【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜４上にポリシリコン５を配置し、このポリシリコン５にｐｎダイオード９を形成し、ｎカソード層６上に層間絶縁膜１０を挟んで第１ボンディングパッド１１を配置する。また、ｐアノード層７上に第２ボンディングパッド１２を配設することで、層間絶縁膜１０に導入されるダメージが層間絶縁膜１０を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置（パワーＩＣなど）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドＢＰ１を長方形状とし、ボンディングパッドＢＰ１のワイヤボンディング領域ＢＰ１ｗでの保護膜５の重なり幅を、ボンディングパッドＢＰ１のプローブ領域ＢＰ１ｐでの保護膜５の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドＢＰ１上の保護膜５に開口部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの小型化を維持して半導体装置の組み立てのワイヤボンディング性を向上させる。
【解決手段】プローブピンを接触させるプローブ接触面６ｄとワイヤ５を接続するワイヤ接続面６ｅとが形成され、さらにプローブ接触面６ｄは主面６ａに対して傾斜した面であり、かつワイヤ接続面６ｅはプローブ接触面６ｄと異なった角度の面である電極パッド６ｃを備えたメモリチップ６と、メモリチップ６が搭載されたタブ２ｃと、複数のインナリード２ａ及びアウタリード２ｂと、メモリチップ６の電極パッド６ｃのワイヤ接続面６ｅとインナリード２ａとを接続する複数のワイヤ５とを有している。 （もっと読む）

【課題】兼用パッドのサイズを専用パッドよりも大きくするとともに、半導体装置のサイズ増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の方向に延伸された第１のエッジＥ１と、第１の方向と実質的に直交する第２の方向に延伸された第２のエッジＥ２とを含む半導体チップ１０と、半導体チップ上に形成され、互いに第２の方向に沿った長さが実質的に等しい複数の第１グループパッドＧＰ１と、半導体チップ上に形成され、第２の方向に沿った長さが、複数の第１グループパッドの第２の方向に沿った長さよりも長い、第２グループパッドＧＰ２と、を備える。複数の第１グループパッドと第２グループパッドとは、第２グループパッドと第２のエッジとの間に複数の第１グループパッドのいずれをも含まずに、第１の方向に沿って一列に並んで配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程の増大を抑制しつつ、パッドの針跡を容易に確認できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された回路素子と、半導体基板１上に形成され、回路素子と電気的に接続されたパッド（接続パッド４）と、を有している。パッドは、平面視において、導体が存在する実体パターン４１と、前記導体が存在しない開口パターン４２と、を含む所定のパターン形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングの不良品を確実かつ簡便に選別する。
【解決手段】ボンディングパッド１０１を備えた半導体素子１０２が搭載され、入出力用端子１０３及び電源用端子１０４が形成された半導体基板１０５と、半導体基板１０５、入出力用端子１０３及び電源用端子１０４を覆う封止樹脂１１１と、半導体基板１０５のうち、平面視で半導体素子１０２と重ならない領域に形成され、封止樹脂１１１で覆われていない第一、第二のテスト用電極とを有し、ボンディングパッド１０１と入出力用端子１０３とがボンディングワイヤー１０６ａを介して接続されており、ボンディングパッド１０１と電源用端子１０４とがボンディングワイヤー１０６ｂを介して接続されており、半導体素子１０２、入出力用端子１０３及び電源用端子１０４から独立して、第一のテスト用電極と第二のテスト用電極とが電気的に接続されている、半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェハテスト時に生じたプローブ痕を有する電極パッドに対してワイヤボンディングの接合が十分な強度で接合されたボンディングワイヤを備えた半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極パッド１を有する半導体チップと、一端に形成された圧着ボール３が電極パッド１に接合されたボンディングワイヤ１０と、ボンディングワイヤ１０の他端が接続された配線とを備える。ウェハテストにより電極パッド１に形成されたプローブ痕２の凹部底面２ｃに圧着ボール３が接合され、凹部底面２ｃと圧着ボール３との接合領域４の大きさが凹部底面２ｃの大きさと等しい、または小さい。 （もっと読む）

