【課題】精度の高い非拡散層の厚みに加えて、抵抗率のバラツキの範囲も狭い拡散ウェーハ群の製造方法を提供する。
【解決手段】従来は、１つのインゴット内での抵抗率のバラツキの範囲を把握することが出来ず、インゴット毎に抵抗率バラツキを規定し、非拡散層の厚みのみが規定可能であった。しかし、同一インゴット内であったとしても、抵抗率に対応した非拡散層の厚みを自在に製造可能な方法を提供する。また、異なるインゴットから得られる拡散ウェーハを組合せて、より好ましい抵抗率及び非拡散層の厚みを備える拡散ウェーハ群を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】研削工程（図（ｂ）参照）では、研削装置８０の研削砥石によってウエハＷの裏面が研削される。ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石が磨耗し、研削砥石から破砕された結合剤が、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。その後、ＵＶ照射工程が実行される。ＵＶ照射工程（図（ｃ）参照）では、紫外線ランプ３２からの紫外線がウエハＷの裏面に照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理をウェーハの被処理面に対して均一に、且つ、処理の長時間化を抑制しながら行うことができる。
【解決手段】内部に処理液３を貯留し、処理液３によりウェーハ４の被処理面４ａに対する処理が行われる処理槽２を備える。処理槽２内の処理液３に被処理面４ａが浸漬されるように、被処理面４ａを下向きにしてウェーハ４を保持する保持部５を備える。処理液３を処理槽２内へ供給する供給手段（例えば、循環ポンプ６及び供給配管７）と、回転することによって処理槽２内の処理液３を撹拌する回転部材（例えば、スターラ２１）を備える。供給手段は、ウェーハ４の被処理面４ａに向かう上向きの噴流２０が処理槽２内に形成され、且つ、処理槽２の上端２ａから処理液３がオーバーフローするように、処理液３を処理槽２内へ供給する。回転部材は、噴流２０の経路を避けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面周縁部に形成された上層のみを選択的にエッチング除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬに薬液を供給して難溶性層ＵＬをエッチング除去している間、難溶性層ＵＬの基板端面側にリンス液を供給してカバーリンス部ＣＬを形成し、難溶性層ＵＬのエッチング除去により露出してしまった下地層ＤＬをリンス液で覆っている。このため、下地層ＤＬに流れてくる薬液を薄めるとともに洗い流して露出した下地層ＤＬが薬液によりエッチングされるのを抑制することができる。このように難溶性層ＵＬの基板端面側にカバーリンス部ＣＬを設けて露出した下地層ＤＬを保護した状態でエッチング処理を行っているため、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬのみを選択的にエッチング除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部の被エッチング面を均一にすることにより、パーティクル発生を抑制する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板保持台２５上に、ベベル部２１ａを覆う材料膜２７が形成された基板２１を載置する工程（ａ）と、材料膜２７が形成されたベベル部２１ａに洗浄パッド２２を接触させて、洗浄パッド２２に染み込ませたエッチング液によって材料膜２７を除去する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、洗浄パッド２２に純水を染み込ませることにより、エッチング液を純水に置換すると共に、ベベル部２１ａを水洗する工程（ｃ）とを備える。 （もっと読む）

【目的】メタル配線等の被エッチング層の厚膜化においても、膜残りの現象を回避し得るウェトエッチング装置及び方法並びに半導体装置製造方法を提供する。
【構成】ウエハの中心を通る回転軸廻りにウエハを回転せしめ、該ウエハの上方に各々が配置された複数のノズルから、該ウエハの回転と並行して該ウエハに向けてエッチャント液を噴射する。該複数のノズルの各々は異なるタイプの噴射形状を有する。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】液体中のナノバブルとマイクロバブルを短時間で分離して、ナノバブルを多く含む液体を基板に対して供給して使用することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、液体と気体を混合させて微小気泡を含む液体Ｌを生成する微小気泡生成器３２と、マイクロバブルＭＢとナノバブルＮＢを有する微小気泡を含む液体Ｌを溜める貯蔵部３３と、貯蔵部３３内の微小気泡を含む液体Ｌを加圧した状態で通す液体案内部５０と、液体案内部５０内を通る微小気泡を含む液体に対して電場を付与してマイクロバブルとナノバブルとを分離する電場付与部５１とを有して、分離されたナノバブルＮＢを含む液体Ｌを基板Ｗに供給する微小気泡分離器４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高温の薬液による処理により基板の裏面をエッチングする際に、エッチングの均一性を高くすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板であるウエハＷに形成された膜を高温薬液によるエッチングにより除去する薬液処理装置１は、ウエハＷを裏面を下側にして水平にした状態で回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３を鉛直に延びる中空の回転軸１２を介して回転させる回転機構４と、回転軸１２の中に設けられ下方から上方に向けて高温薬液を吐出してウエハＷ裏面に高温薬液を供給する薬液吐出ノズル５と、薬液吐出ノズル５に薬液を供給する薬液供給機構６とを具備し、薬液吐出ノズル５は、薬液を吐出し、ウエハＷ裏面の中心以外の、互いにウエハＷ裏面の中心からの距離が異なる位置に高温薬液を当てる複数の吐出口１８ａ，１８ｂ，１８ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の流体を正確かつ迅速に目標の特性になるように混合する。
【解決手段】混合前の複数の流体を流すための流路５，７，１１，１３と、混合後の流体を流すための流路１５，１７と、流体を流路で移動させるためのポンプ１９と、混合前の複数の流体の流量をそれぞれ調整するための流量調整部１１ｂ，１３ｂと、混合後の流体の特性を光学的に測定するための測定部１５ａと、測定部１５ａの測定結果に基づいて混合後の流体が目標の特性になるように流量調整部１１ｂ，１３ｂを制御して混合前の流体の流量を調整する制御部２１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を下側にして基板を回転しつつ非回転の部材に形成されたノズルから基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理装置において、ノズルが形成された部材に液滴が残ることを抑制すること。
