【課題】密集して配置される金属細線のレイアウトが工夫された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、リード１６と一体で設けられたアイランド１４と、アイランド１４の上面に固着された半導体素子１８と、アイランド１４に一端が接近して他端が外部に露出するリード１６と、半導体素子１８の上面に設けられたボンディングパッドとリード１６とを接続する金属細線２０と、これらの構成要素を被覆して一体的に支持する封止樹脂１２とを概略的に具備する構成となっている。そして、半導体素子１８の上面のボンディングパッド２４は、複数の金属細線２０を経由してリードの接続領域３０と接続され、線長が長い金属細線２０を、他の金属細線よりも半導体素子１８の側辺に対して直角に近い角度で引き出している。 （もっと読む）

【課題】金属細線の垂れ下がりに起因したショートの発生を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態の半導体装置の製造方法は、アイランド１４に半導体素子１８を実装する工程と、半導体素子１８の上面に設けたボンディングパッドとリード１６とを金属細線２０により接続する工程とを具備する。更に、本実施の形態では、金属細線２０を形成する工程に於いて、アイランド１４とリード１６との間で、保持部５０により金属細線２０の中間部を保持している。このことにより、ワイヤボンディングの工程における金属細線２０の垂れ下がりを防止して、金属細線２０と半導体素子１８とのショートを防止できる効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】パワー・トランジスタに流れる電流ルートを明確にすると共に、パワー・トランジスタに流れる電流の最適化を図ることにより、パワー・トランジスタへのダメージ又はストレスを低減し、信頼性に優れた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、パワー・トランジスタ(100A)と、パワー・トランジスタ(100A)の直上に形成され、複数の第１のバス(140〜142)と、複数の第２のバス(150〜152)と、複数の第１のバス(140〜142)及び複数の第２のバス(150〜152)の各々に１つずつ設けられたコンタクト・パッド(304)とを備える。複数の第１のバス(140〜142)と複数の第２のバス(150〜152)は、外部の接続部材(307)に近い側に位置するものから遠くに位置するものへと順に面積が小さくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】パワー・トランジスタに流れる電流ルートを明確にすると共に、パワー・トランジスタに流れる電流の最適化を図ることにより、パワー・トランジスタへのダメージ又はストレスを低減し、信頼性に優れた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、半導体基板上(100)に形成されたパワー・トランジスタ(100A)と、パワー・トランジスタ(100A)の直上に形成され、パワー・トランジスタの第１の電極及び第２の電極として機能する複数の第１の金属パターン及び複数の第２の金属パターンと、複数の第１の金属パターンのうち対応する第１の金属パターンと電気的に接続する複数の第１のバス(130,131)と、複数の第２の金属パターンと電気的に接続する単一の第２のバス(150)と、複数の第１のバス(130,131)及び単一の第２のバス(150)に１つづつ設けられたコンタクト・パッド(304)とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子（ＬＳＩ）のエッジと金属ワイヤの接続、あるいは金属ワイヤ間の接触を回避して半導体素子の誤動作を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】外部電極部および電極パッド部を２段・千鳥状に配置する場合、外部電極部のうち、ＬＳＩ２の搭載領域から遠い外側列の外部電極部４上に突起電極部５を設ける。そして、ＬＳＩ２の電極パッド部３のうち、ＬＳＩ２の周縁に近い外側列の電極パッド部３を、低ループ形状の金属ワイヤ６ａにより、ＬＳＩ２の搭載領域から近い内側列の外部電極部４に接続し、ＬＳＩ２の周縁から遠い内側列の電極パッド部３を、高ループ形状の金属ワイヤ６ｂにより、ＬＳＩ２の搭載領域から遠い外側列の外部電極部４に接続する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに複数の半導体チップをコンパクトに搭載でき、製造コストを削減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電極パッド２２が周囲に設けられた上面２０ａと、その反対側の下面２０ｂとを有し、上面２０ａ側をアイランド部３の下面３ｂに対向させて載置される半導体チップ２０と、複数の電極パッド１２が周囲に設けられた上面１０ａと、その反対側の下面１０ｂとを有し、下面１０ｂ側をアイランド部３の上面３ａに対向させて載置される半導体チップ１０と、各リード５上の一点を起点とし、対応する半導体チップ１０、２０の各パッド１２、２２を終点としてリバースボンディングによりそれぞれ接続される複数のワイヤ３０と、封止樹脂４０と、を備え、ワイヤ３０は、半導体チップ１０、２０の上面１０ａ、２０ａに対してほぼ平行に沿うように、該ワイヤ３０の側面で接触するように接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体集積装置内で発生したノイズを他ブロックへの回り込みを低減し、かつ静電破壊防止効果の両立を実現するための半導体集積装置の製造方法を提供する。
【解決手段】端子に接続されるパッドを分離してパッド間はワイヤーで接続され、他の同一機能端子のパッドと接続する事で、分離によりノイズの回り込み低減と、パッド間接続によって静電破壊防止効果を両立させた半導体集積装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、ボンディング領域の省スペース化が図れるワイヤボンディング構造及びその製造方法、並びにそのワイヤボンディング構造を備えた半導体リレー及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明の半導体リレー２０１は、ＦＥＴチップ１０３ａのソース電極パッドＳ１とＦＥＴチップ１０３ｂのソース電極パッドＳ２とは、３本のＡｕワイヤ２１１ａ〜２１１ｃによりボンディング接続されており、３本のＡｕワイヤ２１１ａ〜２１１ｃのワイヤループ形状は、所謂、Ｍ字状となっており、ワイヤループのほぼ中央で共通リード１０６ｃに導電性接着剤３１１ａ〜３１１ｃにより導電的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ２００の外形の厚さを薄くし、かつエジェクタピン跡２２が存在しても、電流破壊耐量を向上させたり、オン電圧を低減させる態様でボンディングワイヤ４による結線を可能とする。
【解決手段】トランジスタ２００は樹脂パッケージ２０内に半導体チップ１を備える。樹脂パッケージ２０の第１の側面２３には外部ドレイン電極として機能する外部リード４１〜４４が配列される。リードフレーム５は外部リード４１〜４４と面状部５１とを有する。面状部５１は半導体チップ１のドレイン電極が設けられる第１面１ａに接続される。樹脂パッケージ２０の第２の側面２４には外部ソース電極として機能する外部リード４５〜４８が配列される。外部リード４５〜４８はワイヤ４によって、半導体チップ１のソース電極が設けられる第２面１ｂに接続される。樹脂パッケージ２０の上面２１上に残されるエジェクタピン跡２２は、第１の側面２３側に位置する。 （もっと読む）