【課題】少ない工程でパッド電極に段差を設けた半導体素子を製造することができる半導体素子の製造方法及び半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１２上に中間絶縁膜１４、下層メタル配線１６、層間絶縁膜１８を形成し、層間絶縁膜１８上にパッド電極２０を形成し、パッド電極２０上に最終保護膜２２を形成し、最終保護膜２２上に、パッド電極２０の一部に対応した第１領域に開口部を備えるレジスト２２を形成し、最終保護膜２２をエッチングすると共に、パッド電極２０の一部の第１領域を予め定めた深さまでエッチングすることにより凹部２０Ａを形成し、パッド電極２０の第１領域を囲う第２領域上の最終保護膜２２をエッチングし、レジスト２２を除去することにより、半導体素子１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングに用いるパッド全体のレイアウトで必要な面積の増大を抑制できる半導体チップ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップに、ボンディング用のパッドであるボンディングパッドとテスト用のパッドであるプローブパッドとを含む複数のパッド形成部を備える。パッド形成部はボンディングパッドとプローブパッドの配列方向と直交する方向に２列で配置される。ボンディングパッドとプローブパッドとは、パッド形成部の列方向において、互いの位置が順次入れ替わるように配置される。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤが接続されたボンディングパッドを一面に有する半導体基板において、ワイヤの接続によるボンディングパッド下部のクラックの発生を適切に検出できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の内部にてボンディングパッド１０の下部には、当該半導体基板１の特性を検査するための検査用配線４０が設けられており、検査用配線４０は、ボンディングパッド１０のうちボンディングワイヤ７０の端部が位置する部位の直下に配置されている。 （もっと読む）

【課題】パッドピッチに対応させてプローブ針の間隔を狭くすることができるようにする。
【解決手段】この半導体装置は、絶縁膜１１０上に形成されたパッド１２０と、パッド１２０に形成された凹部１２１と、凹部１２１内に形成された金属層１２２とを備える。パッド１２０は接続領域１２６及びプローブ領域１２４を備えている。接続領域１２６にはボンディングワイヤやバンプなどの接続部材が接続される。プローブ領域１２４は、半導体検査装置のプローブ針が接する領域である。そして金属層１２２はプローブ領域１２４に設けられている。パッド１２０は矩形であり、プローブ領域１２４は、パッド１２０のうち半導体装置の内側を向いている辺を含むように形成されている。金属層１２２は、パッド１２０よりもイオン化傾向の小さい金属により形成されている。 （もっと読む）

【課題】接続用パッドへの試験用プローブによる接続パッドと接続電極との間の接合強度の低下を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層１１上に形成された第１のメタル配線層１２と、このメタル配線層の上に形成される第２のメタル配線層１４とを備え、試験用プローブとの接触及び接続電極との接続に使用される接続パッド部を構成する。第２のメタル配線層は、第１のメタル配線層の上面の一部を露出させるための溝を形成するようにパターニングされている。溝の幅は、試験用プローブが第２のメタル配線層の上面に押し当てられた時、その試験用プローブが第１のメタル配線層に接触することを阻止するように設定する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンド接続の信頼性を低下させることなくダイをプローブ検査でき、小さいボンドパッドおよびボンドパッド間の微細なピッチ間隔でダイについての確実なプローブ検査が行える技術の提供。
【解決手段】ボンドパッド３６が、実質的に重なりのないプローブ３７領域およびワイヤボンド３８領域を有する。ボンドパッド３６は最終金属層パッド１６に接続されている。ボンドパッド３６はアルミニウム製であり、最終金属層パッド１６は銅製である。プローブ３７領域をワイヤボンド３８領域から分離することで、最終金属層パッド１６がプローブ検査によって損傷を受けることが防止され、より信頼性の高いワイヤボンドが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プロービングによってＰＡＤの表面が削られても、ＰＡＤとボンディングワイヤとの密着性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板を覆う絶縁膜と、絶縁膜の上に形成されたボンディングワイヤが接続する電極パッド１０とを具備する。