【課題】基板処理部に対する処理液の供給流量を調整するときの調整時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを処理液で処理するための処理ユニット６と、処理ユニット６に処理液を供給するための処理液供給配管１４と、処理液供給配管１４に介装され、開度を変更するためのモータ２４を有するニードルバルブ１５とを備えている。処理液供給配管１４およびニードルバルブ１５は、流体ボックス７内に収容されており、この流体ボックス７によってニードルバルブ１５全体が覆われている。制御部８がモータ２４を制御してニードルバルブ１５の開度を変更することによって、処理ユニット６に対する処理液の供給流量が変更される。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗの上面に遮断板４の下面を対向させた状態で、基板Ｗと遮断板４との間に処理液を供給して、基板Ｗと遮断板４との間を処理液によって液密にする。そして、基板Ｗと遮断板４との間が処理液によって液密にされた状態で、基板Ｗと遮断板４とを鉛直軸線まわりに相対回転させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウエハの枚葉処理における湿式エッチング装置のクリーンルーム占有床面積の拡大を防止し、生産性の向上を図ること、並びにそれに伴う歩留改善、間接材料の使用量低減可能な作業方法の確立を図る。
【解決手段】本発明の半導体ウエハ１のエッチング方法は、半導体ウエハ１を床面に対して垂直に保持した状態でエッチングするもので、吸着チャック１０に垂直に保持された半導体ウエハ１と垂直状態で相対するエッチング機構１３の正面部１７並びに凸部１８の間に、上から下に流れる落ちるエッチング液による薬液層１９を形成しつつ、半導体ウエハ１を低速回転させながらエッチングする。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを腐食させない非腐食性の処理液である純水を処理液ノズル９から水平に保持された基板Ｗの上面に供給して、当該基板Ｗ上に純水による液膜を形成する。そして、基板Ｗが収容された密閉空間である処理室Ｃ１内に、基板Ｗを腐食させる腐食性のガスまたは蒸気であるフッ酸の蒸気をガス／蒸気ノズル１２から供給する。処理室Ｃ１内に供給されたフッ酸の蒸気は、基板Ｗ上の純水に溶け込んでいき、純水の液膜がフッ酸の液膜に変化する。これにより、基板Ｗの上面全域が均一にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】薬液を用いてハードマスクを除去する際に、薬液を回収して再利用することができる液処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハに形成された被エッチング膜を、所定パターンに形成されたハードマスク層をエッチングマスクとして用いてエッチングした後、ハードマスク層およびエッチングの際に付着したポリマーを薬液で除去する液処理方法は、ウエハを回転させながらウエハに薬液を供給してハードマスク層を除去し、処理後の薬液を廃棄する第１工程と、第１工程によりハードマスク層の残存量が、処理後の薬液を回収して再利用することが可能となる量となった際に、廃棄していた処理後の薬液を回収して当該液処理に供するように切り替える第２工程と、第２工程の後、ウエハを回転させながら、薬液を回収して再利用しつつ、薬液によりハードマスク層の残部およびポリマー、またはポリマーを除去する第３工程とを含む。 （もっと読む）

半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を経ることなく、基板の端部のポリシリコン膜を所望の幅で確実にエッチング除去することができるポリシリコン膜の除去方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン膜が形成された基板における基板端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法は、前記ポリシリコン膜の除去すべき基板端部に対応する部分に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、前記ポリシリコン膜が露出された前記基板端部の一部にエッチング液としてのフッ酸と硝酸の混合液のパドルを形成し、前記パドルが維持される程度の回転数で基板を回転させながらその部分のポリシリコン膜を前記パドルによりエッチング除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去する。
