本開示は、概して、シリコンウェハの製造に関し、より詳細には、シリコンウェハからエッジをエッチングするためのエッジエッチング装置及び方法に関する。
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【課題】半導体基板ベベル部に堆積した膜を洗浄により除去し、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板洗浄方法は、回転軸の回りで半導体基板を回転させる工程と、前記回転軸に対して第１の角位置に形成された冷却機構により、前記回転している半導体基板外周のベベル部を冷却する工程と、前記回転軸に対して前記第１の角位置とは異なる第２の角位置に形成された加熱機構により、前記回転している半導体基板の前記ベベル部を加熱する工程と、を含み、前記半導体基板の前記ベベル部を交互に加熱および冷却することにより、前記ベベル部において前記半導体基板の表面上に堆積している膜を剥離させる。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間１６２の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間１６２が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】所定の供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給装置１２は、同種の薬液が貯留された第１および第２タンク１３，１４と、第１ヒータ１７が介装された薬液供給管１５と、薬液回収管１６とを備えている。第１タンク１３から処理ユニット２に供給された薬液は、薬液回収管１６を介して第２タンク１４に回収される。第２タンク１４は、薬液移送配管２４を介して第１タンク１３に連結されている。薬液移送配管２４には、第２ヒータ２５および第２ポンプ２６が介装されている。第２タンク１４に回収された薬液は、第２ヒータ２５による温度調節を受けた後、第２ポンプ２６によって第１タンク１３に移送される。 （もっと読む）

【課題】薬液又は純水によってポリマー又は異物を確実に除去できるウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハ洗浄装置は、半導体ウェハ３を保持するウェハ保持機構１と、前記ウェハ保持機構１を回転させる回転機構と、前記ウェハ保持機構１の上方に設けられ、薬液又は純水を前記半導体ウェハ３の表面に吐出する薬液ノズル５又は純水ノズル４と、前記ウェハ保持機構１の外側であって前記半導体ウェハ３のベベル部を覆うように配置され、前記ベベル部に前記薬液又は前記純水を一時的に保持する薬液保持治具６と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の全域に対し、高いレートでかつ均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】スリット吐出口１５からフッ硝酸が吐出されつつ、スリットノズル５がスキャン開始位置Ｐ１からリターン位置Ｐ２に向けて移動する。このとき、第１シート２４が、ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液位置よりも進行方向Ｘ１の前方側の領域に接触しつつ移動し、ウエハＷの上面から失活したフッ硝酸を排除する。また、第２シート２６が、ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液位置よりも進行方向Ｘ１の後方側の領域に接触しつつ移動し、ウエハＷの上面に供給されたフッ硝酸を均す。 （もっと読む）

【課題】基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して良好なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制することができる基板支持部材を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板支持部材３と、ウエハＷおよび基板支持部材３を回転させるスピンチャック４とを備える。基板支持部材３の上面には、円筒状の収容凹所１３および平坦な第１円環状面１２が形成されている。第１円環状面１２は、収容凹所１３内に保持されたウエハＷの上面に、第１円環状面１２上のフッ硝酸とウエハＷの上面上のフッ硝酸とが連続した液膜を形成するように接近して配置されている。第１円環状面１２には、サンドブラスト加工（親液化処理）が施されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面の薬液が吐出される領域への局所的なダメージを抑制する基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に薬液Ｌ₂を供給して処理を行う基板の処理方法において、少なくとも薬液Ｌ₂が吐出される領域Ａを濡らすように、基板Ｗの表面に薬液Ｌ₂よりも電気伝導率の低い液体Ｌ₁を供給した状態で、領域Ａに薬液Ｌ₂を吐出し、基板Ｗの表面に供給された薬液Ｌ₂により処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の反り等の変形を検出する。また，基板の処理前に基板の変形を検出することにより基板の破損を防止する。
【解決手段】基板Ｗの変形を検出する機構１２３において，基板Ｗを保持する保持部材１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃ，光を投光する投光部１４１，投光部１４１によって投光された光を受光する受光部１４２を備えた。投光部１４１から投光された光は，基板Ｗが正常である場合に保持部材１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃに保持された基板Ｗの上面が位置するべき高さよりも上方を通る第一の光路Ｌ１，及び，基板Ｗの下面が位置するべき高さよりも下方を通る第二の光路Ｌ２を通過する構成とした。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの周縁部上の処理位置に刷毛部材７が配置される。カーボンファイバにより形成された弾性線状体１６が、ウエハＷ上のフッ硝酸の液膜に接触する。可撓性を有する弾性線状体１６は、フッ硝酸の液膜に接触すると、その先端部がウエハＷの回転半径方向外方側に向く湾曲線状に弾性変形する。弾性変形後の弾性線状体１６が、そのフッ硝酸をウエハＷ外に向けて案内する。 （もっと読む）

