【課題】シリコンよりなるシリコン部品の一面側に設けられたワイヤボンディング用のパッドに、ウェッジボンディングによりワイヤを接続するワイヤボンディング方法において、パッドの下地であるシリコンよりなる基部を傷つけることなく、接合後のワイヤに対して確実にワイヤカットを行えるようにする。
【解決手段】ワイヤカット工程では、ワイヤ３０を加熱して溶融させるプラズマ照射手段２００を用い、ワイヤ３０における外れ部３０ｂがシリコンよりなる基部２１の一面２１ａから浮いた状態となるように、外れ部３０ｂをワイヤ３０における接合部３０ａよりも上方に引っ張り上げつつ、プラズマ照射手段２００のトーチ２１０によって、基部２１の一面２１ａと平行な方向Ｙから外れ部３０ｂにプラズマを照射して加熱を続けながら、外れ部３０ｂを溶融させて接合部３０ａから引きちぎるようにした。 （もっと読む）

【課題】ダウンホールモジュールで使用する接続信頼性の良好な電子アセンブリを提供する。
【解決手段】電子アセンブリ２００は、多層セラミックアセンブリと、多層セラミックアセンブリ上に配置される電子部品２４０とを有し、多層セラミックアセンブリは、セラミック基板２２０と、セラミック基板２２０上に配置されるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に配置される０．５ミクロン未満の厚さを有する金めっき層と、を含み、電子部品２４０と金めっき層とは、アルミニウムワイヤでワイヤボンドされる。 （もっと読む）

【課題】高温環境に対して使用可能でＧｄ元素を添加したアルミニウムワイヤを有する低コストのパワー半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムに微量のＧｄ元素を添加したボンディングワイヤ（ワイヤ１０）を用い、ボンディング接合部１０ａを２００℃〜４００℃の熱時効処理と、その後に冷却速度が１℃／ｍｉｎ以下の徐冷を行なうことにより、２００℃以上の高温環境に耐え、Ｇｄ添加のアルミニウムワイヤ（ワイヤ１０）を有する低コストのパワー半導体装置およびその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】超音波振動を利用したワイヤーボンディングの際に、ｐ型オーミック電極がｐ型不純物拡散領域の面上から剥離することを防止する。
【解決手段】パッド電極７にボンディングワイヤー８を接合する際に、ボンディングツール１００を用いて、ボンディングワイヤー８をパッド電極７に接触させた状態で、ボンディングワイヤー８に荷重を加えながら、ｐ型オーミック電極５の長手方向に沿って超音波振動を印加する。 （もっと読む）

【課題】被接続部材との接続部におけるクラックの発生および進展を抑止する。
【解決手段】半導体装置１０は、少なくともマグネシウムおよびシリコンを含有し、且つマグネシウムおよびシリコンの含有量の合計が０．０３ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下であるアルミニウム合金からなるボンディングワイヤ１７と、このボンディングワイヤ１７が接続されるシリコンチップ１６と、の接続部構造１５を備える。シリコンチップ１６の表面には、アルミニウム−シリコンフィルム１６ａが形成されている。接続部構造１５は、ボンディングワイヤ１７を構成するマトリクス層１７ａ内と、このマトリクス層１７ａおよびアルミニウム−シリコンフィルム１６ａの間に形成されるアルミニウム合金の微細粒層１７ｂ内と、マトリクス層１７ａおよび微細粒層１７ｂの界面とに、マグネシウムおよびシリコンを含む化合物１８を備えている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングの接合強度と接合信頼性を確保し、ボンディング工程の合理化と低コスト化とを実現可能としたワイヤボンディング構造及び電子装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極２１と第２の電極１１との少なくとも一方の電極１１におけるボンディング領域が、第１のアルミワイヤ３を超音波接合して形成されたボンディング用の台座１４と、台座１４上に第２のアルミワイヤ２を超音波接合して形成されたボンド部２ｂとにより構成されている。第２のアルミワイヤ２は、第１のアルミワイヤ３よりも細い線材からなる。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜上に設けた電極パッドに導体バンプなしにＡlワイヤを確実に接合でき、ポリイミド膜からの電極パッドの剥離や電極パッドとＡlワイヤとの接合不良を防止できるパワーデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に設けられた半導体素子(２,３,６)と、絶縁基板１上に形成され、半導体素子(２,３,６)を覆う軟質ポリイミド膜１１と、軟質ポリイミド膜１１上に形成された電極パッド９と、電極パッド９にワイヤボンディングにより一端が接合されたＡlワイヤ１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産性を向上させる。
【解決手段】複数の第１電極１１、第２電極１２が設けられたプリント基板１０と、プリント基板１０上に搭載され、上面の外周に沿った第１列Ｌ１をなす複数の第１接続パッド２１及び第１列Ｌ１と平行かつ第１列Ｌ１よりも内側に離間した第２列Ｌ２をなす複数の第２接続パッド２２が設けられた半導体チップ２０と、第１電極１１、第２電極１２と第１接続パッド２１、第２接続パッド２２とを接続する第１ボンディングワイヤ３１、第２ボンディングワイヤ３２とを備え、半導体チップ２０の電源電圧端子、システムリセット端子は、第１接続パッド２１のいずれかが用いられ、複数の第２接続パッド２２と接続される第２ボンディングワイヤ３２は、複数の第１接続パッド２１と接続される第１ボンディングワイヤ３１よりも上方に設けられている。 （もっと読む）

