【課題】本発明の目的は、良好な平坦度及び膜厚均一性を有し、さらに品質の高いエピタキシャルシリコンウェーハを提供することにある。
【解決手段】鏡面研磨されたシリコンウェーハ１０（図１(ａ)）の表面上に、エピタキシャル膜２０を形成した後（図１(ｂ)）、前記シリコンウェーハの裏面のみに対し、研削加工処理、研磨加工処理あるいは化学エッチング処理を施し、エピタキシャル膜２０の形成時に前記シリコンウェーハ１０の裏面端部に付着したシリコン析出物２１を除去する（図１(ｃ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの鏡面研磨された表面に発生する加工起因のＬＰＤの密度を低減し、かつウェーハ表面の表面粗さを小さくすることで、ＬＰＤ密度が低く、表面粗さ品質に優れたエピタキシャル膜を有するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】砥粒を含まず水溶性高分子を含むアルカリ性水溶液の研磨液を用いて、シリコンウェーハの表面を鏡面研磨する。水溶性高分子をアルカリ性水溶液に添加したので、摩擦係数を低下させ、鏡面研磨されたウェーハ表層部に発生する加工起因のＬＰＤの密度を低減でき、ＬＰＤ密度が低いエピタキシャルシリコンウェーハを製造できる。しかも、鏡面研磨されたウェーハ表面に発生する表面粗さを小さくでき、表面粗さ品質に優れたエピタキシャルシリコンウェーハを提供できる。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板よりも外形が大きい支持基板に、光熱変換層と接着剤層を介して被処理基板を貼り合わせ、この貼り合せた面とは反対側の被処理基板の面を処理しても、被処理基板の処理面に外観不良が発生することを防ぐ。
【解決手段】 被処理基板３の一方の面に接着剤層４を形成し、被処理基板の表面よりも外形が大きい表面を有する支持基板１の一方の面に、光熱変換層２を形成し、この被処理基板３を光熱変換層２の表面上に接着剤層４を介して接着して積層体を得る。この積層体をスピンコーター装置のチャンバー８内のスピンチャック９上に載せ、光熱変換層２のうち、被処理基板から露出する部分２ａを、アルカリ性水溶液１１で除去した後、高圧洗浄用ノズル１２で洗浄する。その後、被処理基板３の表面を研削や湿式処理などの処理をして、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面に形成されるエッチングテクスチャの密度、サイズおよびサイズ分布を向上させるエッチング方法および使用、ならびに従来のエッチング液の寿命を向上させる使用を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン表面のエッチング方法は、少なくとも一種のハイドロコロイドを含有するアルカリ性のエッチング用水溶液である、５０℃〜９５℃の含ハイドロコロイドエッチング液を用意する工程と、シリコン表面を、所定の時間にわたって含ハイドロコロイドエッチング液と接触させる工程と、シリコン表面から含ハイドロコロイドエッチング液を除去する工程とを含む。少なくとも一種のハイドロコロイドを、従来のエッチング液に添加することにより、そのエッチング液の寿命を向上させることもできる。 （もっと読む）

本発明は、新規な組成物と、これらの組成物を、半導体およびＭＥＭＳデバイスの製造中に保護層として用いる方法とを提供する。この組成物は、溶媒系中に分散または溶解したシクロオレフィン共重合体を含有し、酸エッチングおよびその他の処理および取扱い中に、基板を保護する層を形成するために用いることができる。保護層は、感光性であっても非感光性であってもよく、保護層の下に、プライマー層を用いても用いなくてもよい。好ましいプライマー層は溶媒系中に塩基性ポリマーを含む。 （もっと読む）

【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

【課題】化学処理を伴うウェーハ表面処理方法において、従来のウェット処理等、拡散律速型処理による表面処理で問題視されていた反応ムラを効果的に抑制し、表面性状に優れたウェーハを提供する。
【解決手段】化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを含むことを特徴とする、ウェーハ表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ安価な方法により、エッチング液（アルカリおよび酸）に対する良好な耐性、加工時の耐熱性、エッチング処理を施すウェハへの良好な密着性およびエッチング処理後の易除去性のすべてを兼ね備えるエッチング保護材およびその保護材を用いたデバイス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素数２〜４のアルケンからなるオレフィン成分（Ａ）を主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル成分（Ｂ）を２〜４０質量％含むポリオレフィン樹脂からなることを特徴とするエッチング保護材。 （もっと読む）