【課題】基板上の配線または素子の静電破壊を抑制できる基板の処理方法および基板の処理装置を提供する。
【解決手段】処理ステージ２１１に載置された基板２１０を鉛直軸Ｙ周りに回転させ、基板２１０の一方の面に処理液を供給することにより基板２１０を処理する基板２１０の処理方法において、処理ステージ２１１上に基板２１０を載置する工程Ａと、基板２１０の上に霧状の液体を供給する工程Ｂと、工程Ｂの後に、基板２１０の上に処理液を供給する工程Ｃと、を備える。このように、帯電した基板２１０に霧状の処理液を供給することで、基板２１０からの急激な電荷移動を抑制でき、基板２１０上の配線または素子の静電破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面にフッ硝酸を供給するためのフッ硝酸ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷ上面の周縁部に向けてＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル７とを備えている。エッチング処理時には、フッ硝酸ノズル５からフッ硝酸が吐出されつつ、フッ硝酸ノズル５が往復移動される。フッ硝酸ノズル５からのフッ硝酸の吐出と同時に、ウエハＷ上面の周縁部に、フッ硝酸を希釈するためのＤＩＷが吐出される。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング処理時には、ガスナイフノズル７は、ウエハＷ上における周縁部の内側領域の上方で、そのスリット吐出口２１を、ウエハＷの上面の周縁部に形成された吹付け領域Ｅに向けて配置される。ガスナイフノズル７からの不活性ガスは、平面視においてウエハＷのその内側から外側に向かい、ウエハＷの上面の周縁部に存在するフッ硝酸を、ウエハＷ外に排出させる。 （もっと読む）

【課題】 エッチング面に凹状部が形成された半導体ウエーハでも均一にエッチングでき、リング状補強部を過度にエッチングすることのないスピンエッチング方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数のデバイスが形成され裏面が研削された半導体ウエーハの該裏面をエッチングするスピンエッチング方法であって、前記半導体ウエーハの前記裏面を下向きに保持し、該半導体ウエーハを回転させながら、半導体ウエーハの下方に配設されたエッチング液供給ノズルからエッチング液を該半導体ウエーハの裏面へ供給する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回転させた基板に処理液を供給して所定の処理を行い、しかも、基板から外方へ飛散する処理液を受け止める飛散防止部材を設けた基板処理装置および該装置の制御方法において、装置の異常を確実に検出する。
【解決手段】飛散防止部材を昇降させる一対のサーボモータ１１９のそれぞれにかかる負荷トルクを検出するトルク検出部５１２２を設ける。両サーボモータ１１９のいずれかにかかる負荷トルクが極端に小さいとき、および、両サーボモータ１１９の負荷トルク差が大きいとき、同期制御装置５１１は装置に異常があるものと判定してモータの駆動を停止する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜が形成された基板の端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去する際に、形状性良く、かつエッチング残りが実質的に存在せずに除去することができるポリシリコン膜の除去方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン膜４１が形成されたウエハＷにおけるベベル部４２のポリシリコン膜４１をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法は、ベベル部４２のポリシリコン膜４１を除去せずに親水化する工程と、エッチング境界４３が平坦になる程度の回転数でウエハを回転させながら、親水化されたベベル部４２のポリシリコン膜にフッ酸と硝酸の混合液をエッチング液として供給する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面の周縁部上に、第１案内プレート２３および第２案内プレート３３が対向配置される。第１案内プレート２３および第２案内プレート２８は平板状に形成されており、ウエハＷの周縁部に面する案内面２８，３８を有しており、ウエハＷの外方へと張り出している。ウエハＷの上面の周縁部に存在するフッ硝酸は、案内面２８，３８を伝って、ウエハＷの外方へとスムーズに排出される。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板のデバイス面を確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】上面に基板が保持されるテーブル４と、テーブルに保持された基板にその板面と直交する上下方向に超音波振動を付与する振動子３と、テーブルに保持され振動子によって超音波振動する基板の上面に処理液を供給するノズル体を具備する。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理を実行する前に処理空間１６２の湿度を低下させており、乾燥処理を低湿度雰囲気で行っているため、基板乾燥により基板表面にウォーターマーク等が発生するのを効果的に抑えることができる。また、乾燥性能を高めるために置換処理を行っているが、湿度が低下した処理空間でＩＰＡ液が蒸発するため、ＩＰＡ乾燥時に発生する気化熱に起因する乾燥不良を効果的に抑えて基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】超音波振動が付与された処理液により所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】メモリ２１には、超音波振動子１８の駆動電流値と、超音波ノズル４とウエハＷとの間の距離と、超音波ノズル４から供給される処理液流量と、ウエハＷ上における処理液中の超音波音圧値との対応関係を表す駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルが記憶されている。ＣＰＵ２０は、駆動電流値−距離−流量−音圧値対応テーブルを参照することにより、音圧値入力キー２４により設定された超音波音圧値に対応する駆動電流値を求める。ＣＰＵ２０は、その算出された駆動電流値で超音波振動子１８を駆動するように超音波発振器１７を制御する。 （もっと読む）