【課題】半導体素子のためのボンディングワイヤおよび銀（Ａｇ）が主成分として使用される、該ボンディングワイヤを用いるＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】半導体素子のためのボンディングワイヤ５０は、５ｐｐｍ〜１０ｗｔ％にて亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、およびニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択される少なくとも１つを含み、残りが銀（Ａｇ）および他の不可避の不純物を含む。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化、細線化、長ワイヤ化において高強度で、高曲げ剛性であること、高いボール部接合性およびウェッジ接合性を有すること、工業的な量産性、高速ボンディング使用性にも優れていること、などを兼備する半導体素子用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】導電性の金属からなる外周部２と、前記金属を主成分とする合金からなる芯線１と、さらにその芯線１と外周部２の間に拡散層３を有し、前記拡散層３が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。また、導電性を有する第１の金属または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線１と、前記芯線１の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属または該第２の金属を主成分とする合金からなる外周部２、さらにその芯線１と外周部２の間に、拡散層３を有し、前記拡散層３が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】高温信頼性の高いＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａへの接合性が高く、かつ脆弱なチップに対するダメージも少なく安価なボンディングワイヤＷとする。
【解決手段】半導体素子のＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａと回路配線基板の導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径１０〜５０μｍのボンディング用ワイヤであって、Ｃａ、Ｃｕ、Ｇｄ、Ｓｍから選ばれる２種以上の元素を１０〜３００重量ｐｐｍ含み、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素を０．７〜３．０重量％含んで、それ以外がＡｇ及び不可避不純物からなる。Ａｇを主体としたので、金ボンディングワイヤに比べれば、安価なものとし得て、かつ、適度な強度のワイヤとなって良好なＦＡＢ及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａとの良好な接合性を得る。Ｃａを含み、ＧｄとＳｍの少なくとも一方を含んでその合計が１０重量ｐｐｍ以上とすると、ワイヤ強度が向上する。 （もっと読む）

【課題】集積回路用のボンドワイヤを提示する。
【解決手段】集積回路内で使用する複合ボンドワイヤ１１０を生産するため、導電材料を溶解し、１００ミクロン未満の粒度の粒子材料と混合して混合物を生成する。この混合物を用いて複合ボンドワイヤ１１０を作製する。内部コア、及びこの内部コアより高い導電率を有する外層を有する複合ワイヤも提供される。この外層は、交流信号を搬送するための動作周波数における表皮深度よりも厚く設計する。 （もっと読む）

【課題】高温半導体素子用銀クラッド銅リボンにおけるパッド電極界面との接合信頼性の向上、クラッド界面のクラッド層剥がれの抑制。
【解決手段】高純度の銀クラッド層と高純度の銅芯材テープからなる銀クラッド銅リボンにおいて、クラッド加工後に４５０〜７５０℃で熱処理してクラッド層の加工組織を解消しておくことにより、ボンディング時にパッド界面に形成されるクラッド層の高歪の微細な結晶組織からなる加工組織の発達を抑制して、クラッド層の他の領域との硬さの差を小さくしてクラック発生を防止すると共に高温使用環境下で微細な粒状結晶組織を形成して、パッド層からのＡｌなどの拡散を抑制し、パッド界面及びクラッド界面の金属間化合物の生成を抑制し、接合強度と信頼性向上する。 （もっと読む）

【課題】回路規模の大きな半導体チップを用いる場合においても、チップ中央部に安定して電源電圧を供給できる半導体装置を低コストに実現する。
【解決手段】半導体装置２５は、半導体チップ４と、半導体チップ４の主面の周縁部上に形成された外部パッド７と、主面上であって、外部パッド７よりも内側に形成された複数の内部パッド８及び９と、主面上を覆い、外部パッド７上及び複数の内部パッド８及び９上に開口を有する保護膜６と、内部パッド同士を電気的に接続する第１の金属細線１６とを備える。複数の内部パッド８及び９は、外部パッド７よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】振動・衝撃に強く、高強度化されたワイヤボンディング構造を提供する。
【解決手段】鋼芯線の周囲を溶融Ａｌめっき層で被覆した、外径０.０８〜０.６ｍｍ、長手方向に垂直な断面に占める鋼芯線の面積率が１５〜９８％であるＡｌめっき鋼線５によって、電子回路基板１上の導電体４表面同士を接続してなるワイヤボンディング構造。前記導電体表面は、例えばＡｌ、Ａｌ合金またはＮｉである。Ａｌめっき鋼線と導電体表面は例えば超音波接合されている。溶融Ａｌめっき層は、Ｓｉ：０〜１２質量％、残部Ａｌおよび不純物からなるものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】伸線時の被覆層の亀裂（キズ）を防止し、電気抵抗値を高めたボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】芯材１は、９９．９９質量％以上の銅にＰを５〜２５０ｐｐｍ添加したものとし、その芯材１にＣｕ：１〜５０ｍａｓｓ％含有したＰｔ又はＰｄの被覆層２を被覆する。このワイヤＷは、Ｐの添加によって電気抵抗値が高くなり、スパークが低電流・短時間で安定したＦＡＢを形成できる。被覆層２にＣｕを含んでいると、熱処理時、芯材と被覆層２の界面における反応は、純金属からなる被覆層２と銅芯材１との間の反応に比べて拡散反応が緩やかとなって熱処理温度を上げても十分な密着性を得る。密着性が高まれば、その伸線時の被覆層２の損傷も無くなって、亀裂も生じにくい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の基本性能に加えて、熱サイクル試験での不良低減を図った銅を主体とする半導体装置用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】銅を主成分とする芯材と、前記芯材の上に設けられた、前記芯材と、Pdと銅を含有する外層とを有するボンディングワイヤであって、前記外層は50mol%以上のPdを含む部位であり、前記外層の厚さが0.021〜0.12μｍであることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】それぞれのトランジスタに流れる電流の比率が所定の比率からずれることを防止することが可能なカレントミラー回路を含む半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】この半導体装置（１０）は、カレントミラー回路（１１，１２）を含む半導体素子（３０）と、前記カレントミラー回路（１１，１２）に形成された寄生抵抗（Ｒａ，Ｒｂ）と、ボンディングワイヤ（４０ａ〜４０ｄ）を含む導電体により前記カレントミラー回路（１１，１２）の一部と電気的に接続され、半導体装置（１０）の外部と信号の入出力を行う接続端子（２０ａ，２０ｂ）と、を有し、前記ボンディングワイヤ（４０ａ〜４０ｄ）の抵抗値（Ｒｃ〜Ｒｆ）は、前記寄生抵抗（Ｒａ，Ｒｂ）に起因する前記カレントミラー回路（１１，１２）の出力電流（Ｉｏ）のずれを補正する値に調整されていることを要件とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電力用半導体素子が短絡故障して過電流が流れたときに、過電流を確実に遮断することができる過電流遮断機能を備えた樹脂封止型パワーモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と外部端子とを電気的に接続する接続手段と、前記半導体素子および前記接続手段を封止するように成形された、開口部を有する封止樹脂部とを備え、前記接続手段の一部が前記開口部において前記封止樹脂部から露出していることを特徴とする。 （もっと読む）