【課題】 簡単な装置構造により角形の半導体基板に対しても均一な裏面平坦化が可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の受光面と反対側の裏面を湿式エッチングにより平坦化する裏面エッチング工程において、受光面を被覆して半導体基板をエッチング液中に浸漬させた状態で、半導体基板が浸漬している領域外にあるエッチング液を裏面に噴き付ける。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハをエッチングする際に、ウェーハの表層からバルク部へのＣｕ等の金属不純物の拡散を防止しながら、ウェーハ表層と共にＣｕを効果的にエッチング除去することができるシリコンウェーハのエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンウェーハをエッチングする方法であって、混酸を用いて０〜１０℃の温度範囲に維持しながらシリコンウェーハをエッチングするシリコンウェーハのエッチング方法、又は、シリコンウェーハをエッチングする方法であって、混酸を用いてシリコンウェーハをエッチングする際に、シリコンウェーハの加工歪深さとエッチング中のＣｕのウェーハ内への拡散距離とを足した値がエッチング代以下になるように温度を調節してエッチングするシリコンウェーハのエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造の影響を受けにくいエッチング液とそれを用いたアイソレーション構造の形成方法の提供。
【解決手段】フッ酸と有機溶媒とを含んでなるエッチング液。前記有機溶媒の、ハンセンの溶解度パラメーターによって定義されるδＨは４以上１２以下であり、２０℃の水に対する飽和溶解度が５％以上である。このエッチング液は、従来の半導体素子形成プロセスに用いられるエッチング液の代わりに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】横の広がりを抑えて貫通孔を形成することができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１に貫通孔８を形成するシリコン基板の加工方法であって、（１）前記シリコン基板の裏面に開口部を有するエッチングマスク層５を形成する工程と、（２）前記開口部を通じて前記シリコン基板に未貫通孔７を形成する工程と、（３）前記未貫通孔が形成された前記シリコン基板の裏面から、（１００）面のエッチングレートが（１１０）面のエッチングレートよりも速いエッチング液を用いて結晶異方性エッチングを行い、前記貫通孔を形成する工程と、を有するシリコン基板の加工方法である。 （もっと読む）

ＩＶ族系ナノ粒子流体が開示される。ナノ粒子流体が、ナノ粒子流体の約１重量％〜約２０重量％の量において存在する一群のナノ粒子を構成する一群のＩＶ族原子を含有する。また、ナノ粒子流体は、ナノ粒子流体の約０重量％〜約５重量％の量において存在する一群のＨＭＷ分子を含有する。さらに、ナノ粒子流体は、少なくとも一部のキャッピング剤分子が一群のシリコンナノ粒子に結合している一群のキャッピング剤分子を含有する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子を製造する際の歩留まりを向上できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ表面に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を形成した後に、外縁部を残して前記半導体ウエハ裏面を研削して前記外縁部の内側に凹部を形成する工程と、前記外縁部の一部を研削して前記外縁部の内側から外側に通じる溝部を形成する工程と、前記溝部を形成した後に、レジストをスピンコート法により前記凹部の底面に塗布する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ周縁部にフォトレジストを形成することなく半導体ウェハ周縁部の半導体層に不純物イオンが注入されるのを防止し、電解エッチング処理の際に半導体ウェハの表面側と裏面側で電気的に短絡するのを防止する。
【解決手段】半導体ウェハ１の周縁部に、後工程のイオン注入工程でＮ型領域５に注入されるＰ型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜１３を形成する。半導体ウェハ１の主表面上にＰ型不純物イオンの注入領域を画定するためにフォトレジスト１７を形成する。イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。フォトレジスト１７を除去し、半導体ウェハ１の主表面に配線処理を行なった後、半導体ウェハ１のＰ型シリコン基板３に対して電解エッチング処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板５の主表面ＳＦに対して４５°を成す傾斜面ＷＡを平坦性および平滑性良く形成するシリコン異方性エッチング方法及び当該方法において使用するシリコン異方性エッチング液を提供する。
【解決手段】シリコン異方性エッチング方法において、２０〜２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルを０．１〜１０ｐｐｍの割合で添加したシリコン異方性エッチング液を用いて、シリコン基板５をエッチング加工する。 （もっと読む）

【課題】繰り返し使用した後もシリコンウェハー上に金属不純物分が残留し難く、エッチング後のシリコンウェハーの高い電気絶縁特性を維持することができるシリコンウェハーエッチング液を提供する。
【解決手段】ニッケルイオン濃度が０．２ｐｐｂ以下であるアルカリ水溶液に、亜二チオン酸塩を０．００１モル／Ｌ以上添加してなるシリコンウェハーエッチング液。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面をプラズマエッチングする工程を含むシリコンウェーハの加工方法において、ウェーハの厚みのムラを抑制するとともにウェーハ表面に突起形状が発生するのを抑制することが可能なシリコンウェーハの加工方法を提供する。
【解決手段】フッ酸を含む洗浄液によりシリコンウェーハの表面の自然酸化膜を除去する洗浄工程Ｓ６と、この洗浄工程の直後にシリコンウェーハの表面をプラズマエッチングするプラズマエッチング工程Ｓ７とを含み、洗浄工程Ｓ６は、洗浄液による洗浄時間、洗浄液の温度、及び洗浄液の濃度の少なくとも１つを調整して、シリコンウェーハの表面の自然酸化膜の厚みを０．３ｎｍよりも厚く、０．７ｎｍよりも薄く形成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶系半導体基板のエッチング工程における保護膜の形成と剥離を簡略化し、生産性を向上させることができる表面保護部材を提供する。
【解決手段】 結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする工程において、結晶系半導体基板をエッチング液から部分的に保護するための表面保護部材であって、該表面保護部材が基材とその上に積層された粘着性樹脂組成物を含み、該粘着性樹脂組成物が、ポリブタジエン骨格及び／又はポリイソプレン骨格を有するウレタン樹脂及びラジカル重合開始剤を含有することを特徴とする表面保護部材。 （もっと読む）

【課題】ノズル列全体が位置合わせされたノズルデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】垂直壁を有する穴に接続されたテーパー部を有する流体吐出ノズルについて記載する。ノズルの列がダイ全体に渡って形成され、複数のダイが半導体基板に形成されたときでも、テーパー部と穴とが互いに位置合わせされるように、ノズルのテーパー部と垂直壁を有する穴との両方は、半導体層の片面から形成される。 （もっと読む）