【課題】シリコンウェーハの厚みを減じる減厚加工処理における加工量を高精度に評価することが可能な方法および評価用シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに施す減厚加工処理における加工量を評価するに当たり、シリコンウェーハの表面上に、光学式厚み測定手段により厚み測定が可能なシリコン層を形成した評価用シリコンウェーハを作製し（Ｓ１）、次いで該評価用シリコンウェーハのシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定した（Ｓ２）後、シリコン層に対して減厚加工処理を施し（Ｓ３）、続いて該減厚加工処理後のシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定し（Ｓ４）、シリコン層に対する加工処理前後の厚み測定結果に基づいて減厚加工処理における加工量を評価する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、溶液を、溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給し、転写部の表面を半導体基板の表面に接触すべく転写部の裏面を押圧し、転写部の裏面を押圧したまま水平移動し、水平移動とともに、裏面に供給された溶液を、接触している転写部の表面及び半導体基板の表面に貫通する転写部の裏面の穴に挿入する。
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【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、触媒として作用する転写部の表面に溶液を塗布し、溶液が塗布された転写部の表面を半導体基板の表面と接触すべく配置する。
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【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、傾斜した半導体基板の表面近傍に、溶液の触媒として作用する転写部を配置し、転写部が配置された半導体基板の表面近傍を流れるように半導体基板の表面に溶液を供給する。
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【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、半導体基板の表面に溶液を投下し、触媒として作用する転写部の表面を溶液が投下された半導体基板の表面に接触するべく水平移動する。
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【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置が、溶液が通過する穴があり、溶液の触媒として作用する転写部を、半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、溶液を転写部よりも上部から、穴を介して半導体基板の表面近傍に供給する供給手段を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法を提供する。
【解決手段】損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、絶縁層を除去するエッチング処理と、硝酸、硝酸によって酸化された半導体基板を構成する半導体材料を溶解する物質、半導体材料の酸化速度及び酸化された半導体材料の溶解速度を制御する物質、及び亜硝酸を含み、亜硝酸の濃度が１０ｍｇ／ｌ以上１０００ｍｇ／ｌ以下である混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して損傷半導体領域を選択的に除去するエッチング処理と、を行うことで半導体基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】光利用効率が高く、光電変換効率に優れた太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】複数の開口部を有するエッチングマスクを第１導電型の半導体基板の一面側に形成し、前記エッチングマスクを用いたウエットエッチングにより前記開口部の下部領域およびその周辺領域の前記半導体基板をエッチングしてテクスチャーを形成するテクスチャー形成工程と、前記半導体基板の一面側に第２導電型の不純物元素を拡散して不純物拡散層を形成する不純物拡散層形成工程と、前記半導体基板の一面側における電極形成領域および前記半導体基板の他面側に電極を形成する電極形成工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、前記テクスチャー形成工程では、前記ウエットエッチングの途中において、前記ウエットエッチングにより発生した水素ガスを前記開口部から外部に放出した後に再度ウエットエッチングを実施する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの製造における、基板の拡散層のエッチングに於いて、所望のエッチングレートで基板の拡散層のエッチングを行える、効率的なエッチング液を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された拡散層のエッチングを行うＨＮＯ_３、ＨＦ及びＨ_２Ｏからなるエッチング液であって、前記ＨＮＯ_３、ＨＦ及びＨ_２Ｏの配合重量比が以下の式（１）を満たす、エッチング液を用いてエッチングする。ＨＮＯ_３：ＨＦ：Ｈ_２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：０を超え１６０以下・・・（１） （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面に多孔質層を有し、該表面における光の反射ロスをより低減することが可能な太陽電池用ウェーハを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用ウェーハ１００は、半導体ウェーハ１０の少なくとも片面１０Ａに、孔径が１０ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、層厚みが５０ｎｍ超え４５０ｎｍ以下の多孔質層１１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少なくとも無機アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン化合物、及びアニオン性化合物を含むシリコンエッチング液を、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該膜の少なくとも一部を除去するエッチング方法。