集積回路用のボンドワイヤを種々の方法を用いて実現する。こうした方法の１つを用いて、集積回路内で使用する複合ボンドワイヤを生産する。導電材料を溶解し、１００ミクロン未満の粒度の粒子材料と混合して混合物を生成する。この混合物を用いて複合ボンドワイヤを作製する。内部コア、及びこの内部コアより高い導電率を有する外層を有する複合ワイヤも提供される。この外層は、交流信号を搬送するための動作周波数における表皮深度よりも厚く設計する。
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【課題】複数の金属によりリード端子の接続面を形成せずに、単一のリード端子に異なる材質の複数のリード部材を高い接続強度で接続する。
【解決手段】リード部材(7,8)は、電子部品(5)の第１の電極(15a)とリード端子(3a)の接続面(14)とを接続する金属ストラップ(7)と、電子部品(6)の第２の電極(16a)と金属ストラップ(7)の上面(7a)とを接続する金属細線(8)とを有する。リード端子(3a)の接続面(14)に金属ストラップ(7)を接続し、金属ストラップ(7)の上面(7a)に金属細線(8)を接続するため、リード端子(3a)の接続面(14)を金属ストラップ(7)との接続強度の高い金属により形成するだけで、リード端子(3a)に金属ストラップ(7)及び金属細線(8)を高い接続強度で接続できる。 （もっと読む）

【課題】金極細ボンディングワイヤのリーニング良否を結線前に判定し、品質管理する。
【解決手段】 結線前のボンディングワイヤの全周を微細に分割し、その分割された円周部分の線径を測定し、その線径値を用いて円周部分の各分割された軸方向で積分してワイヤ断面の当該方向におけるそれぞれの断面N次モーメントを求め、その求められた断面N次モーメントの最大値と最小値とを比較してその大小によって選別する。
Ｎ次モーメントとして二次モーメントにより測定した断面二次モーメントの差、又は比（％）の小さいＡ〜Ｄは、線径測定値の差が大きい多角形状のものであってもリーニング不良を発生しない。断面二次モーメント比（％）を１％以下として、リーニング不良を生じる、楕円を含む異形断面のワイヤを選別・管理することが出来、またダイヤモンドダイスの磨耗度管理に有効である。 （もっと読む）

本発明のデバイスは、裸の銅リードフレームに取り付けられ、金属材料でコーティングされている金属ワイヤでリードと電気的に接合せしめられている半導体ダイを含む。当該デバイスは、リードフレームが他の金属でコーティングされているデバイスと同様に機能するが、リードフレームをメッキする代わりにワイヤをメッキするのでコストが低い。当該ワイヤは金またはアルミニウムであり得る。当該ワイヤが金である場合、コーティングは銀または他の適当な金属材料であり得る。当該ワイヤがアルミニウムである場合、コーティングはニッケル、パラジウムまたはその他の適当な材料であり得る。
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【課題】 ワイヤ同士の電気的ショートやバンプ電極の引き剥がしを防ぎ、安定して製造することができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】 パッドを有するチップと、パッド上に形成されたバンプ電極と、バンプ電極上にステッチボンドされたワイヤとを備え、ワイヤは、（弾性率／単位面積当たりの破断強度）≧400の条件を満たす。また、チップ、バンプ電極及びワイヤを封止する封止樹脂を更に備え、封止樹脂は、スパイラルフローが110cm以上で、かつ粘度が10Pa・Ｓ未満であることが好ましい。 （もっと読む）

集積回路配置の電気的に接続を、カーボンナノチューブにより容易にする。様々な実施例により、カーボンナノチューブ材料（１２０、１３５）は、金属のような他の材料（１３０、１２５）と関連する。カーボンナノチューブ材料は、異なる回路素子間の電気的に接続を容易にする。
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