【課題】膜応力の小さい低誘電率の絶縁膜を形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内へ無機シリコンガスと酸素含有ガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、処理室内へ有機シリコンガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、を行うことにより、処理室内の基板表面に絶縁膜を形成するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３（Ｘは任意の基）と、前記ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３と反応する反応性化合物とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板に吸着したガスに含まれる不純物を効果的に除去しつつ基板処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記処理室内へ搬入された基板に、第１のガスを吸着させる第１ガス供給工程と、前記第１ガス供給工程の後、前記処理室内から第１のガスを排気する第１ガス排気工程と、前記第１ガス排気工程の後、前記基板に付着した第１のガスを、分解機構により分解する第１分解工程と、前記第１分解工程の後、前記処理室内へ第２のガスを供給しつつ、前記分解機構により第２のガスを分解する第２ガス供給工程と、前記第２ガス供給工程の後、前記基板を処理室内から搬出する搬出工程とから、基板処理方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のＣＶＤ装置で用いることの出来なかった材料により成膜を可能にし、さらに不純物が混じらない高品質の成膜を可能とした薄膜堆積方法および装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非平衡プラズマにより原料ガス１４に与えるエネルギーと、原料ガス１４より生成する目的の反応生成物固有のポテンシャルエネルギーとの差分のエネルギーを求め、ポテンシャルエネルギーが不足の場合、前記差分のエネルギーを補充するレーザ光１９の波長を求め、ポテンシャルエネルギーが余剰の場合、差分のエネルギーを誘導放出により放出するレーザ光１９の波長を求め、非平衡プラズマ化された原料ガス１４に、求めた波長のレーザ光１９を照射して、原料ガス１４の基底準位を前記ポテンシャルエネルギーに遷移し、原料物質より目的の反応生成物を解離または分解し、被成膜物質１２に堆積して成膜する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ源が処理容器から離れていても、ラジカル又はプラズマを失活させることなく処理容器へ導入することが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Ｗに対して処理を施す処理容器２１と、ラジカル又はプラズマを生成するプラズマ源２６と、プラズマ源２６で生成されたラジカル又はプラズマを、処理容器２１に導入する導入配管３０と、を備え、導入配管３０の内壁が、ダイヤモンドライクカーボン膜３１、又はＣ−Ｈ系膜でコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】低電力のプラズマを容易に生成、維持、制御することができるようにし、もって低誘電率のプラズマ重合高分子膜を容易に形成することができるようにする。
【解決手段】原料ガスを真空チャンバ１内に導入し、真空チャンバ１内の基板２と該基板２と相対向する対向電極４との間にグロー放電によるプラズマを励起して基板２表面に薄膜を形成する成膜方法において、基板２表面の仕事関数以上のエネルギーの光を基板２へ照射すると共に、基板２と対向電極４間へのＤＣパルス電圧の印加を行うことによって、基板２と対向電極４間にグロー放電を開始させる。 （もっと読む）

【課題】薄薄膜に亜鉛を供給するプレカーサとして充分な反応性を有するビスアルコキシ亜鉛化合物に、揮発性、低融点化等のより好適な性質を付与して、特にＣＶＤ用原料として適する亜鉛化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される亜鉛化合物。
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【課題】基板の処理精度を向上させるとともに、電極の低コスト化および長寿命化を図り、基板の処理面積の大型化にも対応する。
【解決手段】内部を０．００１気圧以上１気圧未満に保持可能な処理容器１１と、この処理容器１１内に配置される導電性の基板Ｗに３ｅＶ以上の仕事エネルギを有する紫外線Ｌを照射する光源１２と、基板Ｗと光源１２との間に基板Ｗに対向して配置されてこの基板Ｗを負にバイアスさせる電極１３と、処理容器１１内にプロセスガスＧを供給する導入口１４とが備えられ、処理容器１１内に配置された基板Ｗに、負のバイアス電圧を印加しつつ紫外線Ｌを照射するとともに、導入口１４から処理容器１１内にプロセスガスＧを供給することにより基板Ｗを処理する基板の処理装置１０であって、電極１３は、板厚が０．１ｍｍ以上とされた平板の表面に多数の貫通孔が形成されて、その開口率が５０％以上９５以下％とされている。 （もっと読む）