【解決手段】アモルファスシリコン又は多結晶シリコン膜を的確かつ効率よく除去して半導体基板に凹凸を形成するに当たり、ウエハの中央部から端部に至るまでバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたエッチング方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】より均一なテクスチャーを形成することができるシリコン基板のエッチング方法を得ること。
【解決手段】シリコン基板表面に付着して局所的にエッチングを阻害する添加剤を含んだアルカリ水溶液のエッチング薬液で満たされ当該エッチング薬液の温度制御が可能な薬液槽にシリコン基板を浸漬してエッチングするシリコン基板のエッチング方法であって、シリコン基板を前記エッチング薬液に浸漬した直後からは、前記エッチング薬液の温度を第１の温度にしてシリコン基板のエッチングを行う第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程の後は、前記エッチング薬液の温度を前記第１の温度より高い第２の温度にしてシリコン基板のエッチングを行う第２エッチング工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体ウェーハの表面を新たな方法でエッチングし、変換効率の高い太陽電池を作製できる太陽電池用ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用ウェーハの製造方法は、多結晶半導体ウェーハの少なくとも片面にアルカリ溶液を接触させて、前記少なくとも片面をエッチング深さが５０００ｎｍ以下となるようエッチングした後、酸溶液を接触させて太陽電池用ウェーハとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成されたエピタキシャル層の層厚測定用試料を簡便に製造できる層厚測定用試料製造装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層３が形成されたウエハ片１を、そのエピタキシャル層３の一部を残してエピタキシャル層３をエッチングして層厚測定用試料を製造し、エッチング後のウエハ片１上に段差として残ったエピタキシャル層３の層厚を測定するための層厚測定用試料製造装置１０において、ウエハ片１を挟み込む開閉自在の２枚の樹脂板１１，１２と、これら２枚の樹脂板１１，１２の一方に設けられ、ウエハ片１上に形成されたエピタキシャル層３の一部をエッチングから保護すべくエピタキシャル層３の一部と密着するエッチング防止ゴム１３とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルのテクスチャ形成工程では、微細なテクスチャを均一に形成することが困難であり、テクスチャの出来は太陽電池特性に影響を与える。
【解決手段】本発明は、太陽電池のテクスチャ形成工程において、アルカリ水溶液にケイ素化合物を添加することで、微細なテクスチャを均一に形成することが可能となり、基板の反射率が低減する。これにより、高効率の太陽電池を製造することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】オン電流が大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、単結晶シリコンからなり、上面が（１００）面であり、前記上面にトレンチが形成された基板と、少なくとも前記トレンチの内部に設けられたゲート電極と、前記基板における前記トレンチを挟む領域に形成されたソース・ドレイン領域と、前記基板と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜と、を備える。前記トレンチは、シリコンの（１００）面からなる底面、前記底面に接し、シリコンの（１１１）面からなる一対の斜面、及び前記斜面に接し、シリコンの（１１０）面からなる一対の側面により構成されており、前記ソース・ドレイン領域は、前記側面及び前記斜面に接し、前記底面の中央部には接していない。 （もっと読む）

【課題】アルカリ溶液を用いたテクスチャエッチング工程によってエッチング液中の陽イオン濃度を低下させることで、シリコン基板面内に均一なテクスチャを形成し、表面の汚染も無い基板を用いることで、高い発電効率を有する太陽電池を高い歩留まりで製造することができる。
【解決手段】テクスチャエッチング装置（エッチング装置）１００は、ｐ型又はｎ型のドーパントを含むシリコン基板８をエッチング液９中に浸漬してエッチングするエッチング装置であり、エッチング液９を貯留するエッチング槽１と、エッチング液９中に溶出した陽イオンを吸着して収集する第一および第二の陽イオン除去装置４Ａ，４Ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】金属汚染を抑制し、表面欠陥が低減された光電変換装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板の表面をアルカリ溶液に浸漬させてエッチングすることにより、微細な略四角錐状の複数の凸部、及び隣接する凸部間で構成される凹部からなる凹凸形状とし、凹凸が形成された単結晶シリコン基板を混酸液に浸漬させてエッチングすることにより、凸部の頂点を含み、凸部の一面及び該一面と対向する面を二等分する断面において、頂点は鈍角をなすように形成し、かつ、凹部の底が曲面をなすように形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に対して安価に且つ安定して高密度のテクスチャを形成可能なエッチング方法を得ること。
【解決手段】シリコン基板表面でのエッチング反応を阻害する添加剤と水とを含むアルカリ性のエッチング液をシリコン基板の表面に供給してウェットエッチングにより前記シリコン基板の表面に凹凸を形成するエッチング処理を複数バッチにわたって繰り返し実施するシリコン基板のエッチング方法であって、１バッチ目の前記エッチング処理の終了後において、前回のバッチのエッチング処理における前記エッチング液中のシリコン濃度の増加量と、前回のバッチのエッチング処理終了後における前記エッチング液中へのアルカリ濃度の追加量と、の比が一定となるように、バッチ毎に前記エッチング液にアルカリを追加して前記エッチング処理を複数バッチにわたって繰り返し実施する。 （もっと読む）

【課題】入射光反射率が低減した多結晶シリコン半導体テクスチャを形成するためのエッチング液を提供する。
【解決手段】アルカリ化合物、フッ化物イオンおよび酸化剤を含む酸性水性組成物を用い、多結晶シリコンの等方性エッチングを行なうことにより、露出した粒界を含まず、４００ｎｍ〜１１００ｎｍの入射光波長での入射光反射率が２０％以下となるテクスチャが得られる。 （もっと読む）