【課題】Ｓｉ基板の上に形成した窒化物半導体素子の生産性及び動作特性を向上させる。
【解決手段】窒化物半導体素子は、シリコン基板１０１の上に初期層１０２を介して形成された歪み抑制層１１０と、歪み抑制層の上に形成された動作層１２０とを備えている。歪み抑制層１１０は、第１のスペーサ層１１１と、第１のスペーサ層の上に接して形成された第２のスペーサ層１１２と、第２のスペーサ層の上に接して形成された超格子層１１３とを有している。第１のスペーサ層は、格子定数が第２のスペーサ層よりも大きい。超格子層は、第１の層１１３Ａ及び第１の層よりも格子定数が小さい第２の層１１３Ｂが交互に積層されている。超格子層の平均の格子定数は、第１のスペーサ層の格子定数よりも小さく且つ第２のスペーサ層の格子定数よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】原料ガスをシャワーヘッドの周辺部から導入した場合に、成長室の被処理基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０は、原料ガスが導入されるIII 族系ガス外環流路２３ａ及びＶ族系ガス外環流路２４ａと、開口付き仕切り２３ｄ・２４ｄの内側に位置する原料ガスのIII 族系ガスバッファエリア２３ｂ及びＶ族系ガスバッファエリア２４ｂと、複数のIII 族系ガス吐出孔Ｈ３及びＶ族系ガス吐出孔Ｈ５を有するシャワープレート２１とを備えている。III 族系ガスバッファエリア２３ｂには、III 族系ガスバッファエリア２３ｂを積層方向の複数層に仕切る隔壁４０が設けられ、かつ隔壁４０には複数の貫通孔４１…が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を提供する。または、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース配線及びドレイン配線として機能する配線との間に、微結晶シリコン膜及びシリコンカーバイド膜を有し、微結晶シリコン膜はゲート絶縁膜側に形成され、シリコンカーバイド膜は配線側に形成される。電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製することができる。 （もっと読む）

【課題】高い電子移動度と耐圧特性を両立する窒化物半導体の炭素ドーピング方法を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体に中性子線を照射する工程を有する窒化物半導体の炭素ドーピング方法である。そして、当該炭素ドーピング方法を利用した、窒化物半導体及びその製造方法、並びに半導体素子及びその製造方法である。具体的には、例えば、シリコン基板１上に、バッファ層３、ＧａＮ層４、ＡｌＧａＮ層５を形成した後、中性子線を照射して、ＧａＮ層４に炭素ドーピングを行い、その後、ゲート電極７Ｇ、ソース電極７Ｓ、ドレイン電極７Ｄを形成して、半導体素子を得る。 （もっと読む）

【課題】サセプタとテーパ状の管フローブロックとを含むテーパ状の水平成長チャンバを有する、堆積を実行するためのシステム及び技術である。
【解決手段】テーパ状のチャンバは、サセプタとテーパ状の管フローブロックの間に形成される。導入されたガス種は、テーパ状の管ブロックによってサセプタに向かって流れることを強いられ、ガス種とサセプタ上のウエハとの間の反応効率を高める。 （もっと読む）

【課題】比較的小さい膜厚で結晶性の良いIII族窒化物半導体の結晶を成長させることができるIII族窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体の成長方法は、基板(10)上に、III族窒化物半導体の結晶核(40)を島状に形成する第１の工程と、窒素源ガスを供給しながら珪素源ガスとIII族源ガスを交互に供給することにより、前記結晶核(40)を島状に成長させる第２の工程と、該第２の工程後、窒素源ガスとIII族源ガスを供給し、前記島状の結晶核(40)からIII族窒化物半導体を各々成長させ、層状のIII族窒化物半導体(45)を形成する第３の工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が抑制された窒化物半導体、及び該窒化物半導体を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】Ａｌ原子，Ｇａ原子及びＩｎ原子から選択される１以上の金属原子と窒素原子とを少なくとも含むと共に、結晶面に対して垂直な転位線を持つらせん転位を有し、前記らせん転位の転位芯に相当する領域に位置された前記金属原子または窒素原子のうちの少なくとも一部が炭素原子で置換されている窒化物半導体である。 （もっと読む）

