【課題】LED点灯時に発生する自己発熱に起因した信頼性低下を防止する。
【解決手段】発光装置は、LEDチップ１１と実装基板１２とを電気的に接続するボンディングワイヤ１８を備える。このワイヤは、絶縁性基板１５の窓孔１６の側面とサブマウント１７の側面との隙間２３を跨ぎ、かつコイル状に形成されて伸縮可能である。 （もっと読む）

【課題】高温半導体素子用銀クラッド銅リボンにおけるパッド電極界面との接合信頼性の向上、クラッド界面のクラッド層剥がれの抑制。
【解決手段】高純度の銀クラッド層と高純度の銅芯材テープからなる銀クラッド銅リボンにおいて、クラッド加工後に４５０〜７５０℃で熱処理してクラッド層の加工組織を解消しておくことにより、ボンディング時にパッド界面に形成されるクラッド層の高歪の微細な結晶組織からなる加工組織の発達を抑制して、クラッド層の他の領域との硬さの差を小さくしてクラック発生を防止すると共に高温使用環境下で微細な粒状結晶組織を形成して、パッド層からのＡｌなどの拡散を抑制し、パッド界面及びクラッド界面の金属間化合物の生成を抑制し、接合強度と信頼性向上する。 （もっと読む）

【課題】 半導体の素子パッドと基板側のリード間を接続するボンディングリボンにおいて、超音波接合性、高導電容量、ループ特性を向上する。
【解決手段】 リボンをCu芯材をアルミ被覆層で構成し、
Cu芯材を７０Hv以下のビッカース硬さをもつ純度９９．９％以上の銅（Cu）として導電性とループ形成性を付与し、被覆層を純度９９．９％以上のAlをアルゴンガス（Ar）またはヘリウムガス等の不活性雰囲気下で析出することによって、３０Hv以上のビッカース硬さをもつ緻密な微細結晶組織として、芯材と被覆層との硬さの差を小さくして、Alパッドの損傷を防止するとともに、接合性を向上する。
不活性雰囲気中で析出したAl微細結晶組織は、硬さがAlバルクよりも高く、ループ時の切断や剥がれを生じない。 （もっと読む）

【課題】
低電気抵抗で高い信頼性を有するワイヤボンディングを有するパワー半導体素子上面の配線接続技術を提供する。
【解決手段】
半導体装置の半導体素子上面の配線接続に、電気抵抗値は低いが線膨張係数が大きい金属（例えばCuあるいはCu合金）の導体を、編み線状にして導電性接合材により接続する。これによって、電気抵抗小・線膨張係数大の導体の線膨張による導電性接合材のひずみを抑え、低電気抵抗化と高い接続信頼性が両立できる。 （もっと読む）