３５０℃よりも低い温度で基板上に相変化メモリカルコゲニド合金の堆積を生じさせる条件下で相変化メモリカルコゲニド合金の前駆体に基板を接触させる、基板上に相変化メモリ材料を形成するシステム及び方法であって、接触が化学蒸着又は原子層堆積を介して行われるシステム及び方法。基板上にＧＳＴ相変化メモリ膜を形成するために有用である種々のテルル前駆体、ゲルマニウム前駆体及びゲルマニウム−テルル前駆体が記載されている。 （もっと読む）

【課題】光ＣＶＤ装置において、処理速度を低下させることなく、汚染膜のクリーニングを行うこと。
【解決手段】光源部２０及びシール部２２を備えた区画手段１４と、ＣＶＤ膜の成膜中は、区画手段により気密的に区画される成膜室１６及びクリーニング室１８と、光源部を回転させることにより、成膜室露出領域ＢＭをクリーニング室に、及び、クリーニング室露出領域ＢＣを成膜室に、それぞれ露出させる回転手段２８を備えている。そして、回転手段は、ＣＶＤ膜の成膜中又はＣＶＤ膜の成膜後に光源部を回転させる。 （もっと読む）

【課題】ラジカル処理においてラジカルフラックスを広範囲かつ精密に制御することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１０１は、半導体等の被処理基体１０２の表面のラジカル処理を行う室であり、ガス導入手段１０５は、ラジカル生成手段１０８により生成されるラジカル生成領域１１１と、被処理基体支持手段１０３との間に設けられる。第１のガス排気手段１０６ａは、ガス導入手段１０５よりもラジカル生成領域１１１の側に設けられる。第２のガス排気手段１０６ｂは、ガス導入手段１０５よりも被処理基体支持体１０３の側に設けられる。 （もっと読む）

断続的堆積処理において基板においてＳｉ含有膜を選択的に形成する方法を提供する。その方法は、成長表面及び非成長表面を備える段階と、塩素化シランガスのパルスに基板を同時に晒しながら、基板をＨＸガスに晒すことにより、成長表面においてＳｉ含有膜を選択的に形成する段階とを有する。Ｓｉ含有膜は、酸化物、窒化物又は酸窒化物非成長表面でなく、Ｓｉ又はＳｉＧｅ成長表面に選択的に形成されるＳｉ膜又はＳｉＧｅ膜である。
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【課題】不活性ガスとともに酸素ガスを用いたスパッタ法において、より安定した酸化の状態で酸化物の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】高周波電源１２１の出力の交流電圧の平均値Ｖ_DCを検出するＶ_DCモニタ１２２と、Ｖ_DCモニタ１２２が検出したＶ_DCにより反応性ガス導入部１１２より導入されるガスの流量を制御するマスフローコントローラ１２３を制御する制御部１２４とを備え、Ｖ_DCモニタ１２２で検出されたＶ_DCの値が、既定値Ｖ₀となるように、制御部１２４がマスフローコントローラ１２３を制御し、反応性ガス導入部１１２より導入される酸素ガスの流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に構造体をパターン加工するための装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 走査先端部を有するイメージング装置と、発光装置と、走査先端部の周りにあって、分解されたときに基板上での化学気相堆積法に適したものとなる材料の蒸気を有する空間とを含む、基板上に構造体をパターン加工するための装置であり、この発光装置は、蒸気を分解できない強度を有する光ビームを、走査先端部付近の光ビームが引き起こす電磁場が蒸気を分解するのに十分な程強くなるように、走査先端部上に射出するように適合される。 （もっと読む）