【解決手段】ウェハベベル処理部２には、スプレーヘッド部１１、バルブ１３、バルブ１５、バルブ１７、バルブ１９、バルブ２５乃至２８、薬液回収部２０、薬液供給ポンプ２１、薬液供給ポンプ２２、及び薬液タンク２３が設けられる。スプレーヘッド部１１には、不活性ガス吐出ノズル１２、不活性ガス吐出ノズル１６、薬液・リンス液吐出ノズル１４、薬液・リンス液吐出ノズル１８、及び排出口２９が設けられる。薬液・リンス液吐出ノズル１４は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の表面側に薬液或いはリンス液を吐出する。薬液・リンス液吐出ノズル１８は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の裏面側に薬液或いはリンス液を吐出する。 （もっと読む）

【課題】支持部材の先端部を基板の下面に当接して基板を略水平姿勢で支持しながら支持部材に押し付けて保持した基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において基板保持力を高める。
【解決手段】基板Ｗの保持モードとして、第１保持モードと第２保持モードが設けられている。第１保持モードでは、基板裏面Ｗｂを支持ピンＰＮで支持しながら基板表面Ｗｆに窒素ガスを供給して基板Ｗを支持ピンＰＮに向けて押圧力Ｆａで押圧するのみであるが、第２保持モードでは、上記押圧力Ｆａに加え、基板裏面Ｗｂより基板Ｗに吸引力Ｆｂを与えている。このように、吸引力Ｆｂを付加した分だけ基板Ｗの保持力を高めることができ、基板Ｗを高速回転させる際にも安定して基板Ｗを保持することができ、その結果、基板処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハの上面全体をエッチング液によって均一にエッチング処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理液によって処理する処理装置であって、
半導体ウエハを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、先端部に処理液を半導体ウエハに向けて噴射する上部ノズル体５１を有し、回転テーブルの上方で上部ノズル体が半導体ウエハを横切る方向に駆動されるアーム体５２と、ノズル体が半導体ウエハの周辺部から中心部に向かうときにアーム体の移動速度を次第に増加させ、中心部から周辺部に向かうときには揺動速度を次第に低下させるようアーム体の移動速度を制御する制御装置７を具備する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で、半導体基板のおもて面側へのエッチング液の巻き込みを抑制する手段を提供する。
【解決手段】 半導体基板を、噴出口から半導体基板の半径方向外側に向けて噴出させた噴出ガスにより非接触で保持する回転基台と、回転基台に設けられ、半導体基板の外周面に接触する複数の位置決めピンとを備えた半導体装置の製造装置において、位置決めピンの外周面に、噴出ガスの流れを半径方向外側に案内する案内溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】ノズルの入れ替えに要する時間を短縮可能な技術を提供する。
【解決手段】ＤＩＷ供給部１３が移動するエリア内に、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との干渉エリアＡｉを特定する。基板Ｗに対する純水の吐出処理（プリウェット処理）を終えた純水ノズル１３０が、干渉エリアＡｉの外に移動したことが確認されると、現像ノズル２１が所定の待機位置Ｔ２１から基板Ｗの上方の吐出開始位置へと移動開始する（ＡＲ１３）。 （もっと読む）

【課題】ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】制御部は、現像ノズル２１を、第１の高さにある水平面（移動走行面Ｈ１）上で移動させることによって、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させる（ＡＲ２，ＡＲ６）。ただし、移動走行面Ｈ１は、純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で移動させる際に純水ノズル１３０が移動するエリア）の上方に形成される。したがって、純水ノズル１３０との干渉を考慮せずに自由に現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させることが可能となり、これにより、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との稼働率が向上する。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される処理液の流量および基板の回転速度を増大させることなく、基板の表面の全域に処理液をむらなく行き渡らせることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】回転中のウエハＷの上面の中央部に、ノズル８から処理液（ＨＦ、ＤＩＷ）が供給される。ウエハＷの上面が疎水性を示していても、ノズル８から処理液が供給されている間は、少なくともウエハＷの上面における処理液の供給位置付近、つまり中央部に処理液の液膜が形成される。その一方で、対向板１３がウエハＷの上面の中央部に対向配置される。そして、対向板１３がウエハＷの中央部に対向する位置から周縁部に対向する位置へと移動され、その移動によって、ウエハＷの中央部を覆っている処理液の液膜がウエハＷの周縁に向けて拡張される。 （もっと読む）