【課題】実装基板としてのプリント基板を、特性インピーダンスが５０Ωに合うように設計していても、高速信号を伝送する伝送線路としてのボンディングワイヤーの部分で高インピーダンス化が生じる。このようなインピーダンスの変動は、信号の反射や波形の歪みを生じさせ、半導体装置としての特性に影響を与える。また、半導体装置としてのインピーダンス整合を達成するためにフリップチップ接続方法を用いる場合、コストの増加を招いてしまう。
【解決手段】所望信号を流すボンディングワイヤーに隣接して、所望信号に対応するリターン電流を流すためのリファレンス用ボンディングワイヤーを配置する。さらに、これら複数のボンディングワイヤーにおける断面形状を、楕円や多角形の組み合わせにする。その結果、ボンディングワイヤーおよび実装基板における特性インピーダンスの不整合が緩和される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線部材との接合寿命を向上させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用のＩＧＢＴモジュール１０の表面にその中心から側辺に向けて長方形状に延設された三列の電極１１〜１３にそれぞれ配線部材Ｗ１〜Ｗ３が接合される。ここでは特に、これら配線部材Ｗ１〜Ｗ３を、長方形状に延設された各電極１１〜１３の延設方向端部を含めて接合する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップユニットとアンテナコイルを有する非接触ＩＣシートにおいて、薄型で平面平滑性およびアンテナコイルを形成するワイヤ導体とチップユニットとの干渉を改善した非接触ＩＣシートを提供する。
【解決手段】チップユニット７とアンテナコイルを構成するワイヤ導体５、６とを有する非接触ＩＣシートであって、基板１の板面に前記ワイヤ導体が配設され、該基板１に窓穴２、３が形成されるとともに、チップユニット７がその接合パッド８、９を該窓穴２、３部分に位置させて配設され、ワイヤ導体５、６と接合パッド８、９とが窓穴２、３内にて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部と電気的に接続可能な外部電極を有する基材と、導電性ペーストからなる表面電極を有する半導体素子とを備える構成において、接合信頼性を確保しつつ、表面電極と外部電極との接続手段または接続工程を簡易化することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】外部と電気的に接続可能な外部電極１３が形成された基材１１と、導電性ペーストからなる表面電極１６が形成された半導体素子１５とを備え、基材１１に半導体素子１５が実装されてなる半導体装置１０であって、基材１１の外部電極１３と半導体素子１５の表面電極１６とは、ワイヤボンディングによって金ワイヤ１７で電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】接合強度を向上すると共に、ボンディングパッドの幅及びピッチを狭くすることができるワイヤボンディング方法及び液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】金からなるボンディングワイヤ１２０をボンディングパッド９０ａに接続するワイヤボンディング方法であって、前記ボンディングワイヤ１２０を１００℃以下の温度で加熱すると共に周波数１００〜１２０ＫＨｚ、振幅が０．５〜６μｍの超音波を印加しながら前記ボンディングパッド９０ａに７８．４×１０^-3Ｎ以下の荷重で押圧することで、当該ボンディングワイヤ１２０を前記ボンディングパッド９０ａに接続する。 （もっと読む）

半導体モジュールパッケージのための一体化された電磁干渉（ＥＭＩ）シールドである。一体化されたＥＭＩシールドは、パッケージの基板内の接地面とパッケージのモールド化合物の上端上にプリントされた導電層との間に電気的に接続された複数のワイヤボンドばねを含む。ワイヤボンドばねは、ワイヤボンドばねの上端と導電層との間の電気的接続によるコンタクトを与えるばね効果を生じさせる、定められた形状を有する。ワイヤボンドばねを、モジュールパッケージ内において、パッケージに含まれる装置すべてまたはその一部の周りのいずれかの場所に配置することにより、これらの装置の周りに完全なＥＭＩシールドを形成する。
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【課題】 ボンディングワイヤと半導体素子上の電極との間の接合強度が十分であり、半導体素子を樹脂封入する際にボンディングワイヤ同士の接触による不良が起こりにくく、また、ボール硬度が大きすぎず、チップにクラックを生ぜず、かつ、振動に対する十分な疲労特性を有するボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】 Ｓｎを０．０００１質量％以上０．０１質量％以下、Ｐｔを０．８質量％を越え２質量％以下、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、ＩｎおよびＴｉからなる群より選ばれた１種以上を合計で０．０００１質量％以上０．１質量％以下含有し、残部がＡｕおよび不可避不純物からなるボンディングワイヤ。さらにＣｕを０．０５質量％以上１．５質量％以下含有したものであっても良い。 （もっと読む）

【課題】 樹脂基板側とのステッチ接合性が良好なボンディングワイヤ及びそのボンディングワイヤによって接合された半導体装置を提供する。
【解決手段】 ワイヤの長手方向に沿って断面円形のワイヤ表面に微細な筋状凹凸溝パターンが形成されているものであって、当該筋状の凹凸溝パターンは、オーバリティ（ワイヤの直径を複数回測定した値の中で、最長の直径と最短の直径との差を平均の直径で除したときの百分率の値）が０．１〜６％であり、かつ、ＢＥＴ法による比表面積が当該筋状凹凸溝パターンの形成されていないものに対して３〜１００％大きくなっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電力用半導体素子が短絡故障して過電流が流れたときに、過電流を確実に遮断することができる過電流遮断機能を備えた樹脂封止型パワーモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と外部端子とを電気的に接続する接続手段と、前記半導体素子および前記接続手段を封止するように成形された、開口部を有する封止樹脂部とを備え、前記接続手段の一部が前記開口部において前記封止樹脂部から露出していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特に高い電流の伝送のために設計されていて、信頼性良く溶着され得るようになっており、しかもできるだけ高い寿命およびできるだけ小さな面延在サイズもしくは二次元延在サイズを有するようなボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】ボンディングワイヤ４が、互いに異なる電流容量を有する少なくとも２つの層５，６，７を有している。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤ４を改善して、該ボンディングワイヤ並びにボンディングワイヤ接続部の耐用年数を公知のボンディングワイヤよりも高める。
【解決手段】ボンディングワイヤの断面の輪郭５は、円形並びに長方形と異なる形状を有している。 （もっと読む）