【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＳｉ含有ガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＳｉ含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Ｓｉ含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】動作層に与える影響が小さく且つ絶縁性を向上した下地層を備えたトランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】トランジスタは、基板３００の上に形成された下地層３０１と、下地層３０１の上に形成された窒化物半導体からなる動作層３０２とを備えている。下地層３０１は、複数の窒化物半導体層が積層された積層体である。下地層３０１は、遷移金属であるコバルト、ニッケル、ルテニウム、オスミウム、ロジウム及びイリジウムのうちの少なくとも１つを含む遷移金属含有層を有している。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内全域にて凹凸加工された構造を埋め込み成長可能であり、かつ、凹凸形状によらない安定した埋め込み平坦化が可能なIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体基板の表面に形成された規則的な凹凸を有する四元系III−Ｖ族化合物半導体層の上に、有機金属気相成長法を用いて、上記凹凸の熱変形を抑制する保護膜となるIII−Ｖ族化合物半導体層を、第一の成長温度で所定の膜厚となるまでエピタキシャル成長させた後、上記第一の成長温度よりも高い第二の成長温度で連続して同一組成の半導体層を、トータルの厚さが上記凹凸の高さよりも大きくなるまで成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】膜質のばらつきを抑制しつつ、処理時間を短縮することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を支持する基板支持部２２０と、基板支持部の周囲から複数の基板を加熱する加熱部２３０と、基板と直交する方向に離間して配置され、薄膜を形成するためのガスを供給する３つのガス供給部３００，３２０，３４０と、ガス供給部から供給されるガスの温度を調節する、３つの温度調節部３０６，３２６，３４６と、温度調節部を個別に制御する温度制御部と、を備え、ガス供給部の各々は、原料ガスを供給するための原料ガス供給管３０２，３２２，３４２と、反応ガスを供給するための反応ガス供給管３０４，３２４，３４４と、を備え、温度制御部は、３つのガス供給部のうち、中心側に位置するガス供給部によって供給されるガスの温度が、周辺側に位置するガス供給部によって供給されるガスの温度よりも高くなるように、温度調節部を制御する。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧化とカレントコラプス現象の低減ないしは解消との両立を可能とした窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびに電界効果型トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】 基板１と、前記基板１の上に形成された第１の窒化物半導体層３と、前記第１の窒化物半導体層３の上に形成された、前記第１の窒化物半導体層３よりも電子親和力の小さい第２の窒化物半導体層５とを有し、前記第１の窒化物半導体層３には、その表面から深さ方向に、近似式；ＮＦｅ＝Ａ×ｅｘｐ（Ｂ×Ｃ）、（ＮＦｅ：第１の窒化物半導体層における鉄濃度、Ａ：１Ｅ１４〜１Ｅ１７［ｃｍ^−３］、Ｂ：３〜８［μｍ^−１］、Ｃ：第１の窒化物半導体層における表面からの深さ）によって表わされる深さ方向プロファイルで鉄がドーピングされており、かつ前記第１の窒化物半導体層の表面側には、前記鉄の濃度よりも高い濃度でシリコンをドーピングしてなるシリコンドーピング領域４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、気相成長装置は、基板を保持し、かつ、基板を加熱および回転させるサセプタと、基板の上面に材料ガス流を供給するノズルと、を含み、ノズルは、その内部のガス放射中心から放射状に材料ガス流を基板の全面に沿って噴出する。 （もっと読む）

【課題】従来の薄膜形成装置に比べて、薄膜を均一に形成することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成する成膜容器と、原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有する。ガス供給ユニットは、原料ガスおよび反応ガスの導入口から前記成膜空間に向けて流れるガス流路を屈曲させる少なくとも１つの衝立板が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、基板の加熱に起因するドラムからの基板の浮きを防止し、ドラムからの浮きに起因する基板の熱ダメージを抑制した機能性フィルムを安定して製造できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 ドラムに巻きかかっている基板の非製品領域に当接して、基板と共に搬送されつつ、基板を幅方向の外側に付勢する付勢手段を有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】中間層としてＧｅ結晶を用いる場合の化合物半導体へのＧｅ原子の混入を抑制する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に形成された第１結晶層と、第１結晶層を被覆する第２結晶層と、第２結晶層に接して形成された第３結晶層とを備え、第１結晶層が、ベース基板における第１結晶層と接する面と面方位が等しい第１結晶面、及び、第１結晶面と異なる面方位を有する第２結晶面を有し、第２結晶層が、第１結晶面と面方位が等しい第３結晶面、及び、第２結晶面と面方位が等しい第４結晶面を有し、第３結晶層が、第３結晶面及び第４結晶面のそれぞれの少なくとも一部に接しており、第１結晶面に接する領域における第２結晶層の厚みに対する第２結晶面に接する領域における第２結晶層の厚みの比が、第３結晶面に接する領域における第３結晶層の厚みに対する第４結晶面に接する領域における第３結晶層の厚みの比よりも大きい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【目的】
シングルドメインの高品質且つ平坦な結晶層を成長できるフローチャネル方式のＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板と平行に基板側から不活性ガスを噴出する第１のチャネル、材料ガスを噴出する第２のチャネル及び不活性ガスを噴出する第３のチャネルがこの順で層状に構成されたノズルを備え、第２のチャネルには、酸素含有化合物を噴出する第１のサブチャネル及び有機金属化合物を噴出する第２のサブチャネルが基板と平行方向に交互に並んで配置され、ノズルから噴出されたガスは、少なくとも基板端まで当該ノズル端から延長された天板および底板で構成されたフローチャネルで誘導される。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に基板を担持して基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの周囲に位置し、基板に水平に材料ガスを誘導するフロー補助板と、不活性ガスまたは水素を、基板の法線方向から４０°まで傾けた方向の範囲の角度で、基板の面積より広い面積で、基板に吹付ける押さえガス噴出器と、そのノズル幅が基板の直径の１／２〜１／１の幅であり、ノズル先端がフロー補助板上に位置し、基板上に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、を備え、押さえガス噴出器の噴出口から供給するガス流速を材料ガスノズルから供給するガス流速で除した比率が０．００４乃至０．１３の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。
【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。 （もっと読む）