電極パッド１０は、表面から絶縁膜２０まで貫通する複数のスリット１３を備える。複数のスリット１３は、表面の中心の外側に位置する接触開始領域１１と、表面の中心を含んで位置する検査領域１２とに含まれる。接触開始領域１１に含まれる複数のスリット１３の開口部の面積は、検査領域１２に含まれる複数のスリット１３の開口部の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの損傷を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１の上方に形成された電極パッド３０とを有し、電極パッド３０は、第１の融点温度を有する材料からなる第１の層３２と、第１の層３２上に位置するとともに外に向けて表出し、第１の融点温度よりも高い第２の融点温度を有する材料からなる第２の層３３とを含むことを特徴とする。これにより、外部から電極パッド３０への圧力により第１の層３２に達する傷ができても、必要に応じて第１の融点以上の温度で加熱することにより電極パッド表面の平坦性を修復することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体チップの主面に形成された、ボンディングパッドＢＰ１を長方形状とし、ボンディングパッドＢＰ１のワイヤボンディング領域ＢＰ１ｗでの保護膜５の重なり幅を、ボンディングパッドＢＰ１のプローブ領域ＢＰ１ｐでの保護膜５の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドＢＰ１上の保護膜５に開口部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】現在のＬＳＩ、すなわち、半導体集積回路装置の製造工程においては、デバイスの組み立て（たとえばレジン封止）後に、高温（たとえば摂氏８５から１３０度程度）・高湿（たとえば湿度８０％程度）の環境下での電圧印加試験（すなわち、高温・高湿試験）が広く行われている。これに関して、高温・高湿試験中に、正電圧が印加されるアルミニウム系ボンディング・パッドの上面端部において、封止レジン等を通して侵入した水分に起因する電気化学反応により、反射防止膜である窒化チタン膜が酸化されて膨張し、上部膜との剥がれや、膜クラックが発生することが、本願発明者等によって明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、アルミニウム系ボンディング・パッドの周辺部において、パッド上の窒化チタン膜をリング・スリット状に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子のサイズを大きくすることなく、プロービング試験の際にボンディング領域に針跡が到達していないかどうかを容易に確認することができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板上に設けられた第１の金属層２６と、前記第１の金属層２６上に設けられた絶縁層３０と、前記絶縁層３０上に設けられ、外部に露出した電極パッド面３３ａ、３３ｂを有する第２の金属層３３と、を含み、前記第２の金属層３３及び前記絶縁層３０に、凹部３１が形成されており、前記絶縁層３０の前記凹部３１内に、前記第２の金属層３３が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極パッドにプローブ針の針立てを行ってもワイヤボンディングについての接合信頼性を向上させつつ、パッド面積増加を抑制できるようにする。
【解決手段】 並設された複数の電極パッド２１と、前記電極パッド２１へのワイヤボンディングのため当該電極パッド２１上に形成される円状のボンディングバンプ領域２２と、前記電極パッド２１に対するプローブ針接触検査のため当該電極パッド２１上に形成される楕円状または長円状のプローブ接触領域２３とを備える半導体装置において、パッド並設方向と交差する方向における前記電極パッド２１の外形構成辺の一部若しくは全部と前記プローブ接触領域２３の長軸方向との少なくとも一方を、当該パッド並設方向と直交する方向に対して傾斜角を有して配する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路におけるパッドの配置の自由度を増加させること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体集積回路は、半導体チップ１００に形成されたＩ／Ｏバッファ１０２と、単層パッド１０３と、多層パッド１０４とを備える。単層パッド１０３は、Ｉ／Ｏバッファ１０２上に形成されている。多層パッド１０４は、Ｉ／Ｏバッファ１０２上に形成され、単層パッド１０３と分離して設けられている。単層パッド１０３はボンディング専用のパッドであり、多層パッド１０４はプロービングとボンディングが行われるパッドである。 （もっと読む）