【課題】ウェーハ厚さを正確に測定できるウェーハの加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物である半導体ウェーハ１１を実質的に水平に載置する基台１２と、前記半導体ウェーハに加工用流体１４を供給するべく前記半導体ウェーハの加工面に対向する供給口２６ａ，２７ａを有するノズル２６，２７と、前記ノズル内部に配置され、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に音波または電磁波を出射して前記半導体ウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段４１ａ，４２ａと、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理体近傍の処理液雰囲気を効率よく排出すること。
【解決手段】液処理装置は被処理体Ｗを処理する。液処理装置は、外容器１と、外容器１内に配置され、被処理体Ｗを支持する支持部３０ａと、支持部３０ａによって支持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動機構６０と、被処理体Ｗに処理液を供給する処理液供給機構と、被処理体Ｗの周縁外方に配置され、支持部３０ａとともに回転可能な回転カップ１１と、を備えている。回転カップ１１の上方には、回転カップ１１とともに回転する回転排気カップ１０が設けられている。排出機構は、回転カップ１１と回転排気カップ１０によって案内された処理液雰囲気を排出する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを固定することなく洗浄して、ウェーハを把持し直す作業を省略してウェーハの洗浄時間を十分に短縮する。
【解決手段】ウェーハの洗浄方法は、ウェーハ１１径よりも小さな外径を有する水平に設置される円盤状のベース１２からベース全面にわたって純水を均一な高さに噴出させて噴出した純水によりベース上方にベースと同心に置かれる円板状のウェーハを水平に浮上させ、ベースから噴出する純水によりウェーハの下面を洗浄する。洗浄装置１０は、ウェーハ径よりも小さな外径を有し全面に複数の同一径の噴出孔１３ｄが形成されベース内部に噴出孔に連通する中空部１２ａが形成された水平に設置される円盤状のベース１２と、中空部を介して複数の噴出孔から純水をベース全面にわたって均一な高さに噴出させる純水供給手段２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。進入領域Ｋ（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット１内に進入する領域）の上方には、現像処理セット１０間にわたって移動経路Ｌ２１が形成されている。制御部９１は、移動経路Ｌ２１に沿ってノズル２１を移動させることによって、ノズル２１を現像処理セット１０の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット１に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを短くするとともに、基板間でのこの時間にばらつきが生じることを防止できる技術を提供する。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。制御部９１は、ノズル２１がある基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えると（ＡＲ２）、当該ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置で待機させておく（ＡＲ３）。基板Ｗ２が現像処理ユニット１内に搬入されると、制御部９１は、待機位置ＰＷ２に位置しているノズル２１を吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ４）、スリット２０１から現像液を吐出させながら基板Ｗ２上を走査させる（ＡＲ５）。 （もっと読む）

【課題】基板保持部に保持される複数の基板に対してそれぞれ処理液を供給可能な複数のノズルを備えることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを水平姿勢で保持する複数のスピンチャックと、基板Ｗに処理液を供給する複数のノズル２１と、選択ノズル２１ｓを準備位置から処理位置Ｐａ、Ｐｂへ移動させる選択ノズル移動機構５１と、各準備位置の間で複数のノズル２１を一体に移動させるノズル群搬送機構４１と、を備えている。ノズル群搬送機構４１は複数のノズル２１を各準備位置間で移動させる。選択ノズル移動機構５１は、複数のノズル２１から任意に選択される選択ノズル２１ｓを、処理位置Ｐに移動させる。処理位置Ｐに移動した選択ノズル２１ｓは処理液を基板に供給する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を処理している間にトッププレートに処理液が付着したとしても、当該処理液が処理済みの被処理体上に落ちたり、当該処理液によって次回以降に処理される被処理体に悪影響を及ぼしたりすることを防止すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを支持する支持部１５と、支持部１５によって支持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、被処理体Ｗに処理液を供給する処理液供給機構３７，３９と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出する排出機構２０，２１と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出機構２０，２１へと導く回転カップ１０と、被処理体Ｗの上面側を覆うトッププレート４０と、を備えている。