【課題】複数の金属によりリード端子の接続面を形成せずに、単一のリード端子に異なる材質の複数のリード部材を高い接続強度で接続する。
【解決手段】リード部材(7,8)は、電子部品(5)の第１の電極(15a)とリード端子(3a)の接続面(14)とを接続する金属ストラップ(7)と、電子部品(6)の第２の電極(16a)と金属ストラップ(7)の上面(7a)とを接続する金属細線(8)とを有する。リード端子(3a)の接続面(14)に金属ストラップ(7)を接続し、金属ストラップ(7)の上面(7a)に金属細線(8)を接続するため、リード端子(3a)の接続面(14)を金属ストラップ(7)との接続強度の高い金属により形成するだけで、リード端子(3a)に金属ストラップ(7)及び金属細線(8)を高い接続強度で接続できる。 （もっと読む）

【課題】複数のワイヤループと１本の隣接するワイヤループとの間のクリアランスを広く取りワイヤ間ショートを防止する。
【解決手段】第１，第２のワイヤループ１２，１３が上部から見ると重なる構造に形成して、これにより第１，第２のワイヤループ１２，１３と１本の隣接するワイヤループ１４との間でクリアランスが広く取れ、封止時において樹脂によるワイヤ流れによって生じるワイヤ間ショートを防止することができる。さらに、パッド１０においてボンディング部分を重ねることでパッド１０のサイズを変えることなく、また、１つのパッド１０と１つのリード端子１１に第１，第２のワイヤループ１２，１３をボンディングすることで、半導体素子８の縮小を可能とする。 （もっと読む）

【課題】小型で、複数の素子を高精度に実装可能で、複数の素子間の特性がほぼ均一で、配線の引き回しが容易な、電子部品を提供する。
【解決手段】基板上に成膜された半導体薄膜の結晶が異方性の場合、もしくは、入力抵抗と出力抵抗が異なる場合など、ホールセンサの一方の端子対方向と他方の端子対方向の特性が異なる場合は、第１のホールセンサ５７と第２のホールセンサ５８を時計回りに４５度回転しリードフレームのダイパッド５２に搭載し、ワイヤーボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】 複数の増幅手段が形成された半導体チップ５を配線基板１の一主面側に搭載し、半導体チップの電極と配線基板の電極とをワイヤで電気的に接続する半導体装置であって、基準電位に電位固定されるワイヤ７Ｃが接続された基板側ボンディング用電極２Ｃは、出力用ワイヤ７Ｂが接続された基板側出力用電極２Ｂよりも前記半導体チップ５の一辺５Ｘから遠く離れた位置に配置されている。入力用ワイヤ７Ａが接続された基板側入力用電極２Ａは、前記半導体チップ５の一辺５Ｘからの距離が前記基板側出力用電極２Ｂとほぼ同一となる位置、又は前記基板側ボンディング用電極２Ｃよりも前記半導体チップ５の一辺５Ｘから遠く離れた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 パワーデバイスなどに好適に用いられるワイヤボンディング方法において、リボンを用いたボンディングと同等以上の電流容量および生産性を有し、所望の接合強度および安定したボンダビリティを実現し、さらに生産コストを低減することができるワイヤボンディング方法、およびこれを実施する装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 １本のボンディングツールを使用して半導体デバイス上の２つの電極を接続するワイヤボンディング方法であって、第１の電極４の上面に複数のワイヤ６を同時に超音波ボンディングする過程と、ボンディングツール７が第２の電極５の上面へ移動しながら複数のワイヤにループを形成する過程と、第２の電極５の上面に、ループを形成した複数のワイヤ６を同時に超音波ボンディングする過程とを有するワイヤボンディング方法、およびこれを実施するワイヤボンディング装置を提供する。 （もっと読む）

