【課題】集積回路間の縮小化の要求に応えた、安定した接合強度を有する純銅にＰｄを被覆したボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】集積回路素子電極ａと回路配線基板導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。芯材１が純銅及び不可避不純物からなり、その芯材１の外周全面に、Ｐｄによる厚みｔ_２：０．０１０〜０．０９０μｍの被覆層２を形成し、その表面に０．０００１〜０．０００５μｍ厚ｔ_３の炭素濃縮層３を形成する。また、調質熱処理の炉温度：４００℃以上８００℃以下、同処理時間は０．３３〜１秒で行なって、室温での引張試験による引張強さＴＳ_Ｒと２５０℃での引張試験による引張強さＴＳ_Ｈの比（ＨＲ＝ＴＳ_H／ＴＳ_R×１００）を５０〜７０％とする。その炭素濃縮層３は、伸線時の潤滑剤の洗浄度合によって形成する。 （もっと読む）

【課題】第２ボンド後のワイヤ引きちぎり性を改善し、その後の第１ボンド前のボール形成時の偏芯およびボール寸法の変動を抑制することによって、安定的なボンディング性を有する合金ワイヤおよびそれを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】合金ワイヤ１０は、リンを５００質量ｐｐｍ以上５００００質量ｐｐｍ以下含み、残部が銅および不可避不純物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、脱脂対象であるボンディングワイヤにキズを発生させず、かつ十分な脱脂効果が得られるボンデシィングワイヤの脱脂方法及びこれを用いた被覆ボンディングワイヤの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電気泳動を用いてボンディングワイヤ５を脱脂するボンディングワイヤの脱脂方法であって、
第１のアルカリ溶液３０が収容され、該第１のアルカリ溶液内に前記電気泳動を行うための陽極５０が設けられた第１の槽１０内に前記ボンディングワイヤを浸漬させて通過させる第１の脱脂工程と、
第２のアルカリ溶液４０が収容され、該第２のアルカリ溶液内に前記電気泳動を行うための陰極が設けられた第２の槽２０内に、前記第１の槽内を通過した前記ボンディングワイヤを浸漬させて通過させる第２の脱脂工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Cuワイヤーを使用しても高温高湿条件下での信頼性（耐熱耐湿信頼性）に優れる半導体装置を与えるプリプレグ、該プリプレグを用いた金属張積層板及びプリント配線板、並びに該プリント配線板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（ａ）熱硬化性樹脂、（ｂ）特定組成のハイドロタルサイト化合物、（ｃ）モリブデン酸亜鉛及び（ｄ）酸化ランタンを含むＢステージ化樹脂組成物と基材とを備え、該組成物が該基材に含浸されているプリプレグ；１層の又は積層された複数層の上記プリプレグとその片面又は両面に設けられた金属箔とを備える金属張積層板；１層の又は積層された複数層の上記プリプレグとその片面又は両面に設けられ金属箔からなる配線パターンとを備えるプリント配線板；該プリント配線板と、その上に載置された半導体素子と、該プリント配線板の配線パターンと該半導体素子とを電気的に接続するCuワイヤーと、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 微細配線に充分対応することができ、しかも銅ワイヤによる接続で充分なワイヤボンディング接続信頼性を有する半導体パッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体パッケージは、端子形状の銅の表面にめっき皮膜が形成されたワイヤボンディング端子を有する半導体チップ搭載用基板と、ワイヤボンディング端子に接合された銅ワイヤで電気的に接続された半導体チップと、を備え、上記めっき皮膜が、銀めっき皮膜、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜、又は、パラジウムめっき皮膜と金めっき皮膜との２層めっき皮膜であり、上記ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有する。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化、細線化、長ワイヤ化において高強度で、高曲げ剛性であること、高いボール部接合性およびウェッジ接合性を有すること、工業的な量産性、高速ボンディング使用性にも優れていること、などを兼備する半導体素子用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】導電性の金属からなる外周部２と、前記金属を主成分とする合金からなる芯線１と、さらにその芯線１と外周部２の間に拡散層３を有し、前記拡散層３が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。また、導電性を有する第１の金属または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線１と、前記芯線１の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属または該第２の金属を主成分とする合金からなる外周部２、さらにその芯線１と外周部２の間に、拡散層３を有し、前記拡散層３が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】銅ワイヤを用いた場合に耐湿信頼性を向上することができ、成形時の銅ワイヤの変形とパッケージの反りも抑制することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、および無機充填剤を必須成分として含有し、半導体素子の電気接続に銅ワイヤを用いたエリア実装型パッケージの成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、次の式（I）：
【化１】


で表わされ、加水分解性塩素量が１０〜２０ｐｐｍのビフェニル型エポキシ樹脂を含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】所定値以上の厚みを有するパッドを少ない工程数で形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、アルミ層２２を、半導体基板上に形成された層間絶縁膜１の上方に堆積させる。アルミ層２２上には、アルミ層２４を堆積させる。パッド領域１０２のアルミ層２４の上方に、フォトレジスト７を形成する。フォトレジスト７を用いてエッチングを行うことにより、パッド領域１０２にパッド上層５２を形成するとともに、配線領域１０１のアルミ層２４を除去する。そして、フォトレジスト８を、パッド領域１０２のパッド上層５２を覆い、かつ、配線領域１０１で配線パターンを構成するように形成する。フォトレジスト８を用いてエッチングを行うことにより、パッド領域１０２にパッド下層５１を形成するとともに、配線領域１０１に配線２を形成する。 （もっと読む）