【課題】最高到達温度が高く、温度変化量が大きくなっても、信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】帯状の第１の金属板６_ＭＣの一端６_Ｅ１側から所定長さの領域に第２の金属板６_ＭＢが張り合わされた帯状材６_Ｂを、第２の金属板６_ＭＢが張り合わされた領域６_ＦＢよりも他端６_Ｅ２側の部分を折り曲げて第１の金属板６_ＭＣが第２の金属板６_ＭＢの外側に位置するＵ字形状となし、Ｕ字形状の外側となった面において、一端６_Ｅ１側に半導体素子３との接合面６_ｔ１が、他端６_Ｅ２側に配線部材４との接合面６_ｔ２が設けられ、第１の金属板６_ＭＣの線膨張係数は、半導体素子３の線膨張係数よりも配線部材４の線膨張係数に近く、第２の金属板６_ＭＢが張り合わされた領域６_ＦＢにおける帯状材６_Ｂの線膨張係数は、配線部材４の線膨張係数よりも半導体素子３の線膨張係数に近い、ように構成した。 （もっと読む）

【課題】 半導体モジュールなどの小型化を図ることが可能なワイヤボンディング構造、ボンディングツールおよびワイヤボンディング方法を提供すること。
【解決手段】 電極パッド８１に接合されたファーストボンディング部６Ａ、およびパッド部７１Ｂに接合されたセカンドボンディング部６Ｂ、を有するワイヤ６を備える、ワイヤボンディング構造Ｂであって、ファーストボンディング部６Ａは、セカンドボンディング部６Ｂに対して近い側に位置する前方接合部６１、セカンドボンディング部６Ｂに対して遠い側に位置する後方接合部６３、およびこれらの前方接合部６１および後方接合部６３に挟まれており、かつ電極パッド８１に対する接合の度合いが、上記前方接合部６１および後方接合部６３のいずれよりも弱い中間部６２を有しており、セカンドボンディング部６Ｂは、ワイヤ６の長手方向における接合長さがファーストボンディング部６Ａより小である。 （もっと読む）

【課題】 半導体の素子パッドと基板側のリード間を接続するボンディングリボンにおいて、超音波接合性、高導電容量、ループ特性を向上する。
【解決手段】 リボンをCu芯材をアルミ被覆層で構成し、
Cu芯材を７０Hv以下のビッカース硬さをもつ純度９９．９％以上の銅（Cu）として導電性とループ形成性を付与し、被覆層を純度９９．９％以上のAlをアルゴンガス（Ar）またはヘリウムガス等の不活性雰囲気下で析出することによって、３０Hv以上のビッカース硬さをもつ緻密な微細結晶組織として、芯材と被覆層との硬さの差を小さくして、Alパッドの損傷を防止するとともに、接合性を向上する。
不活性雰囲気中で析出したAl微細結晶組織は、硬さがAlバルクよりも高く、ループ時の切断や剥がれを生じない。 （もっと読む）