トッププレート４０は、回転カップ１０の上方まで延びた周縁外方突出部４０ｐを有している。周縁外方突出部４０ｐには、周縁外方突出部４０ｐに付着した処理液を吸引する吸引機構７０，７１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理体を処理した処理液を排出機構へと導く回転カップを被処理体に近接した位置に設け、かつ、支持された被処理体と回転カップとの間の間隙を均一にすること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗの下面と側面を処理する。液処理装置は、被処理体Ｗに処理液を供給する処理液供給機構３７，３９と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出する排出機構２０，２１と、被処理体Ｗの周縁外方に設けられ、被処理体Ｗを処理した処理液を排出機構２０，２１へと導く回転カップ１０と、回転カップ１０を回転させる回転駆動部６０と、を備えている。回転カップ１０には、周縁内方に突出し、被処理体Ｗの周縁部を支持する支持部１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理体の裏面に供給された処理液が、被処理体の周縁部で、処理液の表面張力によって被処理体の表面側に回り込むことを防止し、このことによって、被処理体の周縁部の表面を精度良く処理すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを支持する支持部４０と、支持部４０を回転させる回転駆動部６０と、支持部４０によって支持された被処理体Ｗの表面の周縁部に向かって処理液を供給する表面処理液供給機構３５と、支持部４１によって支持された被処理体Ｗの裏面に処理液を供給する裏面処理液供給機構３０と、を備えている。被処理体Ｗの周縁外方には、間隙Ｇ_０を介して、第一ガイド部材２１が配置されている。被処理体Ｗの裏面を経て周縁部に達した処理液の流速は、被処理体Ｗの表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くなっている。 （もっと読む）

【課題】
基板表面を選択的にエッチングするための基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】
本発明による基板処理方法は、第１ノズルが回転する基板の中心にエッチング液を供給し、第２ノズルが基板の中心から離れた位置で前記エッチング液の濃度を希釈するエッチング妨害流体を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される複数種の処理液を分離して回収することができるスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板に複数種の処理液を順次供給して処理するスピン処理装置であって、カップ体１と、カップ体内に設けられ基板を保持して回転駆動される回転テーブル８と、上面が開口したリング状をなしていて、カップ体の内周と回転テーブルの外周との間に上下方向に駆動可能に設けられ回転する基板から飛散する処理液を受ける処理液受け体１６と、基板に供給される処理液の種類に応じて処理液受け体を上下方向に駆動してその高さを設定するリニアモータ２１と、カップ体に設けられ処理液受け体が受けた処理液を処理液受け体がリニアモータによって設定された高さに応じて分離して回収する第１乃至第３の分離流路２７ａ〜２７ｃを具備する。 （もっと読む）

【課題】非拡散層及び拡散層を有する拡散ウェーハに対してスピンエッチングを施し、非拡散層の一部を除去して非拡散層の厚みを略均一とできる拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】非拡散層２１及び拡散層２２を有する拡散ウェーハ２０における非拡散層２１の一部２３を、枚葉式でスピンエッチングにより除去するスピンエッチング工程を備え、スピンエッチング工程は、拡散ウェーハ２０の面内方向Ｄ２に移動可能であり且つエッチング液を拡散ウェーハ２０における非拡散層２１に供給する液供給口を備えるスピンエッチング装置を用い、液供給口を拡散ウェーハ２０における面内方向周辺部２０ｃ及び面内方向中心部２０ｄにそれぞれ位置させて液供給口からエッチング液を非拡散層２１に供給することにより、非拡散層２１における厚み方向の形状に基づいてスピンエッチングの際の非拡散層２１のエッチング除去量のウェーハ面内分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の裏面と洗浄装置との接触によって発生する被洗浄物間の相互汚染を防止し、洗浄液、および洗浄した汚れが被洗浄物に再付着することを抑制することができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、前記被洗浄物の側面を保持するチャックピンと、前記被洗浄物の直下に配設され、液体を吐出する吐出口を有したフランジと、前記フランジの外側に配設され、前記フランジから吐出される液体の液はねを防止する液はね防止板とを具備し、前記フランジにより前記被洗浄物の裏面を非接触な状態で液体浮上させ、前記チャックピンで該被洗浄物の側面を保持して該被洗浄物を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の浮遊処理液の影響を低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】振り切り乾燥処理が終了すると、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０の回転が停止させられて、基板Ｗの回転が停止する。