【解決手段】基板であるウエハを裏面を下側にして水平にした状態で回転させながらウエハ裏面に処理液を供給して液処理を行う液処理装置は、ウエハＷの下方に非回転状態で、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズル２０および乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズル２１を有するノズル部材５が設けられ、処理液吐出ノズル２０は基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口２０ａを有し、ガス吐出ノズル２１は、ウエハＷに向けて乾燥ガスを吐出する第１のガス吐出口２１ａと、ノズル部材５の上面に沿って乾燥ガスを放射状に吐出する複数の第２のガス吐出口２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】一定の条件の下で基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、複数のガード１４〜１７と、各ガード１４〜１７を個別に昇降させる昇降機構４０〜４３と、制御部１０とを備えている。各ガード１４〜１７は、スピンチャック２の周囲を取り囲む筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａと、筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａの上端部全周から内方に延びる環状の延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂとを有している。各延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、他の延設部と内径Ｄ１が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されている。制御部１０は、いずれのガード１４〜１７を基板Ｗの周端面に対向させるときでも、スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの内周部１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃの高さが等しくなるように昇降機構４０〜４３を制御する。 （もっと読む）

【課題】１０〜６０μm／分の範囲のエッチングレートで、エッチング量に対し±５％レベルのユニフォーミティ、荒らさない程度の表面状態となる混酸によるウェットエッチングを実現することでＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法は、Ｓｉウェーハをスピンさせ、スピン中の前記Ｓｉウェーハにノズルから薬液を吐出させることで、砥石による加工処理によって生じるＳｉウェーハのマイクロクラックや欠陥などの加工ダメージを除去し、薬液が、４．４５ｗｔ％から２４．５ｗｔ％の弗化水素と、３１．５ｗｔ％から５４．０９ｗｔ％の硝酸と、５ｗｔ％から１３．６４ｗｔ％の酢酸とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄方法は、遮断板（３０）を回転させながら、遮断板の上方に設けられた洗浄液供給手段（７０）から洗浄液を遮断板に対して吐出させることにより、遮断板から飛散される洗浄液によってチャンバ（５００）内を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのような基板の全面においる液被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理装置１０は、基板Ｗの表面Ｓを処理する物理ツール４０を有する物理ツールユニット２３と、基板Ｗの表面Ｓに液体を供給する液供給ノズル４５と、基板Ｗの表面Ｓにガスを供給するガス供給ノズル４６とを有するノズルユニット２１と、物理ツールユニット２３を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部２３と、ノズルユニット２１を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させるノズルユニット移動機構部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の全面にわたって均一な品質の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を回転可能に保持する回転保持機構と、基板に処理液を吐出する吐出口を有する洗浄液ノズルと、前記洗浄液ノズルを平面視で基板Ｗの略中心と周縁との間で移動する洗浄液ノズル用移動機構と、回転保持機構と洗浄液ノズル用移動機構を制御して、基板を回転させ、かつ、処理液供給部を移動させて、処理液供給部から吐出された処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させる制御部と、を備えている。そして、処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させることで、基板Ｗの全面にわたって均一な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行う。
【解決手段】ウェハ１を保持するウェハ保持部３と、内部に貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽２とを備える。処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給する処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）を備える。処理槽の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されている。ウェハ保持部３は、ウェハ１の被処理面１５を下向きにして保持し、その被処理面１５を処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェハ処理装置及び半導体装置の製造方法に関し、特にウェハを保持する保持部材に溝を設けることにより、処理液の液溜まりを抑制することが可能なウェハ処理装置及び半導体装置の製造方法である。
【解決手段】本発明に係るウェハ処理装置は、回転台６ａ、６ｂと、回転台を回転させる回転軸５と、回転台６ａ上に取り付けられ、ウェハ１０の外縁を保持する固定チャックピン１と、固定チャックピン１に設けられた溝２ａと、回転台６ａ、６ｂの上方に設けられた処理液を吐出するノズル１１と、を具備し、固定チャックピン１におけるウェハ１０の外縁との接触面３は、ウェハ１０の外縁に沿うように形成されており、溝２ａの開口部は接触面３に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短時間で多連バルブ内をリンス液で確実に洗い流し、ひいては、高いスループットでウエハを処理すること。
【解決手段】液処理方法は、薬液供給バルブ１１ａと、リンス液供給バルブ１２ａと、排出バルブ１１ｂを有する多連バルブ１０と、多連バルブ１０を経た薬液Ｃおよびリンス液Ｒを被処理体Ｗに向かって案内する洗浄液供給管５を介して、被処理体に薬液およびリンス液を供給して処理する。液処理方法は、薬液供給バルブ１１ａを開状態にして薬液Ｃを被処理体Ｗに供給する薬液供給工程と、当該薬液供給工程の後に行われ、リンス液供給バルブ１２ａと排出バルブ１２ｂの両方を開状態にして、リンス液供給部から供給されるリンス液Ｒの一部を被処理体Ｗに供給するとともに、該リンス液Ｒの残部を多連バルブ１０内で排出路２ｂに向かって流すバルブリンス工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板をより安定的に支持できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本発明によるスピンヘッドは、支持板と、基板の側面を支持するように前記支持板に設置される複数のチャックピンと、前記支持板の中心から外側に向かう第１方向と垂直な第２方向に沿って前記チャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットを包含することを特徴とする。
このような特徴によると、支持板の回転による遠心力がチャックピンに及ぶ影響を最小化して基板を安定的に支持できるスピンヘッドを提供できる。 （もっと読む）