングとすることができる。このエッチングは、炭化ケイ素基板の直接水溶液エッチングとすることができる。このエッチングは、基板を切断することに起因するダメージなどの、基板に対するその他の処理によって生じるダメージを取り除くことができる。このエッチングは、基板内の炭化ケイ素のアモルファス領域を取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。
【解決手段】基板表面処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽１０１と、薬液槽内に回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、を有し、基板を搬送しながら薬液で基板を表面処理する基板表面処理装置であって、薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口１０７が形成されて開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段１２２をさらに有し、薬液移送手段は、隣接する搬送ローラー同士の間に開口が位置するように配置される。 （もっと読む）

【課題】直線状又は螺旋状の深い孔を有する単結晶基板を低コストで提供する。
【解決手段】単結晶基板１は、主成分がシリコンからなり、＜１００＞方向に孔３が形成されており、その孔の底に銀粒子及び／又はパラジウム粒子が存在し、孔径／粒子径の比が１以上２以下であることを特徴とする。また、単結晶基板１は、主成分がシリコンからなる単結晶基板であって、孔径１０〜２００ｎｍ、螺旋径１００〜６００ｎｍの螺旋状の孔が形成されており、その孔の底に銀、白金及びパラジウムのうちから選ばれる一種以上の金属の微粒子が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、大幅に改良されたシリコン層に関する選択性を有する、改良されたエッチングペースト組成物を利用した、選択エミッタを含むソーラーセルの製造方法に関する。
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基板上に設けられるシリコン層をエッチングする方法は、シリコン層に第１のトレンチを異方性エッチングすること；第１のトレンチ内のシリコン表面を選択的に異方性ウェットエッチングすることであって、該ウェットエッチングが、シリコン表面を、芳香族トリ（低級）アルキル第四級オニウム水酸化物と、非対称テトラアルキル第四級ホスホニウム塩とを含む水性組成物に曝すことを含み、該ウェットエッチングが、シリコン層の（１１０）面及び（１００）面をおよそ等しい速度で（１１１）面よりも優先的にエッチングして、（１１１）面に側壁を有する拡大されたトレンチを形成する、選択的に異方性ウェットエッチングすることを含む。応力をシリコン層の少なくとも一部分に導入するプロセスの一環として、このようにして作製したトレンチ内にシリコン合金をエピタキシャル堆積させてもよい。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の基板処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板処理装置を得ること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液１０２を収容する薬液槽１０１と、薬液槽１０１内に回転自在に設けられて基板１０６を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、搬送ローラーの間に設けられて、薬液槽１０１に収容された薬液１０２を攪拌する攪拌手段１０７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板厚が異なる基板に対しても同一条件でのエッチングを行い、均一に基板の表面処理を行うことができる基板表面処理装置、太陽電池セルの製造装置を得ること。
【解決手段】基板１１ａを保持する基板保持手段３５と、基板１１ａの基板厚に応じて基板保持手段３５の高さを調整する高さ調整手段３７と、基板１１ａを搬送する搬送手段と、上方に突出した壁部３１ｄに囲われた複数の突出口を基板１１ａの搬送方向において離間して有する液溜まり部が上面に設けられ、基板１１ａの表面処理に用いる処理液４０を突出口の内壁面での表面張力により突出口から突出した状態で保持する処理槽３１と、を備え、突出口から突出した処理液４０と処理面とが接触するとともに、液溜まり部の壁部３１ｄの最上部と処理面との距離が規定の距離となる高さ位置で基板１１ａを処理槽３１上において水平方向に搬送することにより処理面の表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハを平坦に加工するシリコンウエハの製造方法において、前記シリコンウエハを局所的に加工し、高精度且つ高スループットでウエハ面全体を平坦化することのできるシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ面内において所定間隔ごとに厚さ寸法を測定し、シリコンウエハＷの第一の形状データを得るステップと、前記第一の形状データにフーリエ変換（ＦＦＴ）を施し、第一の周波数分布を得るステップと、所望の周波数成分のみを通過させるバンドパスフィルタにより、前記第一の周波数分布のフィルタリングを行い、第二の周波数分布を得るステップと、前記第二の周波数分布に対し、逆フーリエ変換（ＩＦＦＴ）を施し、第二の形状データを得るステップと、前記第二の形状データに基づき、基準厚さ値よりも厚い部分を局所的に加工するステップと、を実行する。 （もっと読む）