続いて、スピンチャック１０と雰囲気遮断板５０とが近接する状態から、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０との間の距離Ｄが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下となるよう、雰囲気遮断板５０が上昇させられる。そして、スピンチャック１０から搬送ロボットの搬送アーム８ａに基板Ｗが受け渡される。これにより、チャンバ内の浮遊薬液を完全にチャンバ外に排気することができない場合であっても、搬送時または搬送待ちの基板Ｗに浮遊薬液が付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】薬液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】初期薬液処理では、基板表面Ｗｆにシリコン酸化膜が形成されており、基板表面Ｗｆは親水面となっている。そこで、初期薬液処理（時刻０から時間Ｔ1が経過するまでの間）においてはフッ酸溶液の流量を５１０（ｍＬ／ｍｉｎ）に抑えてフッ酸の使用量を抑制している。一方、初期薬液処理により基板Ｗのシリコン層の少なくとも一部が露出してくるタイミングでフッ酸溶液の流量を１５３０（ｍＬ／ｍｉｎ）に増大させて連続薬液処理中を実行しているため、基板表面Ｗｆの一部にシリコン層が露出して疎水面が形成されたとしてもフッ酸溶液が基板表面Ｗｆ全体をカバレッジしてシリコン酸化膜のエッチング除去を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの製造方法及び装置並びに半導体ウェーハに関し、半導体ウェーハの製造工程の増加を抑えながらエッジ部のロールオフを縮小できるようにする。
【解決手段】ウェーハの表面及び裏面に対してそれぞれエッチング液を噴射してエッチングを行なう枚葉エッチング工程と、次いで、ウェーハの表面に研磨パッドを当ててウェーハの裏面から圧力を加えながら研磨パッドにより表面を鏡面に研磨仕上げする鏡面研磨工程とを備え、鏡面研磨工程前に、ウェーハの裏面のエッジ部をロールオフ加工する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの結晶評価を行なうのに適した技術に関し、半導体ウェーハの製造を簡素化して、製造時間の短縮や製造コストの削減を促進することができるようにし、さらには、評価にかかる時間及びコストを低減することができるようにする。
【解決手段】単結晶インゴットの結晶欠陥を評価するための評価用ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、単結晶インゴットからウェーハをスライスするスライス工程（Ｓ１０）と、スライス工程（Ｓ１０）でスライスされたウェーハを回転させ、回転状態のウェーハの表面にエッチング液を噴射してウェーハの表面をエッチングする枚葉エッチング工程（Ｓ２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの製造方法及び装置並びに半導体ウェーハに関し、枚葉エッチングを利用し、これに使用するエッチング液の反復利用を促進しながら、ウェーハのエッジ部のロールオフの発生を抑制することができるようにする。
【解決手段】ウェーハを回転させながら該ウェーハの表面にエッチング液を噴射してエッチングを行なう枚葉エッチング工程を備え、枚葉エッチング工程には、エッチング開始から所定期間だけウェーハの外周部のエッチング開始後初期における反応を抑制する条件下でウェーハの表面にエッチングを行なう第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後、ウェーハの半径方向に対して予め設定した厚み分布となるようにウェーハの表面にエッチングを行なう第２エッチング工程と、を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハをエッチングする技術に関し、ウェーハの表面形状をより最適に制御することができるようにした、半導体ウェーハのエッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表面にエッチング液を供給してエッチングを行なう半導体ウェーハのエッチング装置１において、エッチング反応をウェーハ表面の位置ごとに操作する反応操作装置２０を備える。該反応操作装置は、該ウェーハに熱を与える熱付与装置２１と、該熱付与装置が該ウェーハに熱を与える位置及び量を設定する熱設定装置とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの主面上に形成した絶縁膜の膜厚分布を均一にする。
【解決手段】半導体ウエハ１の主面上にゲート絶縁膜４を介してゲート電極６を形成し、このゲート電極６を覆うように層間絶縁膜としての絶縁膜１２を形成する。絶縁膜１２には、ゲート電極６に起因して凹凸形状が形成されているため、ＣＭＰ処理で平坦化する。このＣＭＰ処理は、半導体ウエハ１の主面の周辺部１Ａは、主面の中央部１Ｂに比べて、研磨量が大きくなる傾向にある。このため、半導体ウエハ１の主面において、ＣＭＰ処理時の研磨量が少ない領域よりも、研磨量が多い領域で、絶縁膜１２の膜厚が厚くなるように、ウェットエッチングにより絶縁膜１２の膜厚分布を補正してから、絶縁膜１２をＣＭＰ処理して平坦化する。ＣＭＰ処理後の絶縁膜１２の膜厚は周辺部１Ａと中央部１Ｂでほぼ同じになる。 （もっと読む）