【課題】金極細ボンディングワイヤのリーニング良否を結線前に判定し、品質管理する。
【解決手段】 結線前のボンディングワイヤの全周を微細に分割し、その分割された円周部分の線径を測定し、その線径値を用いて円周部分の各分割された軸方向で積分してワイヤ断面の当該方向におけるそれぞれの断面N次モーメントを求め、その求められた断面N次モーメントの最大値と最小値とを比較してその大小によって選別する。
Ｎ次モーメントとして二次モーメントにより測定した断面二次モーメントの差、又は比（％）の小さいＡ〜Ｄは、線径測定値の差が大きい多角形状のものであってもリーニング不良を発生しない。断面二次モーメント比（％）を１％以下として、リーニング不良を生じる、楕円を含む異形断面のワイヤを選別・管理することが出来、またダイヤモンドダイスの磨耗度管理に有効である。 （もっと読む）

半導体デバイス製造において、平らな矩形の断面のリボン状ワイヤ（１０４）などのワイヤを、ワークピース（１０６）にボンディングするための装置（１００）及び方法。ワイヤは、超音波ボンディング・キャピラリ（１０２）の通路（１１６）を介して供給され、ボンディング・キャピラリに動作可能に結合されるクランプ押さえ部（１１８）を介して、ボンディング・キャピラリの係合面（１２０）に対してクランプされる。ワイヤは、ボンディング・キャピラリのボンディング面（１１２）に沿ってワークピースにボンディングされ、カッティング・ツール（１２４）によって、ボンディング・キャピラリのボンディング面と係合面との間で、少なくとも部分的に、貫入される。カッティング・ツールは、ボンディング面と係合面との間に配置される伸長部材（１２６）を含み得、更にその末端部（１３０）に配置されるカッティング・ブレード（１２８）を有し得る。カッティング・ツールは、更にリング・カッターを含み得、リボン状ワイヤは、その内径の周りに画定されるカッティング面を有するリングを通る。
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【課題】電力用半導体デバイスのための改善されたパッケージを提供すること。
【解決手段】パッケージ化された半導体デバイスはダイ１０５装着用支持体１０４を含み、ダイの底面がこのダイ装着用支持体の最上面に取り付けられ、間隔を置かれた複数の外部導体１０１，１０２，１０３がこの支持体から延び、前記間隔を置かれた外部導体のうちの少なくとも１つがその一方の端部にボンド・ワイヤ用ポスト１１０を有し、このボンド・ワイヤ用ポストと、複数のメサの最上面へのコンタクト領域との間にボンディング・ワイヤ１０８が延びる。 （もっと読む）

【課題】
ボンディングの接合強度を維持しつつ、ボンディングの際にボンディングリボンに加える圧着荷重や超音波振動を小さくすることができ、半導体チップの破損を軽減することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップ３０およびリードフレーム端子４０を備え、半導体チップ３０上に形成されたソースボンディングパッド３１とリードフレーム端子４０とがボンディングリボン２０により接続されている。
また、ソースボンディングパッド３１とボンディングリボン２０とは、ボンディングリボン２０の延在方向と垂直な方向に沿って、３箇所以上の接合部２０２ａ〜２０２ｃで、接合されている。 （もっと読む）

【課題】光学機能素子の発熱による悪影響及び温度ムラによる悪影響を防止できる半導体装置を得る。
【解決手段】ライン型ＣＣＤチップ１が導電性放熱板に固定され、ライン型ＣＣＤチップ１と配電手段３とが電気的に接続された半導体装置に関する。ライン型ＣＣＤチップ１が固定される導電性放熱板２の固定面２ａに対して反対側に位置する反対面２ｂの全面が外部に露出している。 （もっと読む）