【課題】硬さが低く、かつ、伸びが高く、さらに加工性に優れたボンディングワイヤ用銅素線及びボンディングワイヤ用銅素線の製造方法を提供する。
【解決手段】線径１８０μｍ以下のボンディングワイヤを形成するための銅素線であって、素線径が０．１５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であり、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａ，Ｚｒ，Ｔｉ，及び希土類元素から選択される１種以上の添加元素を合計で０．０００１質量％以上０．０１質量％以下の範囲で含有し、残部が銅及び不可避不純物である組成を有し、ＥＢＳＤ法にて測定された全ての結晶粒界の長さＬに対する特殊粒界の長さＬσの比率である特殊粒界比率（Ｌσ／Ｌ）が５０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャピラリの損傷を抑制する。
【解決手段】集積回路素子電極ａと回路配線基板導体配線ｃとをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。銅および不可避不純物の芯材１に、ワイヤの断面積の総計に対して断面積が０．４〜１．０％のＰｄによる被覆層２を形成する。この断面積比であると、図に示すように、ＦＡＢ・ワイヤの境界付近に銅が過大な表面被覆層成分と反応する前に凝固がはじまることがない。このため、その境界付近が硬くなることがなく、キャピラリで１ｓｔ接合を行う際にキャピラリに加わる衝撃が小さく、キャピラリ寿命を長くすることができる。芯材１に５０質量ｐｐｍ以下のＰを添加すれば、芯材の酸素含有量が減少し、ＦＡＢが安定的に真球状になる。 （もっと読む）

【課題】銅を主成分とするボンディングワイヤを備えた樹脂封止型半導体装置の開封処理において、ボンディングワイヤが切断されないようにする。
【解決手段】封止樹脂の一部が除去されてボンディングワイヤの一部又は全部が露出している状態の半導体装置に対して、濃硫酸又は発煙硫酸を用いて保護膜形成工程が行なわれる。保護膜形成工程により、露出している部分のボンディングワイヤの表面に保護膜が形成される。その半導体装置に対して、硝酸成分を含む溶解液を用いた封止樹脂の除去処理が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤとリードの接続性を向上する。
【解決手段】先端に向けて突出自在にスライド可能な押さえ部材６ｄが外周部に設けられたキャピラリ６ａを用いてワイヤボンディングを行うことで、キャピラリ６ａのワイヤボンディングの動作中にキャピラリ先端による押圧面積を増やすことができるため、インナリード２ａに対してワイヤボンディングする際に、キャピラリ６ａの先端部６ｃに近接して押さえ部材６ｄのワイヤ押圧部６ｆを配置してキャピラリ６ａの先端部６ｃと押さえ部材６ｄのワイヤ押圧部６ｆとで銅ワイヤ５を押圧することで、銅ワイヤ５の接続面積を増やすことができ、その結果、ワイヤボンディング工程のスループットを低下させることなく、銅ワイヤ５とインナリード２ａの接続性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高い引張り強さ、伸びを有し、かつ硬さが小さい銅ボンディングワイヤを提供することにある。
【解決手段】本発明は、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｒからなる群から選択された添加元素とを含み、残部が銅及び不可避不純物である軟質希薄銅合金材料からなり、結晶組織が少なくとも表面から内部に向けて線径の２０％の深さまでの平均結晶粒サイズが２０μｍ以下であることを特徴とする銅ボンディングワイヤにある。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子１０と、半導体素子１０上に配置された、アルミニウムよりも硬い金属からなる電極パッド２０と、電極パッド２０上に配置された、ボンディングワイヤが接続されるアルミニウム膜からなる金属層３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッドに加わるダメージを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】インナチャンファ部ＩＣＵの広がり角度θ_ＩＣＡが９０度よりも小さい場合、パッドＰＤの表面に垂直な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＹの大きさは、極めて小さくなる。つまり、パッドＰＤの表面に垂直な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＹの大きさは、パッドＰＤの表面に平行な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＸの大きさよりも充分に小さくなる。この結果、インナチャンファ部ＩＣＵの広がり角度θ_ＩＣＡが９０度よりも小さい場合においては、パッドＰＤの表面に垂直な方向の超音波変換荷重Ｆ１ＵＹの大きさを充分小さくすることができ、パッド剥がれを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】デンドライトなどの発生が抑制された、絶縁信頼性に優れた半導体素子用のボンディングワイヤ、および、ボンディングワイヤを用いたプリント回路板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金のワイヤ２０と、ワイヤ表面上を被覆する１，２，３−トリアゾールおよび／または１，２，４−トリアゾールを含む銅イオン拡散抑制層と、を備える半導体素子１６用のボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】ワイヤがＣｕワイヤであっても、ボンディング時の衝撃による金属のスプラッシュを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、電極パッド１０３を有する半導体チップと、電極パッド１０３にボンディングされたワイヤ（例えばＣｕワイヤ１０５）と、を有している。電極パッド１０３において、ワイヤがボンディングされている領域の少なくとも表層はルテニウム又は酸化ルテニウムにより構成され、その表層の膜厚は２０ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボンディング時のボールのアルミニウム電極への接触時の衝撃によりアルミニウム電極の下方の誘電体膜を損傷せず、更にボールが花弁状に潰れすぎることなくアルミニウム電極の開口部内で十分な初期接合を行うことができる銅ボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】主成分が銅であって、硫黄が０．１質量ｐｐｍ以上３質量ｐｐｍ以下、パラジウムが４００質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下添加されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ワイヤボンディングにおける接合性を高め、更に保管寿命の長期化を実現したボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】リンを含有する銅を主成分とする芯材１０の外周をパラジウムからなる外層２０で被覆し、該外層の外周を有機被膜層３０で被覆したボンディングワイヤであって、
前記有機被膜層の最表面では炭素の濃度が５０ａｔ％を超え、該炭素の濃度が２０ａｔ％を超える領域の深さが０．２ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であり、前記有機被膜層の最表面における窒素と硫黄の濃度の合計が１ａｔ％以上５ａｔ％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）