【課題】同一のボンディングパッドに対して異なる金属のボンディングワイヤーを用いて信頼性の高い配線を行う。
【解決手段】窒化物半導体ヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるソース電極８,ドレイン電極９,ソースパッド８'およびドレインパッド９'をＴi,Ａl,ＭoおよびＡuを順次積層して形成し、ソースパッド８'およびドレインパッド９'の一部をエッチングによって開口して、Ａl露出部を形成している。したがって、ソースパッド８'またはドレインパッド９'におけるＡu露出部に対しては、Ａuボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行う一方、上記Ａl露出部に対しては、Ａlボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行うことによって、優れた密着性とエレクトロマイグレーション耐性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を大容量化しても、小型軽量且つ安価で耐久性・信頼性が十分確保可能なワイヤボンディング構造が得られるようにする。
【解決手段】ベース体Ｂ上に半導体素子Ｓとこれに電気的に接続すべき回路部品Ｃとが間隔をおいて設置、固定され、その半導体素子Ｓの電極部と回路部品Ｃとの間が、その間に渡って延びる導電性の金属ワイヤＷで結線された半導体装置におけるワイヤボンディング構造であって、ワイヤＷが、半導体素子Ｓの電極部表面に接合される一端部Ｗａと、回路部品Ｃの、前記電極部表面と高低差ΔＬのある表面に接合される他端部Ｗａ′と、その一端部Ｗａ及び他端部Ｗａ′間を一体に接続し少なくとも中間部が上方に凸に彎曲したループ部Ｗｍとを備え、前記高低差ΔＬが１〜５ｍｍの設定範囲内に、また前記ループ部Ｗｍのループ高さｈが２〜７ｍｍの設定範囲内にそれぞれ設定される。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を同一基板に搭載することによって小型パッケージに収納される半導体装置であって、ワイヤ結線のループ高さ、およびループ形状をコントロールし、かつ安定させた半導体装置の製造方法を提供するのに収納される半導体装置であって、半導体素子どうしの接着性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のボンディング工程の後、第２のボンディング工程に進む前に、金属細線９をクランプ機構３４によってクランプしながら一定のワイヤ長で結線するようにした。第１のボンディング工程が終了した後のワイヤ引き出し時に、結線用ワイヤのループ形状を安定化させるために、ウェッジボンダー３０の付加機能であるアクティブクランプ機能を活用して、金属細線９の引き出し量を安定化させている。また、金属細線９が形成するループ形状の安定性を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線部材との接合寿命を向上させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用のＩＧＢＴモジュール１０の表面にその中心から側辺に向けて長方形状に延設された三列の電極１１〜１３にそれぞれ配線部材Ｗ１〜Ｗ３が接合される。ここでは特に、これら配線部材Ｗ１〜Ｗ３を、長方形状に延設された各電極１１〜１３の延設方向端部を含めて接合する。 （もっと読む）

【課題】異なる配線部材を電気的に確実に接続し、かつ接続状態を容易に確認することができる、配線接続構造を提供する。
【解決手段】回路基板１０の表面に設けられた凹部１１に形成された配線パターン２０と、配線パターン２０の表面に形成されたボンディングワイヤ３０とを、貫通するように形成された貫通穴３１に、導電固定部材５０の支持部５２が挿通されている。そして、支持部５２の上端と下端に、貫通穴３１の径よりも大きな径を有する上端固定部５１および下端固定部５３がそれぞれ溶着されるとともに、上端固定部５１はボンディングワイヤ３０にも溶着されている。したがって、配線接続構造は、支持部５２に溶着された上端固定部５１および下端固定部５３によって機械的に力を加えて圧着するとともに、上端固定部５１、支持部５２および下端固定部５３を介して接続することにより、ボンディングワイヤ３０と配線パターン２０を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極と配線部材を繋ぐ金属細線において、異径の金属細線を配置して、パワーモジュールの小型化を図るとともに、機械的信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１、このスイッチング素子１に形成された第一の電極４と第二の電極５、これら各電極と配線部材とを接続する金属細線、前記スイッチング素子１、配線部材、金属細線を収納する外装ケース７、及び前記外装ケース７に封入する封入樹脂１１を有する半導体装置であって、第一の金属細線６は第二の金属細線９よりも線径が大きく、かつ長くし、第一の金属細線６の近傍に略並行に第二の金属細線９を配線した。 （もっと読む）

【課題】中空パッケージにおける端子とワイヤーとの異種金属接合部分の腐食を、容易にかつ確実に防止できる端子、実装構造体及びこれらの防食方法を提供する。
【解決手段】端子４を構成する金属層２上に、フッ素系樹脂又はシリコーン系樹脂などからなる撥水撥油性樹脂層３を形成する。また、このような端子４を備える素子５を、中空状のパッケージ本体１０に搭載し、超音波を利用したワイヤーボンディング法により、素子５の端子４とパッケージ本体１０のインナーリード１１とを、第一の金属とは主成分が異なる第二の金属からなるワイヤー１５を介して相互に接続して実装構造体とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムワイヤをアルミニウム膜に超音波接合で固着する場合、その接合強度および接合の長期信頼性を向上させることができる半導体装置およびその製造製法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に選択的に酸化膜５を形成し、その上にアルミニウム膜６を形成することで、アルミニウム膜６の面方位を部分的に（１００）面に配向させ、［１００］方位に配向しているアルミニウムワイヤ８をこのアルミニウム膜６に超音波接合で固着することで、接合面９の面方位が（１００）面のアルミニウムワイヤ８と部分的に面方位が（１００）面となっているアルミニウム膜６をホモエピタキシャル接合させることで、接合強度および接合の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 電極にボンディングワイヤを接合する際に電極にクラックが発生しても、半導体装置を正常に動作させることができる技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板２０の表面２１に面的に拡がっている電極１０と、その電極１０の表面１１に接合しているボンディングワイヤＷを備えており、その電極１０は、半導体基板２０に形成されている半導体素子の電極であり、その電極１０には、ボンディングワイヤＷが接合している接合範囲Ｓ１，Ｓ２に、スリット１２〜１５が形成されている。 （もっと読む）