【課題】 安価で注送圧力に脈動を発生させない羽根水車式のポンプを使用しながらも、エッチング液から発生するガスを注送ライン内及び注送ポンプ内から効果的に取り除き、エッチング液の循環を確保する機能を提供する。
【解決手段】 制御装置９は、遮断弁５Ａ，６Ａを開放し、注送配管２Ａ及び注送ポンプ３Ａを稼働させ、注送ラインＡを用いてエッチング槽１にエッチング液を循環供給する。流量センサ４からの信号を解析しエッチング液流量の低下が観測されると、制御装置９は遮断弁５Ａ，６Ａを遮断し、注送配管２Ａ及び注送ポンプ３Ａを停止する一方、遮断弁５Ｂ，６Ｂを開放し注送配管２Ｂ及び注送ポンプ３Ｂを稼働させて送ラインＢによるエッチング液の循環供給を行う。そして、注送ラインＡが停止している状態の下で、ガス抜きバルブ８Ａを開放し、注送配管２Ａ内及び注送ポンプ３Ａ内のガスを抜く。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ低コストな方法で、基板表面に選択的に撥水性を有する微細流路を形成する手段を提供する。
【解決手段】基板１０上にマスクパターン２０を形成する工程と、貴金属微粒子３０を前記基板１０の露出部１０ａに塗布する工程と、前記基板１０をエッチング溶液に浸漬して前記マスクパターン２０をマスクとして前記基板の露出部１０ａ下部の基板１０をエッチングすることにより、前記基板１０表面に微細流路４０を形成する工程と、を含む微細流路４０の形成方法である。 （もっと読む）

単結晶及び多結晶のシリコン基板の表面のテクスチャリングに適した水性酸エッチング溶液であって、溶液の総質量を基準として、３〜１０質量％のフッ化水素酸；１０〜３５質量％の硝酸；５〜４０質量％の硫酸；及び５５〜８２質量％の水、を含有する。単結晶及び多結晶のシリコン基板の表面をテクスチャリングする方法であって、（１）単結晶または多結晶のシリコン基板の少なくとも１の主表面を、上記水性酸エッチング溶液と接触させるステップと、（２）凹部及び凸部からなる表面構成を得るために所定時間、所定温度で基板の少なくとも１の主表面を十分にエッチングするステップと、（３）水性酸エッチング溶液との接触から基板の少なくとも１の主表面を除去するステップと、を備える。更に、上記溶液及び方法を用いて光発電セル及び太陽電池セルを製造する。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光を照射し、基板１０内部にレーザ光２６を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に改質層１２を形成する工程と、基板１０側壁に改質層１２を露出させる工程と、改質層１２をエッチングする工程とを有する基板スライス方法。 （もっと読む）

【課題】部材としてポリイミドを使用するインクジェットヘッドにより強アルカリ性のインクを出射しても、電気的な故障によるインクの不吐出を起こさないインクジェットヘッドを提供する。
【解決手段】電気的な接続手段として、ポリイミドを有する配線基板又はフレキシブルケーブル１０を備え、アルカリ溶液を吐出するインクジェットヘッドにおいて、酸性物質を含む保護材料２１を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスの光線を非共用表面に屈折させ、且つ光線が所定の方向へ調整させ、所定の位置へ集光させるものを同時に実現することができるパッケージベース及びその成形方法を提供する。
【解決手段】パッケージベースの成形方法であって、１つの表面を含む半導体基板を提供するステップと、前記半導体基板の表面にエッチング窓口が形成される第一マスク層を形成し、前記エッチング窓口の１つの側壁の方向と半導体基板の結晶格子の方向との間の傾斜角度が０〜４５度或いは４５〜９０度になるようにするステップと、前記第一マスク層と前記エッチング窓口を通して前記半導体基板に対して異方性エッチング（selected anisotropic etching）を実施して前記半導体基板の上に前記エッチング窓口の１つの側壁の方向に沿う傾斜面を形成するステップと、前記傾斜面にマイクロ屈折構造を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、良好な平坦度及び膜厚均一性を有し、さらに品質の高いエピタキシャルシリコンウェーハを提供することにある。
【解決手段】鏡面研磨されたシリコンウェーハ１０（図１(ａ)）の表面上に、エピタキシャル膜２０を形成した後（図１(ｂ)）、前記シリコンウェーハの裏面のみに対し、研削加工処理、研磨加工処理あるいは化学エッチング処理を施し、エピタキシャル膜２０の形成時に前記シリコンウェーハ１０の裏面端部に付着したシリコン析出物２１を除去する（図１(ｃ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの鏡面研磨された表面に発生する加工起因のＬＰＤの密度を低減し、かつウェーハ表面の表面粗さを小さくすることで、ＬＰＤ密度が低く、表面粗さ品質に優れたエピタキシャル膜を有するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】砥粒を含まず水溶性高分子を含むアルカリ性水溶液の研磨液を用いて、シリコンウェーハの表面を鏡面研磨する。水溶性高分子をアルカリ性水溶液に添加したので、摩擦係数を低下させ、鏡面研磨されたウェーハ表層部に発生する加工起因のＬＰＤの密度を低減でき、ＬＰＤ密度が低いエピタキシャルシリコンウェーハを製造できる。しかも、鏡面研磨されたウェーハ表面に発生する表面粗さを小さくでき、表面粗さ品質に優れたエピタキシャルシリコンウェーハを提供できる。 （もっと読む）