デバイスパッケージは、細長い長さの少なくとも１つの電極を有する、少なくとも１つの半導体デバイスを含んでいる。デバイスパッケージはまた、電極の細長い長さに平行に延びる、少なくとも１つの導電性パッドも含んでいる。端子リードは、導電性パッドと一体であるのがよい。複数の大体同じ長さのワイヤボンドにより、導電性パッドおよび半導体デバイスの細長い電極に電気的に接続するのがよい。別の案として、第２半導体デバイスを、導電性パッドに取り付け、複数のワイヤボンドを、この第２デバイスおよび第１半導体デバイスの細長い電極に電気的に接続するのがよい。 （もっと読む）

【課題】実装時等における熱衝撃や温度サイクル等によって、アイランドにワイヤボンディングされたワイヤが断線してしまうことを確実に防止し、さらに、製造工程時間の大幅な増大を起こすことを防止し得る半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップ６がアイランド８の表面にダイボンディングされ、半導体チップ６の表面に形成された電極５に第１ワイヤ２ａ，２ｂの一端がワイヤボンディングされて第１ボンディング部が形成されるとともに、第１ワイヤ２ａの他端がアイランド８にワイヤボンディングされて第２ボンディング部が形成されており、且つ、樹脂封止された半導体装置であって、アイランド８上にワイヤボンディングされた第１ワイヤ２ａの第２ボンディング部上には、第２ワイヤがワイヤボンディングされることにより形成されたダブルボンディング部２５が設けられていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ細線の共振現象による折損を抑え、信頼性の高い弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子の素子電極パッドと基板の接続用導体パターンの接続において、複数のワイヤ細線を介して接続を行う。また、複数のワイヤ細線は、互いに長さ、線径、材質を異ならせることで、機械的な固有振動数を相違させる。 （もっと読む）

【課題】単位ワイヤ当たりの電流密度を小さくして、主電流ワイヤのボンド部の温度上昇を低減化することにより、スイッチング動作時に於ける熱サイクル疲労に対する寿命の向上化を図る。
【解決手段】主電流ワイヤ用ボンド部２２ａを有する主電流ワイヤ１０のワイヤ群とは別に、電力用トランジスタ１のエミッタ電極１３上と電力用ダイオード２のアノード電極１４上とに、シングルボンド部２１ａ，２１ｂを有するボンディングワイヤ１７ａが、形成されている。加えて、電力用ダイオード２のアノード電極１４の他端側上（エミッタ電極１３とは反対側の端近傍の電極表面上）と第２主端子６の一端側寄り部分上とにシングルボンド部２１ｃ，２１ｄを有するボンディングワイヤ１７ｂが、形成されている。 （もっと読む）

【課題】 チップの小型化に関わらず、ＥＳＤ保護回路の容量を大きく維持したまま、Ｉ／Ｏ回路と信号伝送路との間のインピーダンス整合を高精度で維持し、チップに接続可能な信号線数を十分に多く確保する半導体装置、を提供する。
【解決手段】 第一と第二とのボンディングパッド(3、4)はチップ(2)上に、その周に沿って密に形成される。第一のボンディングパッド(3)はチップ(2)の周辺部に形成され、第二のボンディングパッド(4)はその周辺部より内側に形成される。第一のボンディングパッド(3)にはＥＳＤ保護回路(7)が接続され、第二のボンディングパッド(4)にはＩ／Ｏ回路(8)が接続される。第一と第二とのボンディングワイヤ(5、6)は第一と第二とのボンディングパッド(3、4)を同じパッケージピン(1)に接続する。第二のボンディングワイヤ(6)は、第一のボンディングパッド(3)のピッチに関わらず、第一のボンディングワイヤ(5)より十分に長く設定される。 （もっと読む）

【課題】 二接続部間を複数のワイヤで接続する際各ワイヤの長さを同じ長さにする。
【解決手段】 ワイヤ接続部を含む配線及び外部電極端子を有するモジュール基板と、前記基板の上面側に固定され上面に電極を有する半導体チップと、半導体チップの電極とワイヤ接続部を接続する導電性のワイヤとを有し、半導体チップの所定の電極及び所定のワイヤ接続部は並列に配置されかつ長い形状となり、所定の電極及びワイヤ接続部は複数本の同じ長さのワイヤで接続され、所定の電極及び所定のワイヤ接続部のうちのいずれか一方の短辺の幅は、半導体チップの固定位置ずれによっても各ワイヤが接続できるようにワイヤを接続するに必要なワイヤ接続面積の数倍の大きさに相当する長さになっている。 （もっと読む）