【課題】フッ素系溶剤を主成分とする溶剤を基板表面から除去して当該基板表面を乾燥させる基板処理方法および基板処理装置において、基板表面に水滴が付着するのを防止して乾燥性能を高める。
【解決手段】ＩＰＡ液で覆われた基板表面ＷｆにＨＦＥ液を供給してＩＰＡ液をＨＦＥ液で置換して基板表面Ｗｆの全部がＨＦＥ液で覆われた後に、高温窒素ガスが基板裏面Ｗｂに供給されて基板Ｗが加熱されるとともに、基板表面ＷｆからＨＦＥ液が除去される。この基板加熱は、乾燥処理（除去処理）によってＨＦＥ液が基板表面Ｗｆから全部除去されるまで継続される。このように乾燥処理の間、基板裏面Ｗｂに高温窒素ガスを供給して基板Ｗを加熱しているため、仮に基板の周辺に多量の水蒸気成分が存在していたとしても、基板表面Ｗｆに水滴は付着することなく、基板Ｗを確実に乾燥することができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハを高い清浄度で洗浄することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
基板を保持して回転駆動される回転テーブル１６と、回転テーブルの上方に設けられ基板を横切る方向に駆動されならが基板に処理液を供給する第１のノズル体４６と、基板の中心部に向けて処理液を供給し第１のノズル体によって基板の中心部以外の部分が処理されているときに基板の中心部が乾燥するのを防止する第２のノズル体５４を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の乾燥用流体の使用量を抑えつつ、基板を効率的に乾燥させる。
【解決手段】純水リンス工程の後、純水が付着した基板を回転させながら、乾燥用流体および不活性ガスを基板に供給する乾燥工程を行う。このとき、基板に対する不活性ガスの供給位置が乾燥用流体の供給位置よりも基板回転中心（Ｐｏ）に近くなるように保ちつつ、流体ノズル（１２）及び不活性ガスノズル（１３）の位置を基板回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させる。乾燥工程の開始時には、まず不活性ガスノズルを基板回転中心より手前側に位置させた状態で流体ノズル及び不活性ガスノズルの移動を開始すると共に乾燥用流体の供給を開始し、次いで、不活性ガスノズルが基板回転中心にきたときに不活性ガスの供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】表面改質熱処理によるラフネスを低減でき、異物の付着や表層欠陥が少ないウェーハが得られる製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハにエッチング処理を施すエッチング工程Ｓ７と、ウェーハの表面を改質させる表面改質工程Ｓ１２と、表面改質工程Ｓ１２の後に又はエッチング工程Ｓ７と表面改質工程Ｓ１２との間にウェーハの厚みを測定する第１厚み測定工程Ｓ１３と、ウェーハの主表面を研磨する主表面研磨工程Ｓ１５，Ｓ１６と、主表面研磨工程Ｓ１５，Ｓ１６を経たウェーハの厚みを測定する第２厚み測定工程Ｓ１３と、第１厚み測定工程Ｓ１３による厚みと第２厚み測定工程Ｓ１８による厚みを比較して主表面研磨工程Ｓ１５，Ｓ１６におけるウェーハの実研磨厚みを算出する実研磨厚み算出工程Ｓ１９と、主表面研磨工程Ｓ１５，Ｓ１６によるウェーハの最大研磨厚み及び最低研磨厚みに基づいてウェーハの品質の良否を判定する判定工程Ｓ２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布が均一なＳＯＩウェーハを製造する。
【解決手段】支持基板上に埋込み酸化膜とＳＯＩ層をこの順に有するＳＯＩウェーハの製造方法において、ＳＯＩウェーハはその表裏面に熱酸化膜を形成する熱処理工程と、熱酸化膜を除去する工程とを経て製造され、熱酸化膜を除去する工程に続いて、、熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定し、ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ厚さを正確に測定できるウェーハの加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物である半導体ウェーハ１１を実質的に水平に載置する基台１２と、前記半導体ウェーハに加工用流体１４を供給するべく前記半導体ウェーハの加工面に対向する供給口２６ａ，２７ａを有するノズル２６，２７と、前記ノズル内部に配置され、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に音波または電磁波を出射して前記半導体ウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段４１ａ，４２ａと、を備える。 （もっと読む）